報導記者／張珈睿

向三星及英特爾新世代製程宣戰，預計2025年量產
台北報導
　全球晶圓代工先進製程戰再起，台積電2奈米製程的竹科寶山P1晶圓廠，最快於4月份進行設備安裝工程，並全新採用GAA（全柵極環繞）電晶體架構，預計2025年量產。此外，寶山P2與高雄廠預估於2025年加入擴產，中科二期也進行評估，向三星及英特爾新世代製程宣戰。
　半導體業者表示，全球晶圓代工先進製程持續推進，競爭對手三星提早於3奈米進入GAA架構，雖然良率表現未達標，然已具備量產經驗；英特爾則預計今年RibbonFET架構之20A就將進入量產。因應競爭對手來勢洶洶，台積電必須加緊腳步。「全環繞柵極 (gate-all-around、簡稱GAA)」技術，是決定半導體處理能力在1年半～2年是否倍增的重要技術。
三星企圖彎道超車，率先於3奈米晶片採用，是首家從傳統FinFET轉換的業者，然而良率穩定度不佳，客戶並未買單，也讓台積電3奈米底氣十足；這也進一步顯示，從2D走向3D的晶片設計，GAA電晶體架構難度陡升。
　除外，英特爾追趕腳步也加快，據規劃，今年上半年Intel 20A、下半年 Intel 18A都將推出；不過外界預估，Intel 20A僅供英特爾自家產品使用，不會主動提供IFS客戶。因此推斷，英特爾會持續與台積電保持緊密的合作關係。
　台積電基於穩健考量，於相同的製程技術與製造流程下，不用變動太多的生產工具，能有較具優勢的成本結構；對客戶而言，在先進製程的開發中，變更設計，都會是龐大的時間和經濟成本。
　供應鏈表示，台積電2奈米於去年底確定各式參數，特化氣體、設備等供應商也大致確認，並逐步展開簽約，今年4月將開始於寶山P1廠裝機。相關設備業者透露，台積電製程推進如預期快速進行，推測寶山P2也會在今年有消息。
　3奈米以下先進製程，未來也需要具備先進封裝的chiplet概念、成為必要的解決方案。供應鏈更指出，台積電正採取革命性方法來建立智慧SoIC和先進封裝 (InFO/CoWoS) 整合型智慧工廠；其中，將配備獨特的內部開發製造系統-「SiView Plus」的混合前端矽（SiView）和封裝（AsmView）系統，一併整合先進製程、先進封裝，為客戶提供最佳服務。