終端需求慘澹，SK海力士將逆勢調高21nm舊製程產能，價格估續跌15％
台北報導
　SK海力士（SK Hynix）無錫廠受美國商務部管制半導體設備進口衝擊，無法轉進主流製程（1Znm），在終端需求慘澹之下，將逆勢調高21nm舊製程產能，加深消費型DRAM（Consumer DRAM）供給面疑慮，集邦科技（TrendForce）預估，SK海力士的增產行動將衝擊Consumer DRAM價格，本季價格落底無望，恐續跌10～15％。
　美國商務部去年10月7日頒布半導體限制措施，中國境內18nm製程（含）以下設備進口，需經商務部審查，SK海力士無錫廠獲得一年的生產許可，但由於擔憂地緣政治風險升高，加上需求清淡導致庫存壓力持續，於今年第一季開始減產，該廠每月投片量減少約30％。
　TrendForce分析，無錫廠主流製程為1Ynm，原先計畫將產能持續轉進1Znm，並降低舊製程產量，然而，未來製程轉進受限於美禁令影響，故SK海力士決議提升21nm產線比重，該製程主要產品為DDR3、DDR4 4Gb，占SK海力士整體Consumer DRAM出貨不到三成。
　但TrendForce示警，由於SK海力士延長舊製程產線，小容量的Consumer DRAM供給量將會逐漸增加，台系供應鏈包括南亞科（2408）、華邦（2344）以及協助IC設計廠代工的力積電（6770）均供應DDR3 4Gb；DDR4 4Gb目前則以南亞科為主。
　TrendForce從需求面觀察，今年第一季Consumer DRAM需求端來看，因電視庫存去化較早，因此SoC近期訂單小幅增加，需求相對好轉；車用需求雖有一定支撐，但目前市場規模仍小；網通需求能見度仍低，買方普遍保守看待，且認為下半年訂單需求還會降低。TrendForce表示，儘管原廠陸續減產Consumer DRAM，但納入庫存水位計算，整體仍處供過於求，預估第二季均價仍有10～15％跌幅。