報導記者／涂志豪

台北報導
晶圓代工大廠聯電（2303）日前宣布，推出40奈米結合美商超捷（Silicon Storage Technology，SST）嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40奈米SST嵌入式快閃記憶體，較量產的55奈米單元尺寸減少20％以上，並使整體記憶體面積縮小了20～30％。東芝電子元件暨存儲產品公司已開始評估其微處理器（MCU）晶片於聯電40奈米SST技術平台的適用性。
東芝電子元件暨存儲產品公司混合信號晶片部門副總經理松井俊也表示，預期採用聯電40奈米SST嵌入式快閃記憶體技術，有助於提升東芝MCU產品的性能。與聯電合作，透過穩定的製造供應，及配合東芝的生產需求提供靈活的產能，將能夠保持強勁的業務連續性計劃（BCP）。
聯電表示，已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產，包含了SIM卡、金融交易、汽車電子、物聯網、MCU及其他應用產品。
聯電特殊技術組織協理丁文琪表示，自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來，一直受到客戶的高度關注，藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性，可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。聯電正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平台，期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。
聯電分離式閘極記憶體單元SST製程，依據JEDEC所制定的規範標準，具100K耐久性和在攝氏85度、及工作溫度範圍為攝氏零下40度到125度的寬溫溫度下，數據可保存10年以上。除40奈米 SST製程外，還有20多家客戶使用聯電的55奈米SST技術生產各類應用產品。
聯電已公告11月合併營收月減12.0％達121.55億元，較去年同期下滑5.9％，累計今年前11個月合併營收達1386.17億元，為歷年同期新高，較去年同期成長2.4％。聯電預期第四季營運狀況將會下滑，主要原因來自於年底典型的季節性調整。此外，並觀察到28奈米高介電金屬閘極（HKMG）的需求將趨緩。