拜登簽署新法案 允許政府補貼業者精簡流程 建廠進度將更順遂
【綜合報導】
美國總統拜登1日簽署一項法案，允許聯邦政府補貼興建的美國半導體廠將可豁免聯邦環評一案，完成立法，台積電亞利桑那州晶圓廠也可望受惠，後續建廠進度將更順遂。

對外電相關報導，至昨日截稿為止，台積電暫時沒有回應。

這項法案由民主黨參議員凱利和共和黨參議員克魯茲共同提案，已獲參眾兩院通過。白宮表示，「將繼續堅守承諾，確保半導體項目的建設和營運符合清潔的水、清潔的空氣、瀕危物種和其他的聯邦要求，並將工人、民眾健康和環境要承擔的風險和影響減至最低」。

若沒有這項新法，2022年晶片與科學法（CHIPS） 補助的項目，可能要依1969年國家環境政策法規定，通過額外環評才能取得設廠許可，已開始動工的項目可能被迫暫停或放緩進度，時程會多延誤幾年。半導體產業協會（SIA）已警告，若沒有這項法案，環評可能拖慢、甚至終止已在建廠中的計畫。

美國商務部已分配350多億美元給26項晶片建廠計畫，其中包括撥款66億美元給台積電以助其擴大在美生產，向南韓三星電子撥款64億美元以擴建德州晶片廠，以及向英特爾和美光分別撥款85億美元和61億美元。

凱利認為，精簡環評過程，是吸引就業回流的關鍵步驟，也能降低美國半導體對中國大陸的依賴。克魯茲說，這項法案能夠避免微晶片製造設施的興建遭受不必要的拖延，提高吸引晶片業在美國設廠的吸引力，創造上千個薪酬優渥的工作，並強化供應鏈。

台積電美國亞利桑那州新廠首座廠區已多次傳出試產進展，新廠4月工程晶圓試產良率外傳比美台灣南科廠。業界看好，台積電美國新廠今年內有機會力拚完成所有量產準備，若一切順利，實際量產時間有望比公司原訂2025年更早。對此，台積電日前重申，專案照計畫進行，並且進展良好。

台積電已於4月證實，美國亞利桑那州首座晶圓廠取得重大進展，進入採用4奈米製程工程晶圓生產（engineering wafer production）階段。

台積電美國新廠首座廠預定2025上半年開始以4奈米製程量產。台積電多次在法說會上強調，相信一旦晶圓廠開始量產，將能在亞利桑那州的每一座晶圓廠提供與台灣晶圓廠相同水準的製造品質和可靠度。

【2024-10-04/經濟日報/A3版/話題】

估訂價可望超過3萬美元；M31、力旺等IP供應鏈沾光
台北報導
　台積電2奈米技術進展順利，新竹寶山新廠2025年量產計畫不變。惟據供應鏈透露，護國神山2奈米晶圓片價格將較4／5奈米翻倍，粗估可望超過3萬美元，顯示其獨供局面，深握訂價權優勢。半導體業者分析，晶圓廠在先進製程投入鉅資，如3奈米研發投資逾40億美元，關鍵供應鏈功不可沒，陪公子練劍終露曙光，台廠矽智財(IP)及相關製程耗材廠，如M31、力旺、中砂、昇陽半等都因營業額攀升受惠。
　先進製程開發成本已見指數型成長，IC設計高層透露，28奈米開發費用約0.5億美元，至16奈米則需要投入1億美元，推進5奈米時費用已高達5.5億美元，其中包括IP授權、軟體驗證、設計架構等環節。代工廠投入更是鉅資，以3奈米製程研發費用來說，研調機構認為需投入40～50億美元，而建構一座3奈米工廠成本至少約花費150億～200億美元。
　供應鏈業者表示，先進製程的投入更是漫長且耗費資源的過程，研發人力、設備、軟體、材料各環節缺一不可，且往往需要7～10年的時間，以2奈米來說，路徑確認於2016年即相當明朗，但直到近期試產時程細節才逐漸明確。
　全新的製程架構，背後涉及龐大的工程，必須由設備、軟體（包含IP、EDA工具）、材料三大業者支持。供應鏈指出，先進製程越往下走，光罩張數及複雜度都顯著升高，良率提升也就越發困難，對所有供應鏈而言都是考驗，不過，一旦通過代工廠驗證，非必要即不會輕易更換供應商。
　台廠跟隨護國神山腳步，克服前期諸多困難，並達到供應鏈本土化要求。伴隨2奈米2025年即將問世，供應鏈業者有望迎來獲利成長爆發；其中，M31之IP研發已切入可支援智慧型手機和高效能運算的2奈米製程平台；力旺也表示正與一線晶圓代工廠合作開發2奈米技術。
　也因為2奈米製程需要將晶圓研磨至更薄化，材料方面則有中砂及昇陽半導體切入鑽石碟、再生晶圓等領域。以再生晶圓而言，2奈米產值約當為28奈米的4.6倍，擋控片進入先進製程後，片數用量也會跟進提升，對業者來說，可望出現量、價齊揚的商業機會。