台北報導

DRAM廠南亞科（2408）第三季出貨平均價格較上季下跌逾10％，雖然出貨量因進入旺季而明顯增加，但仍影響毛利率表現，第三季歸屬母公司稅後淨利22.05億元，每股淨利0.72元，略低於市場預期。由於市場過剩庫存持續降低，DRAM市場最壞情況已過，南亞科總經理李培瑛表示，第四季DRAM市場預期供需平穩，價格持平或小幅漲跌。
南亞科8日召開法人說明會並公告財報，第三季DRAM銷售量較上季成長約35％，但平均銷售價格較第二季下滑逾10％，季度合併營收季增19.0％達147.99億元，較2018年同期減少39.3％，平均毛利率亦價格走跌影響季減6.9個百分點達28.0％，營業利益季減19.7％達22.52億元，較2018年同期減少81.9％，歸屬母公司稅後淨利季減19.8％達22.05億元，較2018年同期減少82.9％，每股淨利達0.72元，低於市場預期。
受到DRAM市場供給過剩且價格走跌影響，南亞科前三季合併營收386.12億元，較2018年同期減少43.0％，歸屬母公司稅後淨利85.39億元，較2018年同期下滑72.8％，每股淨利2.81元。而在扣除現金股利的9月底每股淨值達49.71元。
不過，隨著三大DRAM廠陸續進行減產，市場供給成長幅度受到壓抑，但需求端進入傳統旺季，有效去化市場過剩庫存，南亞科預期在第三季位元銷售量明顯優於預期情況下，調升全年位元銷售量目標至11～13％，約與市場位元需求成長率相當。
李培瑛表示，由於美中貿易戰及日韓紛爭等總體經濟不確定性仍將持續，第三季旺季效應帶動出貨量上揚及庫存降低，由於供應商持續調節庫存，資本支出保守，預期第四季DRAM市場將是供需平穩，價格持平或小幅漲跌。
李培瑛表示，第四季需求看旺，各家推出新款智慧型手機支援人工智慧（AI）及照相功能升級，增加DRAM平均搭載量，5G手機銷售量逐年成長，2019年DRAM搭載量多為8GB，預期明年將持續成長。再者，雲端業者需求逐步升溫，終端串流服務、企業用雲服務、AI及網路產業的發展可持續帶動伺服器長期需求。至於PC出貨量下半年優於上半年，消費型電子產品需求則偏向穩定。

價格止跌反彈，南亞科、華邦電、威剛等營運將旺到年底
台北報導
DRAM價格由去年第三季跌到今年第三季，雖然8月合約價已見止跌回穩跡象，但過去一年來累計跌幅仍超過6成。隨著下半年進入DRAM市場傳統旺季，且DRAM成本占桌機或筆電、伺服器、智慧型手機的成本比重已大幅下滑，ODM／OEM廠及手機廠因此大舉提高DRAM搭載容量，與去年同期相較幾乎倍增，法人因此看好南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）等營運將旺到年底。
雖然美中貿易戰懸而未決，終端需求受到壓抑，但隨著主要DRAM大廠下半年進行減產，加上旺季需求優於預期，8月DRAM合約價出現止跌反彈，其中，標準型、伺服器、行動式DRAM模組價格止跌持平，利基型DRAM晶片合約價出現小幅上漲。至於9月之後DRAM合約價走勢，業界普遍認為將與8月持平，10月之後可望出現小漲格局。
DRAM價格自去年第三季開始走跌，至今年第三季看到止跌，近一年來價格跌幅超過6成，導致DRAM廠及模組廠的營收及獲利表現不如去年亮麗。不過，DRAM價格的走低，在下半年旺季反而有效帶動搭載容量大幅提升。以筆電為例，去年同期主流搭載容量為4GB，但目前8GB已是市場主流，各大OEM廠推出的高階機種更一舉將搭載容量拉高到16GB。
伺服器DRAM第三季上旬需求還不算太好，但下旬需求已見回穩，在臉書、微軟、谷歌等雲端大廠開始擴建資料中心並釋出伺服器採購訂單情況下，伺服器搭載DRAM容量同樣見到倍增情況。模組業者表示，搭載英特爾Cascade Lake處理器或超微EPYC 2處理器的伺服器，去年此時每刀出廠搭載容量是16GB或32GB，但現在搭載64GB RDIMM模組伺服器已是主流規模。
蘋果新推出iPhone 11系列手機全數搭載容量統一為4GB，但非蘋陣營則大舉提高至8GB，三星、華為等手機廠已將12GB當成今年手機搭載行動式DRAM主流規模。至於消費性電子產品如4K／8K超高畫質電視的搭載利基型DRAM容量亦增加一倍至4GB起跳。
法人指出，去年此時DRAM成本占總機成本比重偏高，但今年下半年已大幅降低，如去年下半年筆電平均搭載DRAM成本占比約12～14％，但現在已降至5％左右，手機中的DRAM成本占比亦由去年的10％以上降至目前的7％以下。也因此，OEM廠及手機廠今年增加DRAM搭載，帶動DRAM需求快速復甦，價格止跌反彈，有助於南亞科、華邦電、威剛等業者營運表現。

強攻5G、AI、ADAS等利基型DRAM，打進國際一線系統廠及車廠供應鏈

台北報導
記憶體大廠華邦電（2344）成功開發出新一代低功耗動態隨機存取記憶體LPDDR4X產品線，首波產品採華邦電自行研發25奈米製程量產出貨，並結合華邦電擁有NOR/NAND Flash完整記憶體產品線優勢，強攻5G、人工智慧（AI）、先進駕駛輔助系統（ADAS）等利基型DRAM市場。
華邦電第三季接單進入旺季並開始全產能投片，下半年營運表現明顯優於上半年。華邦電公告8月合併營收月增3.1％達44.63億元，較去年同期減少6.3％，為12個月以來單月新高；累計前8個月合併營收316.89億元，較去年同期減少約9.5％。法人預期華邦電第三季營收逐月成長，季度營收將較上季成長超過10％；華邦電不評論法人預估財務數字。
華邦電表示，在AI、超高解析度顯示、5G、物聯網（IoT）等新科技的推波助瀾之下，各式新興應用應運而生，包括ADAS、智能音箱、8K電視、5G手機及邊緣裝置、以及安全監控系統產品等，都已逐步進入日常生活之中，這些應用往往需要更低功耗、更高頻寬、與更佳資料傳輸率的記憶體來提升整體的效能，以提供絕佳的使用者體驗。
華邦電長期深耕利基型記憶體市場，十分重視客戶的需求以及新科技的發展趨勢，針對上述各項的新興應用已成功開發出新一代的LPDDR4X產品，首波產品採用華邦電自行研發的25奈米記憶體製程，規格涵蓋完整，包括了JEDEC定義 LPDDR4X及LPDDR4兩大系列，提供2Gb與4Gb等兩種容量，資料傳輸率最高可達每秒4266MT，並同時供應確認良品（KGD）與200接球閘球陣列封裝（BGA）等兩種產品形式。未來華邦電將會把容量推進至8Gb，並加入其它新功能，提供客戶更完整選擇方案。
為了符合5G、AI、ADAS等利基型應用，華邦電LPDDR4X具備非常寬廣的工作環境溫度，最低與最高可達攝氏-40度至+125度。產品應用所涵蓋的範圍可從一般的消費電子、行動裝置，一直延伸到工業控制到車規市場。而在車用與工規市場上，除了嚴苛的工作溫度需求，品質表現及系統更是關鍵，華邦電憑藉著自有晶圓廠與自有製程開發等優勢，嚴格執行最高等級的品質系統與要求，LPDDR4X系列產品在推出時就已符合AEC-Q100及ISO26262等車用產品規範。
華邦電利用本身產品線優勢，以及看好5G及AI終端邊緣運算龐大商機，推出整合NAND Flash及LPDDR4X的多晶片記憶體封裝模組（MCP），可支援5G及車載終端裝置，並已打進國際一線系統廠及一線車廠供應鏈。

台北報導

近期市場傳出，美國記憶體大廠美光（Micron）執行長將到訪中國並可能與紫光集團見面消息。美光5日發布聲明間接否認此一傳言，美光表示，總裁暨執行長Sanjay Mehrotra訪中是出席中國國際半導體博覽會並發表主題演講，美光不就任何謠言及猜測發表評論。
紫光集團於6月30日公告成立DRAM事業群，由曾任工信部電子信息司司長的刁石京出任董事長，執行長則由華亞科前董事長、現任紫光執行副總經理高啟全擔任，代表紫光集團與中國政府的合作進一步深化，也更加確立中國自主開發半導體的發展方向。
對於紫光集團決定跨足DRAM市場，市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）表示，紫光集團於8月27日宣布與重慶市政府簽署合作協定，並在重慶投資DRAM研發中心與工廠，廠房預定2019年年底動工，並於2021年完工。這顯示在福建晉華遭到美國禁售之後，中國加速自主開發DRAM產品的進程。
以目前紫光集團狀況來說，旗下IC設計公司紫光國微具有DRAM相關產品的研發實力，但製程開發上至今仍未有合作對象，未來如果以自主開發的方向進行，至少需要3～5年的研發時間，代表就算2021年工廠完工甚至進入小批量投片，達到一定的經濟規模仍需更長的時間。
集邦表示，紫光集團目前較為欠缺的製程研發能力，預計可望藉由其執行長高啟全的業界人脈進行補強，高啟全明年在紫光任期屆滿，會對紫光的DRAM發展產生的影響須持續關注。
集邦表示，紫光集團並非首次計畫進軍DRAM產業，早在2014年就曾表達出研發DRAM的決心，但當時為了平衡產業與地方發展，且紫光已確定NAND發展路線，此次回歸DRAM開發，主要是因為福建晉華在去年11月遭美國頒布禁售令後，量產與未來研發之路的不確定性因素仍高，加上合肥長鑫雖預計今年底導入量產，但放量最快也要到2020年底。對中國而言，僅有一家正在進行的DRAM廠不足以實現自主開發，尤其又面臨中美貿易摩擦，亦讓紫光重新進行DRAM的開發與生產。

8月營收優預期，上修Q3展望
台北報導
DRAM大廠南亞科受惠於銷售旺季需求強勁，加上現貨價出現反彈及合約價止跌回穩，推升8月合併營收達52.22億元，為今年來單月營收新高。由於7月以來市場需求優於預期，南亞科宣布調升第三季位元銷售量成長幅度，從原估的15％上修至逾25％。市場法人亦同步上修南亞科第三季合併營收季增率達20％以上。
南亞科公告8月合併營收月增14.1％達52.22億元，較去年同期下滑36.6％，表現優於預期。累計前八個月合併營收達336.11億元，較去年同期減少43.4％。由於DRAM出貨進入旺季，法人看好9月營收將優於8月，第三季營收表現應可較上季成長2成以上。南亞科不評論法人預估財務數字。
南亞科表示，8月合併營收成長，主要是受惠季節旺季需求增加，銷售量較7月增加約高個位數字百分比。第三季因各應用市場區塊旺季，DRAM供需逐步平穩，南亞科宣布調升本季度較前季度的位元銷售量增加幅度，由15％上修至逾25％。
根據集邦科技公告資料，近期DRAM現貨價雖下跌，但跌勢已趨緩，標準型DRAM的8月合約價確定止跌，8GB DDR4模組價格介於25～26美元，與7月合約價持平，利基型DRAM的8月合約價上漲，平均漲幅約介於3～6％。法人認為，8月合約價止跌回穩，亦是推升南亞科8月業績表現優於預期的原因。
近期DRAM市場需求轉強，受惠於英特爾第10代Core行動處理器出貨放量，超微第三代Ryzen桌上型處理器出貨強勁，PC市場進入傳統旺季，標準型DRAM銷售成長。再者，智慧型手機出貨旺季到來，加上單機搭載容量大幅提升，行動式DRAM出貨同樣強勁。利基型DRAM出貨同樣增加，亦受惠於消費性電子搭載容量提升。
包括SK海力士及美光已宣布下半年會減少投片量，現在市場需求進入旺季，但仍在去化過高庫存，不過包括威剛董事長陳立白在內的業界人士普遍預期，庫存逐月去化後第四季應可回到季節性正常水準，若資料中心相關需求進入成長期，現貨價及合約價將有上漲空間。

預期韓廠將降低產能利用率，DRAM及NAND Flash平均上漲約1成；合約價也出現止跌

台北報導
日本在7月初開始管控向韓國出口3種生產半導體及面板所需關鍵材料，造成記憶體模組廠出現提高報價狀況。隨著近期日本及韓國之間協商毫無共識，日本經產省又在安全保障貿易管理中將韓國列為最不能信賴國家，日韓貿易紛爭持續惡化，在預期韓國記憶體廠恐將開始降低產能利用率情況下，DRAM及NAND Flash現貨價平均上漲約1成，部份貨源較少產品更一口氣大漲逾2成。
■南亞科、群聯等受惠
隨著DRAM及NAND Flash現貨價持續上漲，7月合約價也出現跌幅明顯縮小或持平止跌現象。由於第三季是傳統旺季，法人看好南亞科、華邦電、群聯等業者本季營收及獲利將明顯優於第二季。
日本對韓國發布關鍵面板及半導體材料限制出口禁令後，韓國記憶體大廠三星電子及SK海力士手中的光阻劑及高純度氟氫酸庫存水位急降，兩家業者雖然積極向外尋求新供應商，但至今仍無法取得足夠材料貨源。同時，韓國業者雖表示已向日本供應商海外工廠調貨，不過日本官方說明若是最終使用者是韓國業者仍受到出口禁令管制。
目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上並非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長且需確定最終使用者一定要是半導體廠，所以短期結構性供需反轉的可能性低。但業者表示，光阻劑及高純度氟氫酸保存期限短，日本將申請時間大幅拉長，且每次採購都需申請，會導致韓國業者出現材料供給缺口，造成晶圓廠產能利用率明顯下滑，將可加速DRAM及NAND Flash庫存去化速度。
因為日韓紛爭短期內無法達成共識，加上傳統出貨旺季到來，模組廠順利調漲現貨價格。根據集邦報價，8Gb DDR4現貨均價已漲至3.7美元左右，最高成交價達4.0美元，7月以來漲幅約10％，供貨較少的4Gb DDR3已漲至1.7美元，7月以來漲幅逾15％。
NAND Flash現貨價漲幅更大，因為日本東芝記憶體四日市廠區發生停電後導致第三季產出大幅減少，且智慧型手機最高搭載容量今年拉高至512GB，日韓紛爭可能導致韓系業者供應量下滑，NAND晶圓（wafer）現貨價因此大漲，512Gb TLC晶片價格漲至3.9美元，供貨量少的128Gb TLC晶片價格更大漲33％達1.6美元。
■業界預估至少漲到月底
模組業者表示，韓國三星及SK海力士的庫存已開始下滑，DRAM及NAND Flash現貨價預期至少會漲到月底，7月漲幅預估會達2～3成，若日韓紛爭延續到日本參議院大選後仍然未解，8月現貨價格續漲機率大增，合約價有機會反轉開始上漲。法人認為價格上漲有助於群聯、南亞科、華邦電等記憶體廠第三季營運表現。

董座吳敏求樂觀，出貨旺季、大客戶訂單遠勝去年
台北報導
非揮發性記憶體大廠旺宏（2337）18日召開股東常會，決議通過每普通股配發1.2元現金股利，並完成董事改選。旺宏董事長吳敏求表示，雖然美中貿易戰影響終端需求，但下半年營運仍會比上半年好，大客戶今年提前拉貨，訂單量較去年多且下半年會是出貨旺季。至於美國對中國商品祭出高關稅，不會影響美國消費力，對台廠亦相對有利。
吳敏求表示，由於市場太多不確定性因素，客戶短單與急單較多，下半年會如何現在還很難預測。所幸近期大客戶訂單狀況超乎原先預期，而且5月營收27.23億元已經開始反應，整體而言，大客戶對今年的訂單預估量比去年多很多，下半年會進入出貨旺季，所以維持下半年營運優於上半年看法，但成長幅度仍待觀察。
吳敏求表示，去年旺宏營運成果表現亮眼，全年營收創下歷史新高，雖然全球記憶體市場受到美中貿易談判等不確定因素影響，整體需求趨緩，致有供過於求的跌價壓力，但旺宏因高品質及可信賴的服務，價格維持穩定，且去年在車用、工業、醫療、航太等應用領域NOR Flash營收占比亦增加到26％，今年希望可以超過3成。此外，旺宏與東芝間各自約30項專利爭議和解，證實旺宏的研發、矽智財、及國際談判與訴訟實力，有助於旺宏長期發展。
吳敏求表示，研發創新是旺宏永續經營的根基，去年投入研發費用約占全年營收11％，並透過與國際科技大廠長期策略合作，共同開發記憶體先進技術。至去年底為止已累計擁有全球7,640件專利，豐碩的研發成果與堅強的矽智財後盾持續強化旺宏價值，是為股東創造更高報酬的重要關鍵。
旺宏64Gb以上容量占去年第四季唯讀記憶體（ROM）營收72％，75奈米以下製程占NOR Flash營收比重達63％，其中256Mb以上高密度營收占比增加至25％，市占率已領先全球，且製程技術朝向55奈米推進。在NAND Flash方面，旺宏將把12吋廠製程由36奈米全數提升至19奈米，SLC NAND已送樣並可望在第四季出貨，大客戶任天堂也會採用，並展開3D NAND研發計畫。
吳敏求表示，有鑒於半導體屬高度資本及技術密集產業，旺宏必須不斷提升產能及製程技術，以降低生產成本、維持產品競爭力，去年第四季董事會通過142.03億元資本支出，除為提升12吋晶圓廠高階製程產能，透過高階製程產品量產創造更高的營收及獲利外，也投入3D NAND研發計畫，致力開發96層製程技術與產品。

董座吳嘉昭：今年Q1對華為出貨已減少，在法律許可範圍會支持每一家客戶

台北報導
DRAM大廠南亞科（2408）30日舉行股東常會，決議通過每普通股配發約7.15元現金股利。南亞科董事長吳嘉昭在回應小股東問及美中貿易戰看法時表示，美中貿易戰主要是科技戰，國際大廠封殺華為，斷鏈危機不能小看。
吳嘉昭表示，南亞科去年對華為出貨較多，今年第一季已減少，在法律許可範圍會支持每一家客戶。至於南亞科第二季營運持穩，第三季有電子旺季效益，下半年營運會好轉。
南亞科總經理李培瑛針對華為事件進一步說明，重申基於尊重法律及尊重客戶與自家的營業秘密，不方便針對單一客戶的營業資訊，但會在法律許可範圍內盡力符合客戶需求。華為的確是南亞科客戶，對華為第一季的供貨量占南亞科單季出貨的3％左右，對南亞科而言，對占比在3～5％的單一客戶來看，產能及出貨很容易調配，對南亞科影響有限。
南亞科股東常會承認去年財報，合併營收達847.22億元創下歷史新高，歸屬母公司稅後淨利達393.62億元，每股淨利12.80元。股東常會決議通過現金股利總額217億元，因員工執認股權憑證導致參加分派股數增加，調整後每普通股配發現金股利約7.15344156元，以30日收盤價60元計算，現金殖利率高達12％。南亞科預計7月4日為除息交易日，7月10日為除息基準日，現金股利將於7月26日發放。
吳嘉昭表示，預估在DRAM製造端調整產能增加幅度後，今年全球DRAM產出年增率約21％，而整體位元產出到位的時間點在今年第一季，加上庫存調整需要時間，上半年DRAM產業會處於逆風期，下半年則有賴DRAM終端需求的成長，隨著美中貿易紛爭、供應鏈庫存調整、英特爾CPU供貨充足等外部因素獲得解決，DRAM市況可望獲得改善。
南亞科公告4月合併營收月增10.5％達41.11億元，與去年同期相較減少46.5％，主要是受到DRAM出貨價格明顯低於去年同期影響。累計今年前4個月合併營收達154.83億元，較去年同期下滑41.5％。李培瑛表示，整體DRAM市場第二季需求較第一季改善，預期第三季因各應用市場旺季來臨，英特爾CPU供應量增加，加上伺服器需求提升，市況將逐步恢復平穩。

台北報導
市調機構集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange調查顯示，在第一季傳統淡季，DRAM價格下滑的壓力加劇，除了供應商在去年下半年增加的產能於第一季陸續開出以外，需求端積極去化庫存的同時也壓縮採購力道，導致第一季DRAM量價齊跌的情況十分顯著，也使得整體產值較上季大幅下滑28.6％。
展望第二季，就一線PC OEM大廠訂價來看，主流8GB DDR4模組4月均價已滑落至34美元，季跌幅逾2成。由於成交量持續低迷，導致DRAM供應商的庫存水位續增，集邦預期5月及6月合約價在月合約（monthly deal）議定下，價格將持續走跌，第二季整季跌幅逼近25％。此外，出貨占比近3成的伺服器DRAM恐面臨更大的跌價壓力。
從營收來看，第一季跌幅都相當劇烈。龍頭三星在相對基期較低以及第一季行動式DRAM出貨表現優於預期的挹注下，第一季營收位元出貨與上季持平。不過受到報價下跌影響，營收較上季下滑26.3％達69.68億美元，市占回升至42.7％。而SK海力士的營收位元出貨下滑約8％，略優於公司預期，第一季營收48.77億美元，較上季衰退31.7％，市占來到29.9％。
美光維持第三大廠排名，第一營收來到37.60億美元，較上季下滑30.0％，市占率維持在約23.0％。集邦預估，在庫存水位持續攀升的壓力下，三大供應商往後數月的報價策略仍會相當積極。
在獲利能力部份，三星部分1x奈米伺服器DRAM產品因品質問題產生退換貨狀況，衍生出額外營業費用，拉低獲利表現，營業利益率由前一季的66％滑落至48％，在三大廠中降幅最大。不過即便報價已下跌2～3成，三星生產DRAM的毛利率仍逼近6成。而SK海力士雖然因三星產品問題而拉升出貨，但出貨集中在季中價格最低的3月，使得第一季營業利益率從上季的58％下跌至44％。
美光因公司財報月份為去年12月至今年2月，價格跌幅不如韓廠所結算的1～3月，因此營業利益率表現是三大廠中最佳，從上季的58％下跌至46％。展望第二季，在產業價格持續快速下探的情況下，原廠獲利空間將被進一步壓縮。
台灣廠商部分，南亞科第一季營收位元出貨下跌超過20％，營收較前一季大減32.9％，營業利益率由上一季的41.8％跌至26.6％。不過未來出貨預期將逐步回升，獲利衰退幅度可望收斂。力晶科技方面，本身生產標準型DRAM產品第一季出貨量上升，帶動營收逆勢成長5.7％，若涵蓋DRAM代工業務，營收則下滑近15％。華邦電因與客戶的議價屬中長期，營運表現較為平穩，DRAM營收僅下滑約5％。

台北報導

DRAM廠南亞科（2408）3日公告4月合併營收41.11億元，較去年同期下滑46.5％。第二季DRAM需求雖略優於第一季，但價格持續看跌，法人預估，南亞科第二季位元出貨量將較第一季增加5％以上，平均出貨價格（ASP）較上季下滑逾15％，預估第二季營收將低於第一季，力拚守住100億元大關。
南亞科公告4月合併營收月增10.5％達41.11億元，較去年同期大減46.5％，主要是受到DRAM出貨價格明顯低於去年同期影響。累計今年前四月合併營收達154.83億元，與去年同期的264.78億元相較，年減幅度達41.5％。
由於DRAM市場仍是供給過剩，第二季又傳統PC及伺服器市場淡季，所幸智慧型手機、消費性電子、物聯網等市場需求轉強，業界預估第二季DRAM需求將小幅回溫，價格跌幅與第一季相較會明顯收斂，普遍預估平均價格約較上季下跌15～20％之間。
法人預估，南亞科第二季位元出貨量將較第一季成長超過5％，平均出貨ASP則會較第一季下跌逾15％，整體來看，南亞科第二季營收仍會較第一季下滑。由於美中貿易紛爭對終端市場影響日益減輕，英特爾處理器缺貨問題也逐步獲得紓解，若市場復甦情況較預期好，南亞科第二季營收應有機會守穩100億元以上。
不過，南亞科已宣布進一步縮減今年資本支出，由原訂106億元降低至約70億元，與去年相較大幅下修66％，今年位元產出年增率由原本預期的10～15％下修到持平。南亞科為了降低價格下跌及產品過於集中帶來的風險，已透過調整產品組合方式，如增加LPDDR4X等低功耗產品線，以及推出新款伺服器DRAM等來維持獲利能。
根據集邦科技預期，第二季國際DRAM大廠因1y奈米量產，位元供給量持續增加，在極力消化庫存的考量下，普遍採取大幅降價策略刺激銷售。
業界預估第二季PC與伺服器DRAM價格將較上季續跌約二成幅度。