營收5.97億元、稅後淨利2.93億元，攀史上高峰，未來營收可望逐季創高 台北報導嵌入式非揮發性記憶體矽智財（eNVM IP）廠力旺（3529）公告第一季合併營收5.97億元，歸屬母公司稅後淨利2.93億元，季度營收及獲利同步創下歷史新高，每股淨利3.93元優於預期。力旺今年營運展望樂觀，5G智慧型手機出貨暢旺，加上晶圓代工廠漲價效益，全年營收及獲利將再創新高紀錄。晶圓代工廠去年下半年產能吃緊，已針對急單及新增訂單漲價，加上蘋果iPhone 12系列推出後銷售成績優於預期，相關晶片供應商出貨強勁，推升力旺第一季合併營收季增20.1％達5.97億元，較去年同期成長43.9％，創下季度營收歷史新高。力旺第一季營運成本獲得明顯控制，營業利益率季增9.2個百分點達56.6％，與去年同期相較提升9.9個百分點，歸屬母公司稅後淨利2.93億元，較去年第四季成長51.8％，與去年同期相較成長65.5％，創下季度獲利歷史新高，每股淨利3.93元優於預期。雖然每年第二季是力旺營運淡季，但去年第四季及今年第一季的各家晶圓代工廠的平均出貨價格止跌回升，且產能利用率維持滿載，法人看好力旺第二季營收將略優於第一季，可望續創季度營收歷史新高，營運表現淡季轉旺。下半年旺季效應到來，營收表現還會逐季創下新高到年底。力旺對今年營運抱持樂觀看法，三大動能將推升今年營收及獲利大躍進。新款5G智慧型手機與前一代4G手機相較，電源管理IC及射頻IC搭載數量增加，OLED面板驅動IC滲透率提升。力旺IP已經順利打進5G手機電源管理IC及OLED面板驅動IC等配套晶片供應鏈，隨著5G智慧型手機出貨逐季放量，將帶來明顯權利金貢獻。再者，力旺多數IP收費以晶圓價格為基礎，然而自去年下半年開始，晶圓代工產能供不應求，價格已順利調漲，今年上半年除了台積電未漲價，包括聯電、中芯等已漲價約10～30％幅度，且新晶片採用的力旺新技術IP價格是舊技術IP的數倍，所以在計價基礎及平均價格同步提高情況下，營收及獲利將加速成長。力旺亦看好物聯網及5G應用普及後，對資料安全的重視將更為顯著，而力旺去年推出PUF安全處理器相關IP，在今年大量應用在5G終端裝置、資料中心、物聯網等市場，下半年將帶來新的成長動能。而力旺與Arm及RISC-V兩大處理器核心供應鏈擴大合作範圍，PUF相關業務下半年認列權利金，為營運再添新成長動能。

／台北報導 DRAM大廠南亞科（2408）加快跨入10奈米先進DRAM製程，第一代10奈米1A製程已完成裝機並試產8Gb DDR4，第二代10奈米1B製程開發功能性驗證晶片已完成試產，加上宣布將在新北市泰山區南林園區興建新12吋DRAM廠，因此南亞科提高今年資本支出至156億元，與去年約85億元相較大幅增加84％。南亞科第一季合併營收達177.31億元，稅後淨利季增逾1.9倍達27.05億元，較去年同期成長40.3％，每股淨利0.88元。由於第二季DRAM市場供不應求，現貨價及合約價同步調漲，法人預期南亞科第二季合併營收可望挑戰200億元大關，改寫季度營收歷史新高。南亞科不評論法人預估財務數字。南亞科積極布局自主技術開發，第一代10奈米製程去年已完成試產線裝機，並配合第一顆8Gb DDR4設計完成及進入試產階段，今年將繼續致力於產品試產及良率提升，8Gb DDR4下半年開始客戶送樣認證及小量生產，第二顆為下世代DDR5正在設計開發，預計今年下半年開始試產。南亞科第二代10奈米級製程技術開發功能性驗證晶片已完成試製，今年也將同步加速技術及產品的開發時程，預計第三季開始試產首顆產品。南亞科今年仍將持續優化20奈米產品組合，除了增加DDR4 3200Mbps最高規格產品在伺服器及PC OEM廠的認證以提升銷售量外，也將加速20奈米低功率產品推廣，目標市場包括可攜式產品、汽車及工業等應用，可以有效提高產品價值及銷售彈性。南亞科為了滿足市場要求及長遠發展，已宣布將在南林科技園區中興建新的廠房以持續導入先進製程及產品，並擴充產能，新廠總月產能預估達4.5萬片，第一期工程預計年底動土，目標於2023年底前完工並開始裝機量產，總投資金額達新台幣3,000億元。總體來看，南亞科為了因應10奈米製程技術的量產，以及新12吋DRAM廠廠房興建及一般部門資本支出，預期全年資本支出將以新台幣156億元為上限。

總經理呂紹萍：首季每股淨利2.68元，將續擴增車用CIS封測產能 台北報導CMOS影像感測器（CIS）封測廠同欣電（6271）23日召開法人說明會，總經理呂紹萍表示，CIS封測營運維持高檔，隨著陶瓷基板及射頻（RF）模組需求回升，第二季營收可望季增個位數百分比續創新高，陶瓷基板價格改善亦可望帶動毛利率回升。同欣電看好今年車用CIS市場成長動能，今年大多數設備支出都將用於擴增車用CIS封測產能。同欣電第一季合併營收31.41億元，歸屬母公司稅後淨利達4.79億元，每股淨利2.68元優於預期。同欣電第一季四大產品線營收來看，影像產品業績季減5.1％達16.56億元，年增率達1.34倍；陶瓷基板季增10.5％達7.37億元，年增率達30.9％；混合模組季減8.7％達5.83億元，年增率達26.6％；RF模組季減26.9％達1.21億元表現較弱，年減率達32.0％。呂紹萍表示，影像產品的CIS晶圓重組（RW）產能無虞，端看客戶提供的晶圓量而定，同欣電併購勝麗後，勝麗新竹廠組裝需求有所成長。混合模組除了季節性因素外，主因超音波感測頭客戶去年第四季下單較多，今年首季訂單恢復去年初狀況。同欣電第一季RF模組營收明顯下滑，主要是客戶受晶片供不應求影響，目前狀況已解決，第二季營收可望回升。陶瓷基板需求自去年第四季起持續回升，受惠電動車的車用LED頭燈、植物照明等新應用需求提升帶動，熱電轉換器需求成長加快，先前需求稍緩的高功率模組亦逐步回溫。呂紹萍指出，陶瓷基板近4～5年需求持續下滑、面臨價格壓力，同欣電因此封存部分設備。隨著需求回升，客戶有要求重啟增加產能，同欣電已向客戶反應以目前價格將無法支撐，敲定本季將調整價格，若要求增產會爭取較合理報價，預期將有助同欣電營運表現。同欣電八德新廠目前預期明年首季末完工，考量設備遷入及客戶驗證時程，預期到明年底才會正式投產並開始貢獻營收。呂紹萍表示，已確定會將混合模組及RF模組生產線轉移至八德廠，原勝麗的新竹廠若空間不足，亦可能新增車用CIS後段封測產能。

需求遠超乎預期，調幅至少兩成以上，業績大進補 台北報導NAND Flash控制IC廠群聯（8299）宣布，因應半導體製造成本大幅提升，公司將全面調漲NAND Flash控制IC及模組訂單價格，且以八吋晶圓投片的漲價幅度最高。法人預期，群聯產品調幅至少在兩成以上，對於公司後續業績可望帶來明顯增幅。群聯股價23日攻上漲停、收561元，成交量由前一日的7,179張放大至11,516張。晶圓代工、封測等半導體製造供應鏈報價大漲，連帶讓IC設計廠投片成本大增，為了轉嫁明顯增加成本，群聯23日對客戶發出漲價信函當中指出，近期整體半導體供應鏈需求強勁造成各種原物料供不應求價格上漲，上下游供應鏈包括晶圓廠與封測廠等產能滿載，並持續取消折讓或漲價。群聯表示，且各類型控制IC需求遠超乎預期、再加上群聯持續增加研發先進控制IC投資以滿足全球夥伴與客戶新技術的需求，經審慎考慮整體營運狀況並為確保長期穩定供給夥伴與客戶之需求，本公司決定依照各產品線的供需狀況進行產品價格調整。針對漲價計畫，群聯指出，產品線包含公司旗下全系列NAND Flash控制IC及記憶體模組，漲價幅度部分，各產品線幅度不一，不過電源管理IC或其他使用八吋晶圓廠製程之產品，漲價幅度將較高，且自23日起開始生效新價格，在此之前已接單但尚未交付完的訂單，將個案討論漲價幅度。群聯表示，已經竭盡所能吸收供應鏈漲價對所有客戶的影響，然而為確保後續供應充足，接受各半導體晶圓廠封裝廠與各項原物料價格上漲已是難免，請貴客戶提早預估年度需求以確保供應無虞。群聯3月合併營收為51.73億元、月成長41.5％，創下單月歷史次高，累計2021年第一季合併營收達128.88億元、年增0.2％。法人推估，群聯本次漲價幅度至少兩成以上，部分原先較低單價產品漲價幅度甚至已經達到五成，由於群聯2021年以來已二度調漲報價，預期第二季營收可望挑戰歷史新高。

台灣半導體優勢得來不易，政府、社會及台積電都要努力守住台北報導台積電創辦人張忠謀21日表示，半導體是台灣第一個在世界競爭裡得到相當優勢的行業，這優勢得來不易，守住也不易，因此他呼籲政府、社會、及台積電都要努力守住，而且「要找到下一個護國神山很難」。再者，張忠謀認為，中國現在還不是對手，半導體製造落後台積電五年以上，三星則成為台積電的強勁對手。陸半導體製造 落後五年以上張忠謀表示，尋找台灣下一個護國神山並不容易，假如護國神山的定義包括了對全世界重要、且又有高市場占有率的行業，其次是要有創新產品或商業模式，以及多年經營及努力，現在要在台灣找到能滿足這些條件的下一個護國神山確實很難。對張忠謀的說法，經濟部回應表示，半導體產業成果，的確是長期努力的成果，包括台灣整體環境、技術、人才及水電等支持下，業者與政府共同努力，鞏固並深化台灣在全球半導體版圖關鍵地位，未來政府仍會持續與產業緊密合作，維持台灣半導體產業技術優勢及國際競爭力。經部：發展特色護國群山經濟部也認為，「護國群山」不必每座都像玉山是最高峰，而是各有特色與優勢，讓台灣成為國際供應鏈不可或缺的關鍵一員，因此政府要切入5G、電動車、AI等各項新興產業應用發展，鼓勵並支持產業技術不斷創新，帶動相關產業鏈蓬勃發展。張忠謀說，從飛彈導航相關的國防、工商業都應用到的電腦、到日常生活的手機等，都需要半導體，尤其疫情加速全球數位轉型，更凸顯半導體的重要性。目前在已開發世界約25億人口，幾乎每個人生活或工作上都會用到台積電製造的半導體產品。對於晶圓製造地緣政治的競爭，張忠謀表示，中國經過過去20年政府數百億美元補貼後，半導體製造仍落後台積電5年以上，邏輯半導體設計落後美國及台灣1～2年，所以中國現在還不是對手。但反觀三星，因韓國在晶圓製造方面優勢與台灣相近，使三星成為台積電的強勁對手。張忠謀表示，要成為世界企業，專業經理人是比較好的模式。台積電的成功是12萬台積電之前與現在員工的努力，30多年下來，政府與社會的支持也是，希望各界繼續支持台積電在台灣。雖然台積電已宣布赴美設廠，美國總統拜登也強調美國製造優先政策，但張忠謀表示，美國製造業幾十年前就不紅了，因此有相當多人投入研發、金融業、創投或是行銷等領域，這些都比製造業吃香，再加上美國的工程師敬業程度不如台灣，言下之意對台灣的製造業充滿信心。張忠謀表示，台灣在晶圓製造具有三大競爭優勢。一是在人才面，台灣擁有大量優秀敬業的工程師，這是美國比不上的，還有技工、作業員都願意投入晶圓製造。二是經理人都是台灣人，在台灣一流，不過去國外就未必是一流。三是高鐵與高速公路交通方便，適合大規模製造業的人員調動，像台積電在竹科、中科、南科的三個製造中心，逾千名工程師都不必搬家就可北中南展開調動。而這些優勢正是打造台積電成為護國神山的必要條件。

規劃建置極紫外光（EUV）微影生產線，預估2024年開始第一階段量產。台北報導DRAM廠南亞科董事長吳嘉昭與新北市市長侯友宜20日共同宣布，南亞科規劃於新北市泰山區南林科技園區，投資興建一座雙層無塵室12吋DRAM廠，總投資金額達新台幣3,000億元。此座廠房將採用南亞科自主研發10奈米製程技術生產DRAM，同時規劃建置極紫外光（EUV）微影生產技術。台塑集團總裁王文淵及經濟部工業局局長呂正華到場力挺，說明台塑集團及政府全力支持新DRAM廠投資計畫。南亞科新廠月產能預估將達4.5萬片，總投資金額達新台幣3,000億元，預期可直接提供2,000個優質工作機會，並間接創造產業鏈數千個就業機會。新DRAM廠預估以7年分三階段完成投資，第一階段將建置月產能1.5萬片生產線並導入第二代10奈米製程量產DDR5或LPDDR5，預計2021年底動工，2023年底完工，2024年開始第一階段量產。吳嘉昭表示，DRAM是所有電子產品智慧化的關鍵元件，是半導體產業極為重要的一環。因應全球記憶體市場成長趨勢，此次南亞科投資興建先進晶圓廠，提升國際競爭力，台塑企業將全力支持，以具體行動增加高經濟產值與優質工作機會。同時，南亞科長期經營穩健且財務健全，已實現DRAM技術自主里程碑，未來將持續創新研發，以邁向企業永續為目標。南亞科總經理李培瑛表示，這是南亞科4年多來再度展開新廠投資計畫，南亞科在全球DRAM市場占有率約3％，建新廠並不是為了擴大市占率，主要是希望能提升競爭力，縮小與競爭同業的差距，同時也是基於公司長遠發展需求李培瑛表示，DRAM應用相當多元，包括5G、人工智慧（AI）、自駕車與雲端等，DRAM市場需求每年穩定成長約15～20％，相關DRAM廠也都理性擴產，對南亞科來說，既有廠房空間已經不足，因此決定興建新12吋晶圓廠，量產第一階段將建立月產能1.5萬片生產線，並導入自主研發第二代10奈米製程，至於EUV技術開發將在第三代10奈米製程啟動。

台北報導聯發科持續衝刺特殊應用晶片（ASIC）市場，目前已經順利攻入Google、亞馬遜等供應鏈，拿下Google新一代張力處理器（TPU）大單。供應鏈傳出，聯發科將以台積電7奈米製程搭配愛普DRAM及晶圓堆疊（WoW）封裝VHM技術在第四季開始擴大量產，替聯發科ASIC業務挹注業績成長。供應鏈傳出，聯發科成功拿下Google新一代TPU大單，且將在台積電7奈米製程投片量產，預計將在第四季開始放量生產，並開始挹注業績，本次特別之處在於聯發科TPU將結合愛普DRAM及晶圓堆疊（WoW）封裝VHM技術，藉由DRAM取代CoWoS架構的SRAM及高頻寬記憶體（HBM），除了能藉此降低功耗，並大幅提升運算能力。據了解，目前台積電的WoW晶圓製造能力已經達到3D系統整合單晶片（SoIC）封裝能力，過去在WoW晶圓製造大多應用在Sony的CIS晶片，除了聯發科本次的Google TPU訂單之外，另外將會應用在超微的伺服器CPU技術當中。事實上，聯發科在ASIC市場表現正逐步向上成長，除了Google之外，在亞馬遜、思科等科技大廠亦成功搶下ASIC訂單，卡位進入資料中心、伺服器供應鏈當中，藉此挹注高毛利業績成長，且隨著後續5G加上人工智慧（AI）帶起的高速運算需求，資料中心、伺服器市場將更加廣大，聯發科出貨動能及接單客戶將有望再度提升，推動營運向上衝刺。法人指出，聯發科ASIC業務自2018年起開始以伺服器Serdes晶片打入思科後，後續便順利搶下Google、亞馬遜等大客戶的多個專案，且當前更有新美系客戶與聯發科洽談新專案當中，最快有機會在2022年開花結果。聯發科預計將在28日舉行季度法說會。法人看好，隨著聯發科第一季合併營收創下新高之後，單季獲利亦有望同創新高水準，在第二季工作天數恢復正常後，預期單季合併營收將可望穩居千億元關卡之上，且將挑戰改寫歷史新高。

今與新北市長共同宣布，將導入10奈米先進製程 台北報導DRAM廠南亞科董事長吳嘉昭與新北市市長侯友宜將於20日共同宣布規模高達千億元的新投資案。據設備業者消息，南亞科將在新北市泰山區興建新的12吋DRAM廠，地點就選在南亞科泰山區12吋廠旁的大眾電腦用地，而台塑集團已同意南亞科新廠投資案。業界預估，新廠若計畫建置3萬片月產能，並導入南亞科自行研發的10奈米世代先進DRAM製程量產，總投資金額將超過新台幣1,000億元。由於DRAM市場供不應求且價格看漲，南亞科第一季合併營收季增20.0％達177.31億元，較去年同期成長23.0％，平均毛利率季增7.1個百分點達29.1％，營業利益季增逾1.3倍達30.27億元，較去年同期成長65.2％，稅後淨利季增逾1.9倍達27.05億元，較去年同期成長40.3％，每股淨利0.88元，而第一季底每股淨值已達51.0元。南亞科認為，DRAM是邁向智慧世代的關鍵元件，智慧型手機、伺服器及資料中心是目前最大應用區塊，未來隨著5G及人工智慧（AI）的發展，及各種消費型智慧電子產品的發展，將持續帶動DRAM應用的多元化，以及增加DRAM使用量。南亞科成功開發10奈米級DRAM製程技術，將可微縮至少三個世代，並用以發展DDR5及LPDDR5等下世代產品。由於DRAM業界普遍預期，供不應求市況會延續到2022年，南亞科現有產能全線滿載，第二季位元出貨與第一季持平，但價格預估會有明顯上漲幅度。南亞科自行開發的10奈米製程亦有不錯進展，第一代的10奈米級製程產品8Gb DDR4將於今年下半年開始送樣客戶，第二代10奈米級製程技術預計第三季導入試產，下世代DDR5預計今年下半年開始試產。南亞科現有產能轉換成10奈米世代製程量產將造成產能自然的減損，而且未來DRAM先進製程將導入極紫外光（EUV）微影技術，南亞科因此計畫投資新12吋DRAM廠，除了導入10奈米製程量產DDR5以及LPDDR5等新一代產品，也將成為南亞科建置EUV技術DRAM生產線的重要據點。南亞科將在新北市泰山區的現有晶圓廠旁再興建新廠，用地取得已獲得台塑集團支持，地點就選在南亞科泰山區12吋廠旁的大眾電腦用地。設備業者評估，南亞科新廠若要達到每月3萬片產能的經濟規模，且導入10奈米先進DRAM製程，預估總投資金額將超過新台幣1,000億元。南亞科表示投資細節將在20日由董事長吳嘉昭及新北市市長侯友宜共同宣布。

總報廢片數量不到1萬片，法人預估受損金額約14億元 台北報導由於南科當地企業承包商施工不慎挖斷電纜線，造成晶圓代工龍頭台積電（2330）的Fab 14B廠P7廠區發生跳電，雖然不斷電系統順利接上電力供給，但據設備業者消息，因當天停電時間長達8小時左右，因此16奈米有近千片晶圓報廢，40／45奈米也有數千片晶圓報廢，總報廢片數量不到1萬片，但其餘生產中且未報廢晶圓仍有良率偏低問題，法人預估受損金額約14億元。台積電位於南科Fab 14B廠P7廠區14日傳出跳電事故，經查起因係因為啟碁在進行南科廠建廠工程時，不小心挖斷了台電161KV電纜造成。台積電聲明表示，南科Fab 14廠P7廠區因南科超高壓變電所電纜異常致使廠區停電，廠內同仁無安全疑慮亦無人員疏散，靠柴油發電機復電並與台電合作以全力恢復正常供電。實際影響待恢復正常供電後釐清。根據半導體設備業者透露消息，此次跳電後台電積極搶修，但直至當天晚上7點左右才回復正常供電，停電時間約8小時左右。台積電因不斷電系統順利接上電力供給，所有機台系統都維持供電狀態，沒有造成全面性的停機，但停電時間拉長仍造成影響，其中40／45奈米製程報廢片數高達7,000片，16奈米製程也有近千片報廢，但總報廢片數不到1萬片。設備業者指出，台積電Fab 14B廠P7廠區總產能約4萬片，主要是40／45奈米特殊製程生產線，及少數16／12奈米製程產能，主要是為索尼、豪威、安森美等生產CMOS影像感測器（CIS）或影像訊號處理器（ISP）。根據集邦科技調查，台積電仍在評估需報廢及可重工製造的晶圓數量。據了解該廠區已於4月14日當天晚上7點半完全復電，雖然電路異常期間廠內DUPS（柴油不斷電系統）即時運作，但短暫停電及壓降仍造成部分設備異常當機，依據過往半導體工廠跳電事件經驗判斷，普遍需要2～7天進行設備重新校正。集邦科技指出，受到跳電影響廠區終端產品影響主要為智慧型手機及汽車，首當其衝的產品為40／45奈米製程下的車用微控制器（MCU），以及CIS邏輯層晶片等，車用晶片客戶包含恩智浦及瑞薩。由於車用晶片至今仍嚴重缺貨，台積電跳電意外，集邦認為恐將使車用MCU短缺情形更為嚴重。

台北報導 繼美中歐盟投入半導體研發、晶片製造後，行政院會15日拍板將從製造、人才、技術與資源三方向突圍，穩固國際戰略地位，擴大既有優勢。其中，擴大晶圓製造競爭優勢，將投入270億元，更新竹科第三至五期標準廠房，創造年產值411.82億元；協助廠商提前布局12吋晶圓製造的利基設備，在2030年前，能生產小於1奈米之尺度半導體。確保半導體人才供應，由企業、大學共同設立三至五所半導體研發中心，挑選一至二所大學新設國家重點領域研究學院。此外，推動高雄半導體材料專區，並結合台積電、日月光、華邦、穩懋等半導體廠，2030年建立南部半導體材料S形廊帶。行政院科技會報辦公室產業創新組主任王英裕指出，將協助半導體產業領先全球突破1奈米技術節點，穩固國際戰略地位，尺度半導體是0.1奈米。美中科技戰日趨激烈，大陸投入第三代半導體研發，美國以500億美元扶植晶片製造業，歐盟計畫2030年搶進全球20％的先進晶片生產，穩固台灣在全球半導體產業的戰略地位，行政院會15日核定「美中科技戰下台灣半導體前瞻科研及人才布局」報告，從擴大代工製造競爭優勢、確保半導體人才供應、掌握戰略技術與資源三方向，維持台灣在半導體供應鏈優勢。擴大晶圓製造競爭優勢，行政院科技會報辦公室表示，將持續壯大串聯竹科、中科、南科西部矽谷帶的半導體產業聚落，2021年至2035年投入272.6億元，更新竹科第三至五期9棟標準廠房，整個立體化達到六倍面積，可增加就業人口5,848人，創造年產值411.82億元。確保半導體人才供應，設立三至五所半導體研發中心，一至二所半導體學院，擴增大學重點領域學士班10％、碩博士班15％名額。今年第三季起，每年新增1萬名半導體相關系所人才培育。王英裕指出，半導體研發中心是從企業和科技部合作的研究計畫中，挑選成立研發中心；半導體學院則是由企業和國發基金共同出資成立。