聚焦HBM製程研發、製造
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　台灣美光（Micron）25日舉辦台中第三辦公大樓點交暨啟用典禮，除了彰顯美光在台擴大徵才之外，也將持續在台中進行AI所需的高頻寬記憶體（HBM）製程研發及製造。
　美光強調，未來將持續培育台灣半導體人才，支援最先進記憶體的生產。
　美光2023年9月宣布推出HBM3E，2024年開始供應輝達；美光HBM前段在日本廣島廠生產，產能預計年底前提升至2.5萬片；長期將引入EUV製程（1γ、1δ），並建置全新無塵室。
　該公司桃園Fab11廠與台中A3廠產能因應，即增加1β製程比重，預計2025年底HBM總投片量約達6萬片。
　美光指出，台中第三辦公大樓是收購自優肯科技在中科后里園區的現有廠房，大樓約可容納500人左右，此次改建辦公大樓是為了提供同仁更多的辦公場所及舒適的工作環境，美光未來將持續培育台灣半導體人才，以支援最先進記憶體的生產。
　台灣美光董事長盧東暉表示，美光在台灣深耕30年，對台投資總額已超過新台幣1兆元，是台灣最大的外商投資者，對美光而言，台灣是製造DRAM的重鎮、也加速技術量產。
　盧東暉指出，1β製程技術的DRAM在日本量產後，轉移至台灣生產也進入量產爬坡期，可望成為2025年最先進的DRAM製程技術，此外，採用極紫外光（EUV）技術的1γ製程DRAM，也預計在2025年上半年量產，包括台中A3廠、桃園Fab11廠皆是主要生產基地。
　美光成長動能聚焦在HBM製程，視台灣為主要DRAM生產據點之一，並規劃HBM市占率將在2025年拉升至少3倍。對於營運目標，擁有1.1萬名員工的台灣美光也啟動徵才行動，預計在未來的12個月之內，將在台招聘逾2,000名員工，包括台中廠、桃園廠，以及前陣子收購的友達台南廠也正展開招募。

台北報導
近期因陸方全力擴產成熟製程晶圓產能，外界對台灣成熟製程廠後市展望保守，力積電28日表示，該公司銅鑼新廠已積極進行轉型，針對大型客戶需求，力積電已導入機台建置中介層（Interposer）、3D晶圓堆疊產能，展開高毛利的3D AI代工服務，並以新廠多達每月4萬片12吋晶圓的擴產即戰力，協助國際級客戶迅速掌握AI爆發商機。
力積電董事長黃崇仁表示，面對產業結構性改變，以成熟製程為主力的晶圓代工業者須思考新的對應策略。在市場布局方面，美國政黨輪替勢必激化全球供應鏈重組，力積電過去二年成熟製程業務強化非紅色供應鏈的行銷力度已經見效，目前歐美客戶在該公司電源管理晶片（PMIC）、NOR Flash等邏輯、記憶體製程平台的新產品開發進展順利，其中新款PMIC已經達到每月量產千片水準，伴隨下游AI伺服器的出貨揚升，該公司PMIC代工業務明年可望在新客戶切入AI新應用市場的帶動之下，獲得顯著的成長。
黃崇仁進一步透露，因應全球成熟製程代工價格競爭的長期趨勢，力積電銅鑼新廠決定將營運重心轉向發展中介層和晶圓堆疊製程技術的3D AI代工平台，經過與潛在客戶長期合作開發，目前該公司的高容值中介層已獲得客戶認證並開始小量出貨，為因應未來市場需求，銅鑼廠透過與力積電新竹廠區成熟製程生產線的聯合調度，已完成月產數千片中介層的產能配置。

【台北報導】
力積電與日本ＳＢＩ控股會社於日本合作設立十二吋晶圓廠計畫破局，力積電董事長黃崇仁表示，事件真正原因是「日本政府要求力積電做出非常大的承諾，我們承擔不起，我根本做不到、也不能做」。

黃崇仁昨天主持法說會，特別針對終止與ＳＢＩ合作提出說明。他說，與ＳＢＩ簽署合作備忘錄後的一年間，均未看到ＳＢＩ提出財務規畫，經三次請益日本經濟產業省，得知申請補助必須以力積電名義且在量產後保證營運十年，而所獲的一千四百億日圓補助款將全落入力積電無法掌控的公司，這樣的保證將讓力積電背負重大責任，與當初力積電以技術授權協助建廠的宗旨悖離，且牽連後續法律、經理人責任、甚至力積電在台灣的聯貸案甚大，因此董事會決議終止。

黃崇仁昨神情落莫地進入法說會會場，和去年六月與ＳＢＩ在日本宣布合作設立晶圓廠回台舉行記者會時，興奮地宣布力積電啟動Fab IP新營運模式，判若兩人。

對於原本被視為台日半導體合作重要指標案告吹，ＳＢＩ控股社長北尾吉孝日前甚至透過臉書指控黃崇仁毫無誠信可言，黃崇仁說，「這件事我已不想再得罪人」，但他話鋒一轉，表示「日本政府要求力積電做出非常大的承諾，我們承擔不起，我根本做不到、也不能做」。

黃崇仁說，力積電的海外發展策略主軸是收費協助建廠、技術移轉和人才培訓的Fab IP模式，但在ＳＢＩ力邀下，他當時即表達願從這案子收取的服務費、技轉金等提出一部分，以占有少數股權的方式參與投資日本晶圓廠。在北尾吉孝遊說下，日本經產省去年即表達對此建廠計畫的政策支持，力積電也協助ＳＢＩ選定宮城縣仙台市附近的建廠用地。

黃崇仁透露，隨整個評估作業的深入並參考國內友廠在日本的經驗，力積電發現當地的建廠、營運成本比台灣高出四倍，以成熟製程為主力的新廠雖獲日本政府補助，未來營運壓力還是很大。因此，力積電清楚告知ＳＢＩ市場實況，並多次要求ＳＢＩ提出籌資、行銷等營運計畫，以進行投資評估。但截至今年七月，ＳＢＩ始終沒有拿出相關計畫文件供力積電評估。

此外，去年就向日本政府申請補貼的ＳＢＩ直到今年一月十八日才告知力積電，政策要求新廠必須連續量產十年以上。黃崇仁指出，為求慎重，力積電主管三度到東京，與經產省主管官員確認補貼政策及責任歸屬，日本官員說明金融背景的ＳＢＩ沒有半導體營運經驗，必須由力積電保證日本新廠連續十年量產。後經徵詢會計師與律師相關責任歸屬，牽連後續法律、經理人責任、甚至力積電在台灣的聯貸案甚大，因此董事會決議終止。

黃崇仁指出，台日合作破局是個雙方都不樂見的結果，但經營企業本來就是要面對變化和挑戰，力積電珍視與ＳＢＩ共同合作的經驗，買賣不成仁義在，他只是基於經營企業的誠信和維護股東權益的責任，做該做的事。

【2024-10-23/聯合報/A8版/財經要聞】

助塔塔集團建12吋廠，並與矽谷新創洽談合作；WoW技術提供更具性價比的AI晶片
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　晶圓代工廠力積電（6770）擴增海外市場，積極參與各項海外展覽，力積電副總顧峻表示，自從與塔塔集團合作之後，陸續打開市場能見度，其中，已與矽谷新創公司洽談，未來將有機會展開合作。力積電透露，相較純晶圓代工廠，力積電具備DRAM技術，可透過Wafer on Wafer（WoW晶圓堆疊）技術，並以TSV（矽穿孔）達成異質整合，提供更具性價比之AI晶片解決方案。
身為塔塔集團合作夥伴，力積電協助打造全印度首座12吋晶圓廠，將於今年內動工。印度最大集團加持下，於北美市場力積電能見度逐漸提高，顧峻指出，在矽谷地區，印度裔工程師很多，雙方互相加持之下、信任度提升不少；其中，新創公司因資金有限，從成熟製程開始切入，更有利於公司發展長遠規劃。
此外，塔塔集團觸角跨至各行各業，並為唯一被蘋果列入供應商名單之印度本土公司、塔塔汽車更為當地最大廠，掌握上游晶圓代工，進一步壓低成本，與力積電集團共創雙贏。
而WoW為力積電攜手矽智財公司愛普（6531）共同開發，多層堆疊為未來技術趨勢，提供具備價格優勢之AI晶片，為力積電爭取更多價格敏感客戶。力積電分析，目前產能皆已備妥、技術漸臻成熟，參展各項半導體展會，將有助於提升市場能見度。
與國際級公司聯手，是現階段成熟晶圓代工廠達成海外布局之方式，以聯電集團為例，即與英特爾攜手合作，將協助位於美國亞利桑那州之Intel Fab12、22和32廠進行開發和製造；知情人士透露，主要是要以現有設備導入聯電製程，雙方仍有待磨合。
展望後市，法人認為力積電營運將有望逐步復甦，因消費性與運算需求復甦略優於預期，相關產品包括OLED Driver IC， ISP、Wi-Fi SOC等， 電腦、消費和通信領域的庫存狀況改善到更健康的水準，下半年成熟製程產品需求將緩步回溫，預估產能利用率也會逐步恢復至7成到8成。

記憶體價格持續向上，伺服器、手機、筆電等相關出貨都成長，下半年業績將逐季好轉
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　南亞科29日舉行股東常會，董事長吳嘉昭及總經理李培瑛雙雙按讚AI應用，將帶動記憶體容量大增，將帶動產業市況及南亞科業績逐季好轉。
　吳嘉昭在致詞時指出，2023年的DRAM市場，因全球經濟景氣循環、地緣政治、中美貿易衝突等影響，短期間成長受阻，但DRAM是人類進入智慧世代，使所有電子產品智慧化的關鍵零組件，隨著5G及AI的發展，將持續帶動DRAM的增長。
　他預期，2024年DRAM出貨到伺服器、手機與筆電等終端應用市場，都將呈現成長。
　李培瑛在股東會後受訪時則表示，生成式AI帶動高頻寬記憶體（HBM）高速成長，三星、SK海力士及美光三大原廠，集中資源轉進HBM領域，但因HBM良率不高，排擠到一般型DRAM產能。
　因此，在DRAM供給有限，市場需求回溫下，帶動DRAM價格，自2023年第四季起持續往上，記憶體整體產業往正面發展，李培瑛樂觀看待南亞科2024下半年業績將會逐季改善。
　南亞科2024年的重點，是陸續推出以10奈米第二世代（1B）製程技術，量產的三顆新產品，目前正在試產，以擴大產品線、貢獻營收。
■高容量模組 瞄準伺服器需求
　另設計開發中的則有四顆產品，包括16Gb DDR5的微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5及4Gb DDR3，將逐步進入試產。
　此外，2024年南亞科將同步開發矽穿孔（TSV）製程技術，未來結合DDR5微縮版與TSV製程，做成高容量DRAM模組，以供應伺服器市場需求。
　而使用10奈米第三世代（1C）製程技術的第一顆產品16Gb DDR5，預計在2024年底完成設計，2025年初進入試產，南亞科新品將密集上市，迎來AI新商機。
　南亞科另與比利時研發中心（IMEC）合作開發極紫外光（EUV）製程，為更先進的製程預做準備。
　惟4月3日台灣發生七級大地震，扣除保險後，南亞科仍受到晶圓報廢、設備維修及停產等造成額外費用的影響，預期第二季財務績效仍有壓力，本業在第三季較有機會獲利。

【台北報導】
矽智財（IP）廠力旺（3529）昨（8）日召開法說會，力旺董事長徐清祥看好，力旺可量產的元件技術及IP數量持續增加，各項技術都已增加客戶需求，授權金大增，未來相對應的權利金預期隨之大幅成長，公司多年成長循環才剛開始。

他表示，半導體應用愈來愈廣泛，既有及新增的晶圓廠持續採用其各項技術授權，先進製程或新技術的每片權利金比過去高，對未來成長非常有信心。

力旺總經理何明洲表示，根據客戶回饋，庫存消化已告一段落，成熟製程產品會回到往年正常量產需求。加上力旺在過去三年累積超過1,500個新產品設計定案，隨著客戶量產，可望帶動權利金收入進入成長循環。

針對AI應用解決方案方面，何明洲指出，這可分為三個面向，一是AI應用也需要安全硬體信任，力旺提供完整的安全解決方案。再者，AI應用中需要大量SRAM解決運算問題，力旺有完整SRAM repair方案，可大幅提高AI晶片良率，降低生產成本。第三是AI應用中需要大量DRAM，力旺提供完整DRAM修補方案，解決AI晶片在大容量記憶體應用的需求。

【2024-05-09/經濟日報/C1版/證券產業】

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　華邦電第二季DDR3新合約價格終於敲定，據法人調查指出，華邦電成功漲價10％，急單及加單另計。
　主要調漲原因是在疫情之後，全球經濟活動回歸正常，記憶體產業已進入新的上升周期，AI、網通需求竄升，DDR3出現供給吃緊，以致於得以調漲DDR3價格。
　華邦電對此一消息表示，該公司不評論價格問題。
　先前市場一度傳出，華邦電擬調漲DDR3二成的幅度，惟法人獲得最新消息指出，華邦電與客戶敲定的最新合約價漲幅是一成，如屬急單及加單另計，整體平均漲幅不會到20％。
　法人認為，華邦電喊漲成功後，客戶會有漲價預期心理，願意提早下單，除有利於華邦電本業外，晶豪科、鈺創等記憶體IC廠商，也將同步沾光。
　法人分析，隨著高階DRAM庫存調整完畢及控制產出下，價格已出現反彈，利基型DRAM市場價格也逐步回升，市場調研機構多預期，記憶體產業在2024年下半年將達到供需平衡。
　法人指出，據調查，華邦電在第一季實際上並未調漲DRAM或NOR報價，以換取出貨量成長。不過，第二季主力DDR3產品，則已確定調漲至雙位數以上漲幅，預期此舉將有利於華邦電獲利的回升。
　華邦電今年營運展望樂觀，法人指出，高階DRAM在庫存調製完畢及控制產出下，價格出現反彈，利基型DRAM市場價格也逐步回升，預期下半年將達到供需平衡。此外，網通、IoT、安防及TV市場可望出現強勁需求，邊緣AI成為未來成長動能。

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　記憶體大廠減產保價策略奏效，第四季合約價報價優於市場預期，DDR5上漲15～20％，DDR4上漲10～15％，DDR3上漲10％，漲幅優於原先預估的5～10％；NAND每家平均漲至少20～25％，漲幅更大。
　另據了解，第一大原廠三星對DRAM正常報價，但在NAND部分，暫停報價，也不出貨，最新報價仍待觀察。
　台系記憶體製造廠南亞科、華邦電、旺宏，模組廠威剛、十銓、創見、宜鼎、宇瞻、點序、群聯等，有望跟著拉升報價。
　業者分析，記憶體合約價的調漲，主要原因有四：一是反映華為Mate 60新機銷售暢旺，帶動Android手機業者提前推出新機，帶動行動DRAM需求；二是三星（Samsung）控制出貨量，造成PC業者補庫存時長延長。
　三是因應手機需求上修，DRAM業者將2023年第四季到2024年第一季的伺服器DRAM投片，調整至行動及PC DRAM投片，伺服器DRAM的供給壓力緩解；四是網路攝影機、網通等利基型應用業者因應漲價預期，啟動記憶體庫存回補。
　市場法人分析，2023年記憶體大廠紛紛採取減產保價策略，促使記憶體報價止穩反彈，預期隨著各大廠減產幅度收歛、稼動率提升，2024年記憶體產業將走向價量齊揚。
　至第四季，美光（Micron）已將DRAM庫存去化至8周、完成庫存去化，並將DRAM工廠減產幅度，自第三季的31％，收斂至第四季的17％、並預計在2024年第一季至第四季維持減產幅度。
　三星及SK海力士的減產及去庫存時間，皆落後美光一季，預計將減產幅度自第四季的18～40％，收斂至2024年第一季的15～34％、並預計在第二至第四季逐步收斂減產幅度。
　業者認為，考量終端需求預計自第二季起回溫、加上龍頭製造商皆預計維持「以銷定產」的紀律性增產節奏，預估2024年第一季至第四季期間DRAM合約價將維持漲勢。由於庫存仍處15～18周高水準，NAND Flash仍可望持續減產。 市場產業分析師認為，第三季至第四季記憶體模組廠的獲利及評價表現較佳，主要反映模組廠可即時享有庫存利益、而不須負擔產能閒置損失。
　但自2024年第一季起，記憶體製造廠的獲利及評價表現將改善，主要考量製造廠工廠逐步升載下，產能閒置損失的收斂，有望挹注獲利。

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　全球記憶體市況下半年以來緩步回升，近期在全球記憶體大廠持續擴大減產，再加上市場庫存水位逐步回到健康水準，第四季記憶體可望持續升溫，市場預期將帶動記憶體封測廠第四季營運表現，其中，力成及南茂第三季營收分別寫近四、五季新高，而華泰更創下近16季營收新高，市場看好三大記憶體封測廠第四季營收可望續攀升。
　進入下半年以來，全球記憶體市況逐步走出谷底，雖然市場需求仍維持相對過去旺季時平淡，但在國際大廠減產效應下，價格回穩、市場觀望氣氛也轉趨緩，同時也帶動記憶體封測廠第三季營收走高。
　其中力成第三季184.48億元，不僅是近四季新高，同時，以單季營收來看，也已是連續二個季度營收呈現季成長，第三季較上季成長7.15％，產業回溫情況逐漸顯現。
　南茂第三季營收為55.81億元，單季營收同樣也是連續二個季度呈現季成長，第三季營收較上季小幅成長2.52％，以單季營收來看，南茂第三季營收也是寫近五個季度最佳表現。

法人預期，華邦電、南亞科、威剛等台記憶體廠將受惠

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　TrendForce研究顯示，第四季起DRAM與NAND Flash均價開始全面上漲，以DRAM來看，預估第四季合約價季漲幅約3％～8％。法人預期，華邦電、南亞科、威剛、群聯等台系記憶體廠商有望受惠。
　TrendForce預估，在PC DRAM方面，多數原廠均因DRAM產品出現負毛利，而不願意再讓價，預測第四季DDR4價格季增0～5％，DDR5價格季增約3～8％，預估第四季PC DRAM合約價季漲幅約3～8％。
　Server DRAM方面，DDR5買方庫存占比，已較第二季的20％，提升至30～35％，但第三季實際Server上機使用率僅為15％，市場需求似乎沒有預期中的好。
　三星擴大減產，限縮DDR4的投片規模，供應端的Server DDR4庫存降低，Server DDR4報價沒有再下跌的空間。
　Server DDR4第四季均價預估持平，而Server DDR5仍會走跌，伴隨DDR5出貨比重增加，加上DDR4與DDR5之間價差約50～60％，仍會拉升綜合產品的平均零售價，第四季Server DRAM的合約價預估季增3％～8％。
　Mobile DRAM方面，由於Mobile DRAM庫存相較其它應用更早回到健康水位，加上價格彈性帶動單機搭載容量上升，下半年買氣轉趨活絡。第四季智慧型手機產量季增逾10％，支撐Mobile DRAM需求。
　原廠庫存仍高，短時間內無法改變供過於求的市況，但堅持拉抬價格，目前原廠庫存較多的LPDDR4X或舊製程產品，預估合約價季漲幅約3～8％；LPDDR5（X）則略顯供貨緊張，預估合約價季漲幅5％～10％。
　Graphics DRAM方面，由於Graphics DRAM為淺碟市場，加上買方心態，已轉為可接受價格上漲，預期採購端將持續準備主流規格GDDR6 16Gb，以應對2024年的漲勢。