【台北訊】
為強化我國半導體產業領先優勢，國科會積極支持半導體科技相關研究，日前成果再傳捷報。國研院半導體中心與台積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月全球頂尖電子元件會議IEDM（International Electron Devices Meeting）中發表，獲選為Highlight Paper，成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術的團隊。半導體中心並將相關技術陸續轉為平台服務，以協助國內產學研界培育下世代記憶體晶片或新一代人工智慧晶片等應用驗證的高階研究人力。

由於STT-MRAM具備高速度、高可靠度、小體積、省電等優點，適合應用於雲端運算與物聯網上進行大量的資料儲存，同時可提升人工智慧運算的學習效率與準確性，為國際半導體產學研重點發展領域。

國研院半導體中心長期透過主導或協助發表國際重點領域的指標性會議論文，與國際發展趨勢接軌，將論文發表的關鍵半導體技術轉化為培育國內碩博士級高階研究人力的服務平台。

國研院半導體中心主任侯拓宏表示，臺灣做為全球半導體晶片製造中心，須及早儲備豐沛的下世代技術開發人才庫，是臺灣半導體產業鏈維持競爭力與價值再升級的關鍵。半導體中心更是國內相關領域的高階碩博士研究人力培育搖籃，透過長年建立的產學合作機制及訓練服務經驗，接軌業界實務研發需求，建立小型多樣化的類晶圓製作到電路的產品雛形驗證平台，並藉此訓練培育實作高階研究人力。每年可提供50餘所大學院校、超過500個教授研究團隊的2,000位碩博士常駐研究與訓練，讓國內高階人才養成能更進一步貼近產業發展需求。（劉靜君）

【2024-03-18/B3版/企業商機】

MRAM、FRAM及RRAM興起，此領域將須整合邏輯製程技術，門檻較高

台北報導
人工智慧（AI）、5G、量子電腦、生物電子醫學等技術已成未來趨勢，工研院電子與光電系統研究所長吳志毅指出，一旦台積電成功跨足磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）、鐵電記憶體（FRAM）及電阻式隨機存取記憶體（RRAM）等新興記憶體領域，將可望比現有記憶體廠商具有優勢。
由工研院主辦的「2020國際超大型積體電路技術研討會」（VLSI）於11日登場，並邀請到台積電、聯發科、IBM、英特爾、輝達、NTT Docomo、加州大學洛杉磯分校及東京大學等國內外大廠及專家學者進行分享。
與會專家看好愈來愈多的裝置如智慧型手機、無人機、監控設備等具備AI人工智慧的邊緣運算能力，搭配5G無線通訊將能夠迅速且即時處理資訊並做出判斷，而這些發展將同步帶動運算和儲存等需求，推升半導體產業下一波的成長契機。
VLSI-TSA主席同時也是工研院電光所所長吳志毅表示，AI人工智慧與5G時代來臨，摩爾定律一再向下的微縮，半導體走向異質整合，不同的技術整合性愈來愈強，能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來扮演更重要角色。
吳志毅指出，新興記憶體如MRAM、FRAM及RRAM等技術的開發興起，這些新型記憶體提供更多的工具來增強記憶體性能，也為下一階段記憶體內運算（CIM）建構基礎。
吳志毅表示，由於新興記憶體技術未來將需要整合邏輯製程技術，因此現有記憶體廠要卡位進入新市場，門檻相對較高，其中台積電因為擁有邏輯製程生產能力，因此若台積電要跨入新興記憶體市場將會具有競爭優勢。
據了解，工研院透過元件創新、材料突破、電路優化等方式，開發出更快、更耐久、更穩定、更低功耗的新世代記憶體技術，投入相關領域開法已經超過十年。吳志毅說，目前與台積電的合作不便透露，但可確定的是未來台積電在新興記憶體發展，工研院將會有所貢獻。