台北報導
　晶圓專工大廠聯電第一季合併營收542.09億元，較去年第四季減少20.1％，表現略低於市場普遍預估的季減17％～19％幅度。法人預期聯電第二季產能利用率觸底，下半年隨著三星LSI等大客戶的28奈米及22奈米訂單回流，以及面板驅動IC、電源管理IC等庫存去化告一段落，營收將明顯回升且優於去年同期。
　聯電3月合併營收月增4.5％達176.89億元，較去年同期減少20.1％。第一季合併營收季減20.1％達542.09億元，較去年同期減少14.5％，主要是受到半導體生產鏈庫存去化影響客戶投片，導致產能利用率降低。
　聯電年初預估第一季晶圓出貨預估季減17％～19％，產能利用率預期降至70％，但晶圓代工價格維持不變。然而聯電3月及第一季合併營收均低於預期，顯示客戶仍在去化庫存階段，雖然近期已有看到部分產品線出現急單，但法人預期第二季晶圓出貨仍位處低檔，尚未見到明顯回升跡象。
　法人預期聯電第一季獲利雖將低於去年同期，第二季仍受到生產鏈庫存去化影響，但透過差異化的產品組合與全球客戶合作，應可度過此次週期性波動，而隨著面板驅動IC、電源管理IC、網路及射頻IC等特殊成熟製程訂單開始回流，下半年可望重拾成長動能。
　法人指出，聯電12吋晶圓代工成熟製程上半年需求較8吋晶圓代工穩定，隨著三星LSI的OLED面板驅動IC及影像訊號處理器（ISP）訂單止跌回升，有助於28奈米及22奈米製程利用率提升，明顯推升聯電下半年營收成長及毛利率表現。

台積電成熟製程明年漲6％；聯電鐵了心不降價

 台北報導
　由於晶圓代工龍頭台積電調漲明年成熟製程價格6％已成定局，晶圓二哥聯電在明年上半年面臨產能利用率鬆動及客戶要求降價壓力下，仍然決定力守價格持平不動，其中原因包括降價並無法刺激客戶增加下單量，以及大客戶三星LSI仍依長約規定增加28奈米及22奈米委外代工訂單。
　台積電在今年5月即通知客戶，明年開始的成熟製程價格將再度調漲，平均漲幅約6％左右。不過，全球通膨導致消費性電子需求疲弱，因終端產品庫存居高不下，下半年相關晶片生產鏈已經開始積極去化庫存，台積電雖然7奈米利用率在第四季開始走弱，但在車用及工控等需求帶動下，成熟製程產能利用率維持高檔且延續到明年，所以漲價決定將不會改變。
　再者，台積電的價格一年調整一次，由於部份成熟製程晶圓代工報價低於同業，所以明年漲價態度強硬，IC設計業者就算面臨供給過剩以及晶片賣價下跌衝擊，也只能接受台積電漲價事實。不過，台積電明年先進製程價格持平不動，並沒有全面調漲情況發生。
　聯電同樣無法避免受到半導體業存貨調整的影響，在客戶端庫存修正及營運進入季節性淡季情況下，預估第四季晶圓出貨將較上季減少10％，晶圓平均出貨價格與上季持平，產能利用率降至90％。因為明年半導體市場前景充滿不確定性，IC設計業者多次喊話要求晶圓代工廠降價共體時艱，但台積電已經鐵了心調漲明年成熟製程價格，聯電亦則對客戶表達明年不會降價，並在不違反長約總投片量情況下可以讓客戶展延投片時間。
　聯電在外資投資論壇指出，這次半導體市場景氣下修是因為生產鏈過高庫存有待去化，而且在終端市場需求低迷之際，庫存消化率（burn rate）明顯過低，所以降價並不會刺激客戶增加投片量，明年上半年雖然會面臨產能利用率下滑壓力，但聯電財務結構健全可以撐過短暫的訂單修正，而且還可以在不增加晶圓產出情況下，讓生產鏈的晶片庫存更快完成去化。
　聯電預期明年不包括記憶體的全球半導體市場及晶圓代工市場等產值都會較今年衰退，但聯電對於明年營運表現優於晶圓代工產業平均水準深具信心。
　設備業者分析其中原因，除了聯電將力守晶圓代工價格持平，大客戶三星LSI仍依循長約規定，增加OLED面板驅動IC、數位訊號處理器（ISP）等28奈米及22奈米下單。

本季產能利用率可望維持高檔，帶動今年業績向上奔馳
台北報導
　晶圓代工廠聯電公告9月合併營收252.19億元，創下單月歷史次高，推動第三季合併營收季增4.6％至753.92億元，再創單季新高。法人預期，第四季產能利用率可望維持高檔水準，業績亦有機會繳出亮眼成績單，推升全年營收年成長逾20％，締造新高紀錄。
☆9月營收創歷史次高
　聯電6日公告9月合併營收252.19億元，雖較8月單月歷史新高小跌0.5％，但仍為單月歷史次高，且較去年同期成長34.5％，使得第三季合併營收達753.92億元、季增4.6％，寫下單季歷史新高。
☆車用、工控市場需求強
　法人指出，雖然進入下半年後，消費性景氣迅速下滑，不過由於車用、工控等市場需求續強，使得聯電產能利用率維持滿載，另外在晶圓平均銷售美元價格較第二季持平情況下，又有新台幣匯率貶值加持，使得聯電在第三季合併營收繳出亮眼成績單。
　對於第四季營運展望，法人認為，應用在車用的驅動IC和電源管理IC，以及工控應用晶片等，在第四季投片量有機會維持強勁水準，因此即便消費性產品需求持續低迷，聯電產能利用依舊有望保持在95％以上，又有新台幣匯率貶值加持，預期聯電第四季合併營收有望保持相對高檔，全年合併營收將達到年成長兩成以上的歷史新高。
☆三大法人同步買超
　觀察聯電股價表現，6日上漲0.65％至38.95元，重新站回月線，創近兩周以來高峰，三大法人一共買超24,918張，單日買超量寫下近一個月以來次高表現。
　即便當前消費性市況不佳，不過聯電在新廠建廠腳步依舊維持相當步調，除了南科Fab 12A廠P5廠區在第二季如期量產之外，同樣在南科12吋廠Fab 12A的P6廠區，加上新加坡12吋廠Fab 12i的P3廠區等28奈米及22奈米擴產計畫仍持續進行當中，顯示聯電持續看好中長期的半導體晶片需求。

台灣IC設計業首家採用Intel 16奈米製程，打造智慧終端產品，最快2023年量產
台北報導
　英特爾、聯發科25日宣佈建立策略合作夥伴關係，聯發科將利用英特爾晶圓代工服務（IFS）的Intel 16製程打造智慧終端產品，這也是聯發科開出台灣IC設計業第一槍，讓英特爾代工量產。
　業界預期，聯發科最快將在2023年端出新品，搶食智慧終端商機。
　英特爾晶圓代工服務再添新客戶，聯發科將會採用Intel 16製程（16奈米）打造智慧終端產品。英特爾指出，雖然公司不能代表特定客戶發言，但這項新合作協議，驗證了IFS的價值主張正在引起共鳴，許多代工客戶正在尋求建立一個更加平衡和有韌性的供應鏈。
　這也是聯發科開出台灣IC設計廠第一槍，宣布英特爾晶圓代工服務投片量產，業界預期，後續將有機會帶動更多台灣IC設計廠加入英特爾晶圓代工服務投片量產的行列。
　據了解，Intel 16為22 FFL奈米製程技術的升級版，英特爾指出，Intel 16是一經過生產驗證的FinFET製程技術，針對一系列行動、運算、消費和汽車應用所需的高效能、低功耗和持續連網的特性進行了最佳化。Intel 16具有16奈米節點的效能，但光罩更少，後端設計規則更簡單，並具有領先業界的射頻和類比能力。
　對於聯發科投片產品何時能夠量產出貨，英特爾表示，公司無法對客戶的產品或時間表相關資訊發表評論。不過Intel 16製程將在2022年就緒、供代工客戶完成設計定案，並在2023年初進行初步量產。
　聯發科在英特爾晶圓代工服務投片量產的智慧終端平台包含了從智慧家居、物聯網等一系列裝置產品。業界預期，聯發科投片新品將可望在2023年量產出貨，聯手英特爾搶食智慧終端商機。
　聯發科強調，公司除在高階製程持續與台積電維持緊密夥伴關係沒有改變外，與英特爾的此合作將有助於提升聯發科技成熟製程的產能供給。聯發科近期在各類產品線的全球市場拓展上取得亮眼的成績，未來將持續服務全球客戶在智慧裝置上的需求，進一步拓展市場。

看好22／28奈米需求前景，今年資本支出預算從30億美元拉升到36億美元

　台北報導

　晶圓代工廠聯電24日宣布，董事會通過在新加坡Fab12i廠區擴建一座全新的先進晶圓廠計畫。新廠第一期的月產能規劃為3萬片12吋晶圓，主要生產製程為22及28奈米，目前預計於2024年底開始量產，因應擴建計畫，聯電在2022年的資本支出預算也從30億美元，拉高到36億美元。

　聯電表示，由於5G、物聯網和車用電子大趨勢的帶動，對聯電22及28奈米製程需求的前景強勁，因此新廠所擴增的產能也簽訂了長期的供貨合約，以確保2024年後對客戶產能的供應。

　聯電指出，期望這座新廠能在滿足這些市場強勁的需求上扮演重要角色，特別是協助紓解22及28奈米晶圓產能結構性的短缺。新廠生產的特殊製程技術，如嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI及混合信號CMOS等，在智慧型手機、智慧家庭設備和電動車等廣泛應用上至為關鍵。

　聯電董事長洪嘉聰表示，新加坡Fab12i廠是聯電的旗艦創新中心，與客戶合作新研發項目並將在新廠上線後立刻投入生產，近期半導體供應短缺已明確點出半導體供應鏈必須提高透明度，共同降低風險。

　此外，聯電在中國蘇州的和艦先前因新冠肺炎疫情影響，造成階段性停工。研調機構集邦科技（Trendforce）指出，該8吋廠約占聯電8吋總產能約25％，占全球8吋產能約3％，階段性停工期間稼動率大致維持在25～30％，產線上晶圓不須報廢。集邦指出，該廠已於24日逐步復工。由於半導體設備重新調校時程約需5～7天，預估整體稼動率完全恢復至滿載的時間將落在3月上旬，預估損失投片約14～20天，影響該公司當季8吋產能約4～5％，全球8吋產能約0.4～0.5％，情況仍屬可控。

明年將建特殊製程12吋晶圓廠，拚2024量產
台北報導
台積電總裁魏哲家14日正式宣布，台積電將會在日本興建特殊製程12吋晶圓廠，提供22奈米及28奈米製程產能，並可望獲得日本政府及日本客戶支持。預估該廠將在2022年開始興建，2024年底進入量產階段，可擴大台積電的全球布局。
魏哲家強調，台積電全球據點擴展決策奠基於客戶需求、商業機會、營運效率和成本考量等因素。在進行盡職調查（due diligence）後，台積電宣布有意在日本建立一座特殊製程晶圓廠，此計畫尚待董事會批准。同時，台積電已收到來自客戶和日本政府對此計畫的強力承諾支持。
台積電財務長黃仁昭表示，台積電雖然計畫赴日本設廠，但包括投資金額、產能規模、合作對象等細節，要等到董事會討論通過後才會對外揭露。再者，台積電以往海外投資建廠是以100％獨資為主，包括美國及中國的投資都是獨資，但並不排除有其它的投資方式，例如與重要客戶合資建廠會是個案（case by case）考量。
日媒先前報導，台積電將與索尼（Sony）等日企合作，在日本熊本縣投資設立12吋晶圓廠，總投資金額約達8,000億日圓，而日本政府最高可能補助總投資金額的一半。亦有報導指出，日本豐田汽車及車電大廠Denso也可能加入成為新廠投資者。
魏哲家表示，台積電在日本投資的晶圓廠，將採用22奈米及28奈米技術進行晶圓製造。預計於2022年開始建造，並於2024年底量產，更多相關細節將在董事會核准後提供。台積電相信，擴大全球製造足跡將能夠滿足客戶需求、接觸全球人才、從投資中獲取適當的報酬、並為股東帶來長期的獲利增長。
不過，日本方面對於台積電赴日投資設廠有不同意見，因為日本政府從來沒有對外國企業給予如此高額補助，而且台積電與日本企業共同合資興建的28奈米特殊製程的投資計畫，與原本設定補助7奈米及更先進製程晶圓廠投資計畫有落差，如何說服日本國民將是新上任日本內閣的另一重要課題。

晶粒面積縮減10％、功率效能比更佳、射頻性能強化
台北報導

晶圓代工二哥聯電（2303）2日表示，在使用USB 2.0測試載具首次並成功通過矽驗證之後，正式宣布更先進的22奈米製程技術就緒，聯電最新的特殊製程提供具競爭性的效能，和從28奈米到22奈米的無縫接軌。
聯電表示，相較於一般的USB 2.0的PHY IP（實體層矽智財），用於驗證的USB測試載具所使用面積為全球最小，實際展現聯電堅實的22奈米製程成熟度。新的晶片設計可使用22奈米設計準則，或遵循28奈米到22奈米的轉換流程（Porting Methodology），無需更改現有的28奈米設計架構，因此客戶可放心使用新的晶片設計，或直接從28奈米移轉到更先進的22奈米製程。
聯電矽智財研發暨設計支援處處長陳元輝表示，聯電致力於提供世界領先的晶圓專工特殊技術，並持續推出新的特殊製程技術，用以服務於5G、物聯網和車用的快速增長晶片市場。聯電為客戶推出極具競爭力的22奈米製程技術，主要提昇性能、面積和易於設計的先進技術。
聯電的22奈米製程與原本的28奈米高介電係數／金屬柵極製程相比，優勢在縮減10％的晶粒面積、擁有更佳的功率效能比，以及強化射頻性能等特點。另外也提供了與28奈米製程技術相容的設計規則和相同的光罩數的22奈米超低功耗（22uLP）版本，以及22奈米超低洩漏（22uLL）版本。
聯電指出，22uLP製程和22uLL製程所形成的超級組合，可支援1.0V至0.6V的電壓，協助客戶在系統單晶片（SoC）設計中同時享有兩種技術的優勢。22奈米製程平台擁有基礎元件IP支援，為市場上各種半導體應用，包括消費性電子的機上盒、數位電視、監視器、電源或漏電敏感的物聯網晶片（附帶藍牙或WiFi），和需要較長電池壽命可穿戴式產品的理想選擇。