報導記者／涂志豪

預期韓廠將降低產能利用率，DRAM及NAND Flash平均上漲約1成；合約價也出現止跌

台北報導
日本在7月初開始管控向韓國出口3種生產半導體及面板所需關鍵材料，造成記憶體模組廠出現提高報價狀況。隨著近期日本及韓國之間協商毫無共識，日本經產省又在安全保障貿易管理中將韓國列為最不能信賴國家，日韓貿易紛爭持續惡化，在預期韓國記憶體廠恐將開始降低產能利用率情況下，DRAM及NAND Flash現貨價平均上漲約1成，部份貨源較少產品更一口氣大漲逾2成。
■南亞科、群聯等受惠
隨著DRAM及NAND Flash現貨價持續上漲，7月合約價也出現跌幅明顯縮小或持平止跌現象。由於第三季是傳統旺季，法人看好南亞科、華邦電、群聯等業者本季營收及獲利將明顯優於第二季。
日本對韓國發布關鍵面板及半導體材料限制出口禁令後，韓國記憶體大廠三星電子及SK海力士手中的光阻劑及高純度氟氫酸庫存水位急降，兩家業者雖然積極向外尋求新供應商，但至今仍無法取得足夠材料貨源。同時，韓國業者雖表示已向日本供應商海外工廠調貨，不過日本官方說明若是最終使用者是韓國業者仍受到出口禁令管制。
目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上並非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長且需確定最終使用者一定要是半導體廠，所以短期結構性供需反轉的可能性低。但業者表示，光阻劑及高純度氟氫酸保存期限短，日本將申請時間大幅拉長，且每次採購都需申請，會導致韓國業者出現材料供給缺口，造成晶圓廠產能利用率明顯下滑，將可加速DRAM及NAND Flash庫存去化速度。
因為日韓紛爭短期內無法達成共識，加上傳統出貨旺季到來，模組廠順利調漲現貨價格。根據集邦報價，8Gb DDR4現貨均價已漲至3.7美元左右，最高成交價達4.0美元，7月以來漲幅約10％，供貨較少的4Gb DDR3已漲至1.7美元，7月以來漲幅逾15％。
NAND Flash現貨價漲幅更大，因為日本東芝記憶體四日市廠區發生停電後導致第三季產出大幅減少，且智慧型手機最高搭載容量今年拉高至512GB，日韓紛爭可能導致韓系業者供應量下滑，NAND晶圓（wafer）現貨價因此大漲，512Gb TLC晶片價格漲至3.9美元，供貨量少的128Gb TLC晶片價格更大漲33％達1.6美元。
■業界預估至少漲到月底
模組業者表示，韓國三星及SK海力士的庫存已開始下滑，DRAM及NAND Flash現貨價預期至少會漲到月底，7月漲幅預估會達2～3成，若日韓紛爭延續到日本參議院大選後仍然未解，8月現貨價格續漲機率大增，合約價有機會反轉開始上漲。法人認為價格上漲有助於群聯、南亞科、華邦電等記憶體廠第三季營運表現。