南投報導
董座焦佑鈞看好產業後市 邊緣AI裝置用客製化記憶體2025下半年投產
華邦電董事長焦佑鈞昨（19）日表示，今年算是回復正常經濟模式，第3季通常是高峰，第4季為淡季，明年產業景氣應會隨經濟緩慢成長，且從客戶反饋來看，華邦電明年營運會比今年好很多。
華邦電昨日於南投九族文化村舉辦「2024年零碳家庭日」，超過7,000位員工及家屬參加。焦佑鈞受訪時表示，今年回復正常經濟模式，在正常經濟模式下，第3季通常是高峰，第4季是淡季。
焦佑鈞表示，明年產業景氣應會隨經濟緩慢成長，不過目前是創新驅動時代，觀察台積電表現，有良好創新能力應可以帶動快速成長，尤其是AI技術的發展及其應用，為各行各業帶來許多創新機會。
華邦電切入AI商機，投入邊緣AI裝置用客製化記憶體，已獲得晶創計畫5.5億元補助，並已有十個Design-in專案客戶，部分專案預期2025年下半年小量生產，2026年放量；此外，華邦電子公司新唐投入微型機器學習應用。
針對記憶體後市，華邦電總經理陳沛銘指出，記憶體及整個電子產業第4季都會休息一下，除了現在最紅的AI伺服器外，其他產品市況就會恢復過往第3季最強，第4季休息的情況。
陳沛銘強調，從客戶反饋來看，華邦電明年營運會比今年好很多。比如今年下半年WiFi 7規格轉換延遲，但網通產業已經休息快三年，相信未來一、二年會更好；至於車用市場仍偏保守。
消費性領域產品方面，陳沛銘認為，今年需求表現還算正常。PC今年不錯、明年會更好，主要是因AI PC將在商用市場放量，將是顯著的需求，有望帶動華邦電業務增長。
產能方面，華邦電高雄廠每月規劃1.5萬片，目前投產順利，產能處於滿載狀態。台中廠第4季有調整產能，目前降至八成左右。
【2024-10-20 經濟日報 A3 台股聚焦】

台北報導
　隨著記憶體價格上漲，帶動華邦電（2344）上季轉虧為盈，一舉弭平第一季赤字。展望本季，華邦電看好WiFi升級將帶動第三季DDR4放量出貨，加上NOR價格挑戰持平，對第三季營運展望正向。
　華邦電公布第二季財報，營收214.84億元，季增6.77％、年增14.21％；毛利率33.1％，季增5.46個百分點，年增1.77個百分點；營益率5.41％，稅後純益17.23億元，較上季轉虧為盈，每股稅後純益（EPS）0.41元。累計上半年稅後純益為12.59億元，較去年同期轉盈，EPS 0.3元。
　華邦電2日召開線上法說會，對本季營運不悲觀，管理階層表示，WiFi升級帶動DDR4出貨量，華邦電DDR4晶片自7月開始產出，第三季可望放量生產，期許產業盡快回到2022年第三季水準。
　至於在NOR部分，因大陸供應商轉產能至邏輯晶片，導致NOR產出減少，NOR供需因此趨近平衡，明年有機會挑戰短缺。
　華邦電於法說會召開前夕，下修資本支出，董事會於111年2月通過289.9億元資本支出，其中屬高雄廠生產及研發設備預算為284億元，董事會決議通過修正高雄廠生產及研發設備預算為179.4億元，減少104.6億元。
　華邦電統計，2024年上半年記憶體產品營收在各應用類別占比分別為消費性電子占28％、通訊電子占27％、電腦相關占20％、車用及工業用相關占25％。
　2024年上半年記憶體事業營收為242.31億元，較去年同期增加38％，其中客製化記憶體產品線占2024年上半年營收25％，客製化記憶體20nm相關產品如DDR4及LPDDR4預計於下半年逐步貢獻客製化記憶體產品營收；快閃記憶體產品線（NAND）占2024年上半年營收33％，2024上半年NOR位元出貨量年成長低二十位數百分比。

台北報導
　群創（3481）力拚活化資產，在去年底關閉南科5.5代廠之後，傳出近期敲定將把該座廠房出售給記憶體大廠美光，交易金額大約新台幣180億元。目前已經開始搬遷設備，計畫在7月底清空，把設備搬去三廠，而廠房則是將移交給美光。
　群創對此回應，不對傳言與臆測做任何評論，公司將持續專注本業與轉型發展，以彈性策略規劃，致力優化生產配置及提升整體營運效益，強化集團布局與發展。
　群創賣廠消息一出，21日股價爆量大漲，群創在三大法人聯手買進帶動之下，以漲停價15.6元作收，單日爆出近59萬張的巨量。連同業也受到帶動，其中友達收盤上漲3.86％，以18.85元作收，成交量達33.43萬張；彩晶也同步上漲4.7％，收盤價10.25元。
　群創連續兩年大虧，由於生產線產能利用率調降，而且老舊的生產線已經沒有競爭力，去年以來陸續針對舊的廠房、產線展開調整。一座3.5代線轉做FOPLP面板級封裝，預計在今年下半年出貨。
　至於在去年底停止投片的5.5代廠，其轉型用途一直懸而未決，先前公司僅強調會轉為非顯示器應用，透過舊廠轉型緩和面板競爭壓力。不過昨日傳出正積極擴充HBM產能的美光將買下群創5.5代廠的廠房，快速擴充產能，交易金額大約為180億元。而近期群創已經開始搬遷5.5代廠的設備，把設備先放置在三廠，預定在7月底清空廠房。
　除了陸續關閉、推動在台的前段面板生產線轉型之外，因應前段面板產能縮減，今年群創也宣布關閉了位在南京的面板後段模組廠，該廠以中小尺寸面板應用為主，相關設備集中到寧波廠，也透露不排除出售廠房。

記憶體價格持續向上，伺服器、手機、筆電等相關出貨都成長，下半年業績將逐季好轉
台北報導
　南亞科29日舉行股東常會，董事長吳嘉昭及總經理李培瑛雙雙按讚AI應用，將帶動記憶體容量大增，將帶動產業市況及南亞科業績逐季好轉。
　吳嘉昭在致詞時指出，2023年的DRAM市場，因全球經濟景氣循環、地緣政治、中美貿易衝突等影響，短期間成長受阻，但DRAM是人類進入智慧世代，使所有電子產品智慧化的關鍵零組件，隨著5G及AI的發展，將持續帶動DRAM的增長。
　他預期，2024年DRAM出貨到伺服器、手機與筆電等終端應用市場，都將呈現成長。
　李培瑛在股東會後受訪時則表示，生成式AI帶動高頻寬記憶體（HBM）高速成長，三星、SK海力士及美光三大原廠，集中資源轉進HBM領域，但因HBM良率不高，排擠到一般型DRAM產能。
　因此，在DRAM供給有限，市場需求回溫下，帶動DRAM價格，自2023年第四季起持續往上，記憶體整體產業往正面發展，李培瑛樂觀看待南亞科2024下半年業績將會逐季改善。
　南亞科2024年的重點，是陸續推出以10奈米第二世代（1B）製程技術，量產的三顆新產品，目前正在試產，以擴大產品線、貢獻營收。
■高容量模組 瞄準伺服器需求
　另設計開發中的則有四顆產品，包括16Gb DDR5的微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5及4Gb DDR3，將逐步進入試產。
　此外，2024年南亞科將同步開發矽穿孔（TSV）製程技術，未來結合DDR5微縮版與TSV製程，做成高容量DRAM模組，以供應伺服器市場需求。
　而使用10奈米第三世代（1C）製程技術的第一顆產品16Gb DDR5，預計在2024年底完成設計，2025年初進入試產，南亞科新品將密集上市，迎來AI新商機。
　南亞科另與比利時研發中心（IMEC）合作開發極紫外光（EUV）製程，為更先進的製程預做準備。
　惟4月3日台灣發生七級大地震，扣除保險後，南亞科仍受到晶圓報廢、設備維修及停產等造成額外費用的影響，預期第二季財務績效仍有壓力，本業在第三季較有機會獲利。

台北報導
　晶圓代工廠力積電2日舉辦銅鑼新廠啟用典禮，蔡英文總統也親臨現場，這項總金額超過3,000億元的12吋晶圓廠投資案，已完成首批設備安裝並投入試產，將成為力積電推進製程技術、爭取大型國際客戶訂單的主力平台。另外，力積電也切入CoWoS先進封裝，主要生產矽中介層（Silicon Interposer），預計下半年量產，月產能可達數千片。
力積電董事長黃崇仁表示，銅鑼新廠於2021年3月動土興建，期間經過疫情，耗時三年新廠落成啟用，截至目前此項12吋晶圓廠投資案更已耗資逾800億元，足見半導體新產能的建置，確實擁有極高的時間、技術與資金門檻。幸好該公司快速決策並採取建廠行動，否則近年國際通膨帶動各種原物料成本高漲，這座新廠的建置成本勢必更高。
力積電銅鑼廠區土地面積逾11萬平方米，甫落成啟用的第一期廠房擁有28,000平方米的潔淨室（Clean Room），預計在此新廠建置55、40、28奈米製程月產能5萬片的12吋晶圓生產線，未來隨業務成長該公司仍可在銅鑼廠區興建第二期廠房，繼續將2x奈米技術往前推進。
黃崇仁說，台灣第一座12吋廠是力晶集團蓋的，且到目前為止已蓋8座12吋廠，未來還會再蓋4座，其中有的將採「Fab IP」技術授權模式，例如印度與塔塔集團合作就是此模式，目前沙烏地阿拉伯、越南等國家都有意投資建廠，看好力積電未來Fab IP營運模式。
對於下半年展望，黃崇仁表示，現在的問題是美國、中國經濟表現並不出色，美國僅AI、科技較佳，而中國都不太好，他認為，今年第四季之後，包括手機、PC、NB等AI應用產品有機會加速展開，在AI帶來的爆炸性需求下，預期2025年會是半導體非常好的一年，力積電也已掌握商機。
除此之外，力積電也表示，去年以來CoWoS先進封裝供給持續吃緊，該公司因應國際晶片商客戶需求也投入CoWoS相關業務，主要是提供CoWoS先進封裝所需要的矽中介層（Silicon Interposer），目前已進入驗證階段，預計下半年將進入量產，初期月產能可達數千片。
　由於多家切入CoWoS供應鏈的半導體廠對營運都有拉抬效果，未來對力積電的營運效益將是外界關注重點。

亞太區獲獎紀錄最多研發單位 加上鴻海、台積等共11家入榜 名列全球第三 凸顯台灣雄厚實力
【台北報導】
科睿唯安（Clarivate）昨（15）日頒發「2024全球百大創新機構獎」予台灣11家機構，其中工研院八度獲此殊榮，是台灣獲獎次數最高的機構。也是亞太地區獲獎紀錄最多的研發機構。

此次得獎者除工研院外，還包括鴻海、聯發科、友達光電、台達電、瑞昱半導體、台積電、緯創資通、南亞科技與華邦電子，以及首度入榜的中強光電。此次台灣獲獎家數再度名列全球第三，在上榜率僅萬分之一情形下，能從全球110萬家機構中脫穎而出，足證台灣企業的實力雄厚。

工研院在經濟部支持下，持續提升跨技術領域的研發優勢，成為亞太地區獲獎紀錄最多的研發機構，工研院為我國產業創新注入活水，發揮影響力。工研院院長劉文雄致詞時向與會者發下豪語：「明年再見」。

經濟部長王美花表示，台灣獲獎家數再度名列全球第三，凸顯出台灣創新研發的堅強實力。11家獲獎機構專注投入研發，專利組合涵蓋人工智慧（AI）、數位化及減碳趨勢，這也是政府積極投入科專預算，布局專利的範疇。經濟部將持續推動台灣產業數位化及淨零轉型，擴大綠色科技與AI的應用研發，強化人才培養計畫及創新環境，提升台灣產業全球競爭力。

她指出，今年全球100家獲獎機構絕大多數為企業，在每年非常激烈競爭情況下，全球只有三家研發機構榮登榜單，工研院八度獲獎，是亞太地區獲得最多獎項的研究機構，顯示工研院科研創新能力備受國際肯定，扮演支持台灣產業轉型升級的關鍵角色。

科睿唯安副總裁暨全球智權策略長 Vasheharan Kanesarajah 表示，工研院憑藉獨特的想法和全球影響力，體現卓越的創新精神。在現今快速發展的商業環境中，保有競爭優勢已成為具有挑戰性的任務，工研院不僅回應變化，更積極重新定義並推動其所屬領域、產業乃至更廣泛範疇的革新。

劉文雄強調，智慧財產權攸關各國科技優勢與產業競爭力。

近年來智財經營思維轉變，專利不再只是被動防禦的工具，更成為企業競逐國際市場的核心資產。工研院以2035技術策略與藍圖，聚焦智慧生活、健康樂活、永續環境、韌性社會及智慧化致能技術等領域，積極展開前瞻布局。

【2024-04-16/經濟日報/A11版/產業】

台北報導
　華邦電第二季DDR3新合約價格終於敲定，據法人調查指出，華邦電成功漲價10％，急單及加單另計。
　主要調漲原因是在疫情之後，全球經濟活動回歸正常，記憶體產業已進入新的上升周期，AI、網通需求竄升，DDR3出現供給吃緊，以致於得以調漲DDR3價格。
　華邦電對此一消息表示，該公司不評論價格問題。
　先前市場一度傳出，華邦電擬調漲DDR3二成的幅度，惟法人獲得最新消息指出，華邦電與客戶敲定的最新合約價漲幅是一成，如屬急單及加單另計，整體平均漲幅不會到20％。
　法人認為，華邦電喊漲成功後，客戶會有漲價預期心理，願意提早下單，除有利於華邦電本業外，晶豪科、鈺創等記憶體IC廠商，也將同步沾光。
　法人分析，隨著高階DRAM庫存調整完畢及控制產出下，價格已出現反彈，利基型DRAM市場價格也逐步回升，市場調研機構多預期，記憶體產業在2024年下半年將達到供需平衡。
　法人指出，據調查，華邦電在第一季實際上並未調漲DRAM或NOR報價，以換取出貨量成長。不過，第二季主力DDR3產品，則已確定調漲至雙位數以上漲幅，預期此舉將有利於華邦電獲利的回升。
　華邦電今年營運展望樂觀，法人指出，高階DRAM在庫存調製完畢及控制產出下，價格出現反彈，利基型DRAM市場價格也逐步回升，預期下半年將達到供需平衡。此外，網通、IoT、安防及TV市場可望出現強勁需求，邊緣AI成為未來成長動能。

台北報導
　南亞科總經理李培瑛指出，2024年DRAM需求將逐季好轉，南亞科1B製程技術8Gb DDR4與16Gb DDR5產品將正式導入生產。南亞科以3D堆疊技術開發的高密度RDIMM，也將於2025年上市，目標衝刺雲端伺服器市場。
　李培瑛攜經營團隊於23日舉行新春媒體茶敘，帶來記憶體產業好轉的消息，他指出，AI應用帶動高頻寬記憶體（HBM）需求，加上DDR4轉換DDR5，2024年DRAM市場需求將逐季改善。
　HBM及DDR5將是2024年主要的DRAM成長產品，具有更大的晶片尺寸和消耗更多產能，三星、SK海力士及美光等三大廠產能轉移至DDR5、HBM製造，應該有助於解決DDR4庫存過剩問題，預期2024年記憶體市場將恢復供需平衡。就DRAM價格部分，李培瑛也預期，2024年價格將持續改善，呈現逐季上漲趨勢，第一到第二季上漲機率高，下半年也有上漲機會。
　從應用面來看，AI伺服器在雲端領域掀起需求效應，美國雲端企業的IT支出是觀察重點，而AI PC、AI手機將提升平均DRAM搭載量，消費型市場需求相對健康，2024年有機會穩定成長。
　在新產品部分，南亞科將推出1B製程技術的8Gb DDR4和16Gb DDR5，預期2025年底1B月產能有機會推展到1.6～2萬片。

台北報導
　DRAM市況於第三季復甦，全球產業營收季增18％，第四季因原廠漲價態度明確，第四季合約價漲勢確定，預估仍將上漲13％～18％，惟需求方面回溫程度，則不如過往旺季；整體而言，買方雖有備貨需求，但以目前來說，伺服器領域因庫存水位仍高，拉貨態度仍顯被動，預估第四季DRAM產業出貨成長幅度有限。
　TrendForce表示，第三季三大原廠營收皆有所成長，由於AI話題延燒，對高容量產品需求維持穩定，加上1 alpha nm DDR5量產後，量價齊升，帶動三星第三季DRAM營收季增幅度約15.9％，約52.5億美元。
　SK海力士受惠HBM、DDR5產品需求，出貨量連三季度成長，加上平均銷售單價季增約10％，營收約46.26億美元，季增幅度達34.4％，是原廠中成長最顯著的業者，與三星的市占率差距縮小至不及5個百分點。
　美光平均銷售單價小幅下跌，然因需求回溫，出貨量增加，支撐營收季增幅度約4.2％，達30.75億美元。
　產能規劃方面，三星針對庫存偏高的DDR4產品擴大減產，第四季減產幅度會擴大至30％，且認為旺季須待2024下半年，投片將於2024年第二季開始提升。SK海力士投片則率先於2023年底上升，搭配2024年DDR5滲透率提升，預期總投片量將逐季上升。美光庫存相對健康，2023年第四季投片已開始回升， 2024年投片量估仍會小幅上升，產能重心落在製程轉進。
　台廠方面的南亞科主流DDR3、DDR4產品需求相對疲乏，價格仍呈下滑走勢，限縮其營收漲幅，營收達2.44億美元。
　華邦電則在定價策略上較為積極，為拓展其DDR3業務，去化高雄廠新增產能，議價彈性大，故出貨有所成長，第三季營收上升至1.12億元。
　力積電營收計算為其自身生產的消費性DRAM，不包含DRAM代工業務，受惠現貨價格上漲，使得需求小幅上升，帶動DRAM營收季增4.4％。

台北報導
　記憶體大廠減產保價策略奏效，第四季合約價報價優於市場預期，DDR5上漲15～20％，DDR4上漲10～15％，DDR3上漲10％，漲幅優於原先預估的5～10％；NAND每家平均漲至少20～25％，漲幅更大。
　另據了解，第一大原廠三星對DRAM正常報價，但在NAND部分，暫停報價，也不出貨，最新報價仍待觀察。
　台系記憶體製造廠南亞科、華邦電、旺宏，模組廠威剛、十銓、創見、宜鼎、宇瞻、點序、群聯等，有望跟著拉升報價。
　業者分析，記憶體合約價的調漲，主要原因有四：一是反映華為Mate 60新機銷售暢旺，帶動Android手機業者提前推出新機，帶動行動DRAM需求；二是三星（Samsung）控制出貨量，造成PC業者補庫存時長延長。
　三是因應手機需求上修，DRAM業者將2023年第四季到2024年第一季的伺服器DRAM投片，調整至行動及PC DRAM投片，伺服器DRAM的供給壓力緩解；四是網路攝影機、網通等利基型應用業者因應漲價預期，啟動記憶體庫存回補。
　市場法人分析，2023年記憶體大廠紛紛採取減產保價策略，促使記憶體報價止穩反彈，預期隨著各大廠減產幅度收歛、稼動率提升，2024年記憶體產業將走向價量齊揚。
　至第四季，美光（Micron）已將DRAM庫存去化至8周、完成庫存去化，並將DRAM工廠減產幅度，自第三季的31％，收斂至第四季的17％、並預計在2024年第一季至第四季維持減產幅度。
　三星及SK海力士的減產及去庫存時間，皆落後美光一季，預計將減產幅度自第四季的18～40％，收斂至2024年第一季的15～34％、並預計在第二至第四季逐步收斂減產幅度。
　業者認為，考量終端需求預計自第二季起回溫、加上龍頭製造商皆預計維持「以銷定產」的紀律性增產節奏，預估2024年第一季至第四季期間DRAM合約價將維持漲勢。由於庫存仍處15～18周高水準，NAND Flash仍可望持續減產。 市場產業分析師認為，第三季至第四季記憶體模組廠的獲利及評價表現較佳，主要反映模組廠可即時享有庫存利益、而不須負擔產能閒置損失。
　但自2024年第一季起，記憶體製造廠的獲利及評價表現將改善，主要考量製造廠工廠逐步升載下，產能閒置損失的收斂，有望挹注獲利。