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　隨著記憶體價格上漲，帶動華邦電（2344）上季轉虧為盈，一舉弭平第一季赤字。展望本季，華邦電看好WiFi升級將帶動第三季DDR4放量出貨，加上NOR價格挑戰持平，對第三季營運展望正向。
　華邦電公布第二季財報，營收214.84億元，季增6.77％、年增14.21％；毛利率33.1％，季增5.46個百分點，年增1.77個百分點；營益率5.41％，稅後純益17.23億元，較上季轉虧為盈，每股稅後純益（EPS）0.41元。累計上半年稅後純益為12.59億元，較去年同期轉盈，EPS 0.3元。
　華邦電2日召開線上法說會，對本季營運不悲觀，管理階層表示，WiFi升級帶動DDR4出貨量，華邦電DDR4晶片自7月開始產出，第三季可望放量生產，期許產業盡快回到2022年第三季水準。
　至於在NOR部分，因大陸供應商轉產能至邏輯晶片，導致NOR產出減少，NOR供需因此趨近平衡，明年有機會挑戰短缺。
　華邦電於法說會召開前夕，下修資本支出，董事會於111年2月通過289.9億元資本支出，其中屬高雄廠生產及研發設備預算為284億元，董事會決議通過修正高雄廠生產及研發設備預算為179.4億元，減少104.6億元。
　華邦電統計，2024年上半年記憶體產品營收在各應用類別占比分別為消費性電子占28％、通訊電子占27％、電腦相關占20％、車用及工業用相關占25％。
　2024年上半年記憶體事業營收為242.31億元，較去年同期增加38％，其中客製化記憶體產品線占2024年上半年營收25％，客製化記憶體20nm相關產品如DDR4及LPDDR4預計於下半年逐步貢獻客製化記憶體產品營收；快閃記憶體產品線（NAND）占2024年上半年營收33％，2024上半年NOR位元出貨量年成長低二十位數百分比。

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　華邦電第二季DDR3新合約價格終於敲定，據法人調查指出，華邦電成功漲價10％，急單及加單另計。
　主要調漲原因是在疫情之後，全球經濟活動回歸正常，記憶體產業已進入新的上升周期，AI、網通需求竄升，DDR3出現供給吃緊，以致於得以調漲DDR3價格。
　華邦電對此一消息表示，該公司不評論價格問題。
　先前市場一度傳出，華邦電擬調漲DDR3二成的幅度，惟法人獲得最新消息指出，華邦電與客戶敲定的最新合約價漲幅是一成，如屬急單及加單另計，整體平均漲幅不會到20％。
　法人認為，華邦電喊漲成功後，客戶會有漲價預期心理，願意提早下單，除有利於華邦電本業外，晶豪科、鈺創等記憶體IC廠商，也將同步沾光。
　法人分析，隨著高階DRAM庫存調整完畢及控制產出下，價格已出現反彈，利基型DRAM市場價格也逐步回升，市場調研機構多預期，記憶體產業在2024年下半年將達到供需平衡。
　法人指出，據調查，華邦電在第一季實際上並未調漲DRAM或NOR報價，以換取出貨量成長。不過，第二季主力DDR3產品，則已確定調漲至雙位數以上漲幅，預期此舉將有利於華邦電獲利的回升。
　華邦電今年營運展望樂觀，法人指出，高階DRAM在庫存調製完畢及控制產出下，價格出現反彈，利基型DRAM市場價格也逐步回升，預期下半年將達到供需平衡。此外，網通、IoT、安防及TV市場可望出現強勁需求，邊緣AI成為未來成長動能。

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　NVIDIA（輝達）2023年主導全球AI晶片發展，2024年全球AI晶片需求將因PC、手機等終端應用擴大而持續引爆，AMD發展AI晶片優於市場預期，MI300產品預期將全球AI商機推向白熱化，但供給關鍵仍在先進封裝產能，AMD將尋求封測廠提供類CoWoS支援，市場看好包括日月光投控（3711）、力成（6239）、京元電（2449）及華邦電（2344）等均將受惠。
　AMD去年底時表示，AI晶片營收今年可達20億美元，且不計入其他HPC（高效能運算）晶片。AMD指出，未來四年AI晶片市場規模年複合成長率達70％，預估2027年將達4,000億美元。
　由於台積電CoWoS產能早已滿載，且今年即使擴產主要保留予輝達，市場法人指出，台積電持續增加CoWoS產能以支應AMD需求，但建立新產線需時六至九個月時間，因此，預期AMD將尋求其他具備類CoWoS封裝能力廠商合作，日月光、Amkor、力成及京元電為首批潛在合作對象。
　台積電將CoWoS部分委外已運作一段時間，主要鎖定小批量、高效能晶片，CoW維持台積電自製，後段WoS則交封測廠，提升生產效率及靈活性，未來3D IC世代也將持續此模式。
　日月光投控、Amkor去年都有承接WoS訂單，日月光強化開發先進封裝技術，已具備CoWoS整套製程的完整解決方案，公司積極吸引客戶並盡力滿足需求，而日月光也表示，看到AI強勁潛力，預期2024年相關營收將翻倍。
　市場法人推估，日月光集團2.5D封裝月產能約有2～2.5仟片，分析師則認為，封測廠將維持interposer（矽中介板）由台積電或聯電提供的商業模式，2024年CoWoS可望放量。
　京元電承接Nvidia AI晶片測試，可望受惠AMD尋求類CoWoS產能，Nvidia目前為京元電第二大客戶。
　京元電在Nvidia A100、H100晶片測試主要是在Final Test（FT），市占率高達7成。
　京元電提供完善的IC預燒（BURN-IN）測試，有自製Burn-in設備且布局十幾年，累積不少專利及技術，展望2024年，CoWoS產能開出，市場看好AI營收占比有望翻倍。
　此外，包括先進封裝設備廠，辛耘、弘塑及萬潤，今年營運也將因先進封裝市場增長帶動，展現另一波成長力道。

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　DRAM市況於第三季復甦，全球產業營收季增18％，第四季因原廠漲價態度明確，第四季合約價漲勢確定，預估仍將上漲13％～18％，惟需求方面回溫程度，則不如過往旺季；整體而言，買方雖有備貨需求，但以目前來說，伺服器領域因庫存水位仍高，拉貨態度仍顯被動，預估第四季DRAM產業出貨成長幅度有限。
　TrendForce表示，第三季三大原廠營收皆有所成長，由於AI話題延燒，對高容量產品需求維持穩定，加上1 alpha nm DDR5量產後，量價齊升，帶動三星第三季DRAM營收季增幅度約15.9％，約52.5億美元。
　SK海力士受惠HBM、DDR5產品需求，出貨量連三季度成長，加上平均銷售單價季增約10％，營收約46.26億美元，季增幅度達34.4％，是原廠中成長最顯著的業者，與三星的市占率差距縮小至不及5個百分點。
　美光平均銷售單價小幅下跌，然因需求回溫，出貨量增加，支撐營收季增幅度約4.2％，達30.75億美元。
　產能規劃方面，三星針對庫存偏高的DDR4產品擴大減產，第四季減產幅度會擴大至30％，且認為旺季須待2024下半年，投片將於2024年第二季開始提升。SK海力士投片則率先於2023年底上升，搭配2024年DDR5滲透率提升，預期總投片量將逐季上升。美光庫存相對健康，2023年第四季投片已開始回升， 2024年投片量估仍會小幅上升，產能重心落在製程轉進。
　台廠方面的南亞科主流DDR3、DDR4產品需求相對疲乏，價格仍呈下滑走勢，限縮其營收漲幅，營收達2.44億美元。
　華邦電則在定價策略上較為積極，為拓展其DDR3業務，去化高雄廠新增產能，議價彈性大，故出貨有所成長，第三季營收上升至1.12億元。
　力積電營收計算為其自身生產的消費性DRAM，不包含DRAM代工業務，受惠現貨價格上漲，使得需求小幅上升，帶動DRAM營收季增4.4％。

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　記憶體大廠減產保價策略奏效，第四季合約價報價優於市場預期，DDR5上漲15～20％，DDR4上漲10～15％，DDR3上漲10％，漲幅優於原先預估的5～10％；NAND每家平均漲至少20～25％，漲幅更大。
　另據了解，第一大原廠三星對DRAM正常報價，但在NAND部分，暫停報價，也不出貨，最新報價仍待觀察。
　台系記憶體製造廠南亞科、華邦電、旺宏，模組廠威剛、十銓、創見、宜鼎、宇瞻、點序、群聯等，有望跟著拉升報價。
　業者分析，記憶體合約價的調漲，主要原因有四：一是反映華為Mate 60新機銷售暢旺，帶動Android手機業者提前推出新機，帶動行動DRAM需求；二是三星（Samsung）控制出貨量，造成PC業者補庫存時長延長。
　三是因應手機需求上修，DRAM業者將2023年第四季到2024年第一季的伺服器DRAM投片，調整至行動及PC DRAM投片，伺服器DRAM的供給壓力緩解；四是網路攝影機、網通等利基型應用業者因應漲價預期，啟動記憶體庫存回補。
　市場法人分析，2023年記憶體大廠紛紛採取減產保價策略，促使記憶體報價止穩反彈，預期隨著各大廠減產幅度收歛、稼動率提升，2024年記憶體產業將走向價量齊揚。
　至第四季，美光（Micron）已將DRAM庫存去化至8周、完成庫存去化，並將DRAM工廠減產幅度，自第三季的31％，收斂至第四季的17％、並預計在2024年第一季至第四季維持減產幅度。
　三星及SK海力士的減產及去庫存時間，皆落後美光一季，預計將減產幅度自第四季的18～40％，收斂至2024年第一季的15～34％、並預計在第二至第四季逐步收斂減產幅度。
　業者認為，考量終端需求預計自第二季起回溫、加上龍頭製造商皆預計維持「以銷定產」的紀律性增產節奏，預估2024年第一季至第四季期間DRAM合約價將維持漲勢。由於庫存仍處15～18周高水準，NAND Flash仍可望持續減產。 市場產業分析師認為，第三季至第四季記憶體模組廠的獲利及評價表現較佳，主要反映模組廠可即時享有庫存利益、而不須負擔產能閒置損失。
　但自2024年第一季起，記憶體製造廠的獲利及評價表現將改善，主要考量製造廠工廠逐步升載下，產能閒置損失的收斂，有望挹注獲利。

三星、SK海力士、美光續減產及力守報價，預期2024年需求位元年增雙位數
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　國際記憶體大廠包括三星、SK海力士、美光等持續減產，TrendForce預估，2024年各廠減產策略仍將持續；惟隨著消費性電子產品需求回升，2024年DRAM、NAND Flash需求位元將年增13％及16％。
　台系記憶體廠如南亞科、旺宏、華邦電、群聯、威剛、宜鼎等，有望同步受惠。
　記憶體族群30日漲勢轉強，旺宏、威剛領漲同族群，漲幅逾7％，群聯、點序、宜鼎及十詮漲幅亦在5％～6％。
　業界人士指出，記憶體第三季合約談判已完成，DDR4合約價季減低個位數，DDR5合約價季增低個位數，而龍頭廠之間無顯著價差。
　主要是龍頭廠的1Ynm以上製程持續處現金流出下，各大廠減產幅度擴大，力守報價，以期營運止血，且積極去化庫存下，庫存水位自6月底的12～14周，進一步去化至9月底的10～12周。
　展望第四季報價，業界人士預估，DRAM合約價將上漲5％，帶動現貨價上漲，且漲勢將延續至2024年。
　NAND部分，因三星先前下令暫停低價報價，中系模組廠也配合三星調漲報價，主流產品512Gb現貨價在8月下旬，已從1.48美元，調升至1.62美元～1.65美元，漲幅約10％，其他大廠紛紛跟進，NAND現貨價格也見到止跌。
　業界人士預期，記憶體廠庫存在2024年第一季，將降至8周以下水準，大廠漲價態度於2023年下半年逐步轉趨明確，預估DRAM及NAND合約價於2024年上半年，全面進入上升周期。
　惟TrendForce預估，2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，加上通用型伺服器的資本支出，仍受到AI伺服器排擠，而顯得相對需求疲弱。
　但有鑑於2023年基期已低，加上部分記憶體產品價格已來到相對低點，預估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13％及16％。
　儘管需求位元有回升，2024年若要有效去化庫存，並回到供需平衡狀態，重點還是仰賴供應商對於產能有所節制，若供應商產能控制得宜，記憶體均價將有機會反彈。

DRAM／Enterprise SSD需求爬升、庫存金額續下降，南亞科、旺宏等營收拚雙位數季增
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　伺服器新平台上市後，將帶動伺服器DRAM／Enterprise SSD需求爬升，搭配傳統消費電子旺季來臨及大廠維持低稼動率，庫存金額持續下降等有利因素，機構法人預估，記憶體族群第三季有雙位數季增機會。
　記憶體產業從去年至今，已度過最激烈的修正期，第二至第三季將持續消化庫存，出貨量回升，有望帶動營運改善。
　記憶體族群12日股價漲勢整齊，法人近五日買盤集中在華邦電、南亞科、鈺創、聯陽、晶豪科、威剛、群聯、廣穎、創見，有千張以上買超。
　其中，南亞科5月營收23.1億元，月增2％，年減少63％，第二季營收達成率65.5％，符合法人預期。
　第二季南亞科利基型記憶體需求小幅回升，反映中國大陸部分消費性電子重啟拉貨，下游廠商擔憂DRAM現貨價於下半年反轉，而提前拉貨，惟PC及手機需求未明顯復甦下，第三季DRAM現貨價將持或微幅上升，合約價回升則待第四季及2024年上半年。
　旺宏5月營收22.8億元，月減24％，年減36％，第二季營收達成率71％，略優於法人預期，5月營收月減24％，主要是因日系ROM（唯讀記憶體）客戶提前備貨，使基期較高，NOR型快閃記憶體拉貨仍處低檔，未見明顯回溫，預估第二季營收季增約中個位數，季增5～7％。
　目前NOR產業仍處於庫存去化階段，PC及手機業務未見回溫跡象，因此多以急單為主，惟NOR／NAND／FBG（foundry business group）業務最壞時刻已過，下半年將逐步復甦。
　群聯5月營收32億元，月減4.9％，年減37％，第二季營收達成長62％，略低於法人預期，反映NAND終端及通路端庫仍處於高檔，使拉貨較DRAM疲弱。
　然而，NAND價格已跌至現金成本以下，5月NAND位元出貨量年成長30％，因工控及車用等高獲利業務比重已達60％，未來亦將持續切入企業及市場。

美發布對陸半導體禁令，國際大廠NOR Flash訂單，Q4起紛由大陸轉移至其他供應商
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　隨著美國發布對中國半導體產業新禁令後，電子產品生產鏈移出中國動態愈趨明確，且中國晶圓代工廠將主流製程優先提供給在地業者，導致當地NOR Flash的實際產出逐步減縮。業者指出，第四季已看到NOR Flash訂單由中國業者移轉到旺宏（2337）及華邦電（2344）的轉單效應，顯示市場景氣谷底已過。
　今年第二季以來NOR Flash市場呈現供給過剩，原因包括消費性電子庫存去化，導致NOR Flash採購量能明顯減少，至於中國當地供應商直至下半年才開始減少對晶圓代工廠投片，並展開殺價搶單動作。因此，旺宏及華邦電雖然主力產品已移轉到車用及工業用領域，但市況不佳仍衝擊出貨，第四季業績明顯走弱。
　華邦電11月合併營收月增4.7％達65.20億元，年減23.8％，前十一個月合併營收880.52億元，年減3.2％。旺宏公告11月合併營收月減25.9％達27.65億元，年減41.6％，前十一個月合併營收年減12.0％達409.05億元。
　雖然第四季受到消費性電子庫存去化加速衝擊，NOR Flash市場供給過剩且價格走跌，但在美國10月初針對中國半導體產業發布新禁令後，市場供需結構出現轉變。據業界消息，原本提供給中國NOR Flash廠商的主流製程晶圓代工產能，因為中國官方政策要求支援關鍵生產鏈需求，因此隨著產能調撥移轉後，NOR Flash實際產出已開始出現減縮。
　再者，美國新禁令加上中國防疫封控政策尚未鬆綁，已造成電子生產鏈移出中國動態日益明確，自然也導致晶片供應鏈的同步外移現象，業界指出，原本國際大廠向中國業者採購的NOR Flash總量已開始下滑，訂單開始移轉至其他供應商，旺宏及華邦電可望受惠轉單效益，顯示營運谷底已過。
　若由市場供需來看，由於主要供應商第四季明顯減產，明年第一季供給量將持續下滑，但包括車用電子、工業自動化、低軌道衛星、資料中心等新應用，對於NOR Flash採用容量仍處於上升階段，且包括手機OLED面板模組及真無線藍牙耳機等NOR Flash最大應用市場需求已有止跌情況，業界目前對明年上半年市況看法，已由保守轉變為審慎。

DDR3 2月合約價漲2～5％，漲勢可延續到下半年，南亞科、華邦電等受惠
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　隨著5G數據機晶片及WiFi 6／6E無線網路晶片供不應求情況逐步獲得紓解，包括WiFi 6／6E路由器及5G用戶終端裝置（CPE）出貨放量，進一步拉動利基型x16規格2Gb及4Gb DDR3需求。在供給吃緊情況下，利基型DDR3的2月合約價提前調漲2～5％幅度，價格漲勢可望維持至下半年。
　隨著韓系DRAM廠已將舊製程DRAM產能移轉生產CMOS影像感測器（CIS），包括南亞科（2408）、華邦電（2344）、晶豪科（3006）、鈺創（5351）等台灣業者已成為全球最主要的利基型DDR3供應商。由於WiFi 6／6E及5G用戶終端仍採用利基型DDR3設計，法人看好台灣DRAM業者營運一路旺到下半年。
　去年下半年電子生產鏈因為長短料問題，導致利基型DRAM合約價出現緩跌走勢，市場原本預期第一季合約價恐續跌5～10％，第二季才會止跌回穩，但因為DRAM廠產能及產品線調配，位元供給量明顯減少，然而WiFi 6／6E路由器及5G用戶終端的長短料問題獲得紓解，特別是WiFi 6／6E無線網路晶片及5G數據機晶片缺貨情況大幅改善，帶動利基型DDR3合約價提前進入上漲循環。
　根據集邦科技及模組廠報價，2月份利基型DRAM合約價較1月上漲2～5％，其中，關鍵的x16規格4Gb DDR3顆粒合約價月漲3.17％達2.60美元，x16規模2Gb DDR3顆粒合約價月漲2.42％達2.33美元，均創下近5個月來新高。業界看好利基型DRAM合約價漲勢可延續到下半年。
　業者分析，三星及SK海力士將舊DRAM製程移轉生產CIS元件，造成DDR3的位元出貨量明顯減少，而業界並無DDR3新增產能開出，南亞科現有產能全滿，新廠產能開出時間落在2024年之後，華邦電高雄廠新增每月1萬片產能要第四季才開始投片，位元出貨明顯提高時間點落在明年第一季。由此來看，DDR3供給吃緊情況應會延續到下半年，價格是易漲難跌。
　由需求面來看，今年因為核心邏輯晶片供貨增加，包括WiFi 6／6E路由器、5G用戶終端等網通裝置，以及工業自動化、安全監控、車用電子等相關應用，去年未能出貨訂單將會在上半年放量出貨，由於這些應用仍採用DDR3記憶體設計，所以DDR3缺貨問題已浮上檯面。法人指出，國際大廠淡出後，台廠已是DDR3主要供應商，隨著訂單大舉湧現，看好南亞科、華邦電、晶豪科、鈺創直接受惠。

需求回升及供應鏈重啟庫存回補，華邦電、晶豪科、鈺創營運可望逐季轉旺

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　韓系DRAM大廠2021年第四季加快將舊製程產能轉移生產CMOS影像感測器（CIS），利基型DRAM位元供給量持續降低，隨著消費性電子生產鏈長短料問題獲得紓解，在需求回升及供應鏈重啟庫存回補情況下，利基型DRAM合約價提前在2021年12月止跌回溫，2022年第一季可望淡季不淡。
　法人看好華邦電（2344）、晶豪科（3006）、鈺創（5351）營運逐季轉旺。
　市調機構集邦科技日前指出，第一季原本就屬消費性電子產品的相對淡季，加上各國陸續解封之下，以電視為首的相關需求仍將維持低迷，恐將導致利基型DRAM需求較為疲軟。至於供應鏈的長短料問題仍在，採購對於相對長料的DRAM備貨意願恐不高。集邦預估2022年第一季利基型DDR4合約價季跌5～10％，利基型DDR3合約價季減3～8％，其中以4Gb走跌幅度較大，而2Gb相對較緩。
　然而以合約價表現來看，2021年第四季受到生產鏈長短料影響，利基型DRAM合約價在10月出現明顯跌勢，11月價格續跌但跌幅縮小，隨著12月中旬過後，標準型DRAM現貨價重拾漲勢，利基型DRAM現貨價止跌回穩，4Gb以下容量利基型DRAM合約價在12月出現持平及小漲，業界對2022年市況看法已明顯轉向樂觀。
　通路業者指出，雖然2021年第四季利基型DRAM合約價跌幅仍達3～8％之間，但12月下旬合約價明顯止跌回溫，4Gb x16 DDR4合約價持平，4Gb及2Gb x16 DDR3合約價小漲近1％，其中原因包括韓系DRAM廠加快CIS產能轉換，利基型DRAM位元出貨量持續減少，生產鏈長短料的負面影響逐步淡化，以及通路手中庫存降低開始回補等。
　業界原本預期2021年第四季到2022年第一季，利基型DRAM會因客戶調節庫存，價格將出現短期小幅修正，要等到第二季後會止跌回升，下半年進入旺季後價格會有續漲力道。然而近期DRAM市場需求弱化情況沒有預期中嚴重，韓國業者加速調整產能，已造成利基型DRAM位元供給增加停滯，加上標準型DRAM現貨價提前反彈帶動，業界預期利基型DRAM價格已提前落底。
　法人看好2022年利基型DRAM價格逐季上漲趨勢，雖然年度漲幅不會像2021年般強勁，但價格在第一季開始止跌反轉向上，將推升華邦電、晶豪科、鈺創等營運進入成長循環，而且2022年全年平均出貨價格（ASP）會高於2021年，年度獲利表現可望再締新猷。