台北報導
　記憶體大廠美光（Micron）今年參加台北國際電腦展（COMPUTEX），資深副總裁暨策略長David Moore以「智匯數據、無所不在」為題發表專題演說，美光總裁暨執行長Sanjay Mehrotra也透過影片說明美光在台灣重要營運進展，而才剛落成啟用的中科廠將會導入最先進的1α奈米DRAM製程及極紫外光（EUV）微影技術。
　David Moore在主題演說中表示，疫情推動全球經濟加速數位化，5G、人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）、物聯網等產業大趨勢，持續改變世界上每個產業，記憶體扮演關鍵角色。美光與台灣業者緊密合作，包括聯發科手機平台導入美光行動式DRAM及儲存裝置、與群聯及超微合作開發PCIe 5固態硬碟（SSD）、與研華共同打造最適合物聯網的DRAM及NAND Flash產品等。
　David Moore亦宣布美光創投將注資第二輪基金2億美元於扶植深度技術（deep tech）領域的新創公司，關注範疇更廣的深度技術創新，同時為為彰顯美光追求多元平等包容（DEI）的承諾，第二階段基金將有20％的投資資本鎖定由女性及其他少數族群所領導的新創公司。
　Sanjay Mehrotra表示，台灣擁有世界上最先進的邏輯和DRAM半導體技術，美光在台灣創建DRAM卓越製造中心，是先進的半導體製造生態系統，並部署導入人工智慧（AI）的自動化智慧製造系統，有助提高營運效率。美光是台灣最大外資企業，美光台中廠是最先進製程的DRAM廠，除了導入1α奈米DRAM製程，EUV技術也會在今年導入，而美光在台灣員工人數已達1萬人，未來還會持續增加工作機會。
　美光已宣布將EUV技術放入DRAM技術藍圖，將由10奈米世代中的1γ（gamma）製程節點開始導入。美光的EUV製程DRAM會先在台灣開始生產，美光台中A3廠是美光首座支援EUV製程DRAM廠，預計2024年進入量產階段，之後再擴大應用到美國、日本等其它地區的DRAM廠。

台北報導

半導體生產鏈全線供給吃緊，記憶體封裝產能第二季下旬已轉為供不應求。美光（Micron）執行長Sanjay Mehrotra在法說會中表示，記憶體強勁需求已造成半導體生態系統中的封裝材料及封裝產能供不應求。由於下半年是記憶體出貨旺季，法人看好力成、南茂、華東、福懋科接單明顯轉強，營運看旺到年底。
Sanjay Mehrotra表示，記憶體封裝材料及封裝產能出現短缺情況，美光上季度封裝產出創下新高紀錄，推升營收同步改寫新猷。由於DRAM及NAND Flash市況看好到明年，為了解決封裝產能不足問題，美光在提升自有產能同時也會擴大委外，特別是馬來西亞因新冠肺炎疫情封城，美光位於馬來西亞麻坡（Muar）封裝廠降載，將提高自有廠生產效率及增加委外代工來滿足客戶強勁需求。
美光將封裝訂單擴大委外，加上記憶體模組廠看好市況積極下單，有助於力成、南茂、華東、福懋科等記憶體封測廠下半年營運表現。法人表示，由於記憶體市況持續好轉，上游原廠透過製程微縮及增加投片量提高DRAM及NAND Flash產能，後段封測廠第二季接單明顯回升，下半年接單量能可望創下新高紀錄，對營收及獲利帶來強勁成長動能。
力成受惠於記憶體及邏輯IC封測接單強勁，5月合併營收68.86億元創下歷史新高，累計前五個月合併營收319.87億元，較去年同期成長0.5％並為歷年同期新高。力成第一季記憶體業務較弱，但第二季明顯回溫，DRAM封測業務未來幾季展望樂觀，已因應客戶需求持續擴充標準型產能，董事長蔡篤恭預期記憶體業務營收可望逐季成長到年底。
南茂5月合併營收23.39億為歷史次高，前五月合併營收110.87億元，較去年同期成長20.1％。南茂董事長鄭世杰認為，5G與車工規的數位轉型帶動半導體需求增加，半導體產能供需失衡，南茂會策略性增加產能，封測代工價格調漲可望提升獲利，並看好DRAM封裝接單成長動能好轉，快閃記憶體封裝接單強勁。

星廠應用先進3D NAND製程技術，推動5G、AI關鍵技術轉型；台中廠拚年底落成
新加坡14日專電
記憶體大廠美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建！美光執行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規畫，並應用先進3D NAND製程技術，進一步推動5G、人工智慧（AI）、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將加碼在台灣DRAM廠投資，台中廠擴建生產線可望在年底前落成。
美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成啟用典禮，共有超過500名客戶及供應商、經銷商、美光團隊成員、在地政府官員等共襄盛舉，而包括系統廠華碩、記憶體模組廠威剛、IC基板廠景碩、記憶體封測廠力成、IC通路商文曄等美光在台合作夥伴高層主管亦親自出席典禮。
美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圓廠區，以及位於新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴建的Fab 10A廠區將根據市場需求的趨勢調整資本支出，預計下半年可開始生產，但在技術及產能轉換調整情況下，Fab 10廠區總產能不變。
美光表示，NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長上的長期投資，擴建的Fab 10A為晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進3D NAND技術先進製程節點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進入量產，第四代128層3D NAND將由浮動閘極（floating gate）轉向替換閘極（replacement gate）過渡，Sanjay Mehrotra強調，美光3D NAND技術和儲存方案是支援長期成長的關鍵，同時進一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。
美光的DRAM布局上，以日本廣島廠為先進製程研發重心，2017年在台灣成立DRAM卓越中心，台灣成為美光最大DRAM生產重鎮。美光近幾年來在台投資規模不斷擴大，台中廠區除了現有12吋廠，也將加快投資進行新廠區擴建，計畫在年底前完成，而台中廠區後段封測廠亦持續擴大產能。
隨著韓國記憶體廠三星及SK海力士開始評估在先進DRAM製程上採用極紫外光（EUV）微影技術，美光也開始評估將EUV技術應用在DRAM生產的成本效益，隨著DRAM製程由1z奈米向1α、1β、1γ奈米技術推進過程，會選擇在合適製程節點採用EUV技術方案。