先進製程設備廠 商機滾滾
台北報導
　台積電在法說會中，宣布資本支出280～320億美元，並加碼先進製程在台灣的投資金額，半導體設備相關供應鏈廠商，包括家登、漢唐、弘塑、萬潤、志聖、群翊、科嶠等，可望受惠商機滾滾而來。
　台積電2024年資本支出約介於280億～320億美元，雖不若先前金額高，但仍然維持歷史高檔，且投資腳步不停歇，資金八成用在先進製程及光罩，10％用於特殊製程，10％用於先進封裝，未來資本支出有機會維持30％年成長。
　台積電資本支出的亮點，在於後段的先進封裝，市場對於CoWos及SOIC需求強烈。法人預期，先進製程及封測相關設備廠商將最為受惠。
　其中，家登在EUV（極紫外光）光罩盒市占率達約7成，EUV微影技術已成先進製程標配，業內分析，台積電跨入新一製程世代，每片晶圓所採用的EUV光罩層數也越來越多，看好家登受惠程度將持續擴大。
　弘塑為CoWoS相關設備廠商，該公司主要供貨自動濕式清洗機台（Wet Bench）、單晶圓旋轉清洗機（Single Wafer Spin Processor）、複合機台（COMBO），市場法人表示，該公司CoWoS相關訂單，已從2023年第四季開始陸續交機，預計自2024年3月開始入帳，2024年邁入出貨高峰。
　漢唐是半導體相關機電工程廠，該公司近幾年除了在台灣訂單穩健成長，也接獲美國大單，中國大陸、新加坡等仍是漢唐的重要外銷市場，因此，未來若半導體廠在中國大陸擴產受限，該公司外銷也可能受到牽動。
　萬潤表示，該公司看好2.5D封裝是未來趨勢，這幾年來，萬潤耗費大量人力投入2.5D封裝製程設備，甚至進一步投入3D先進封裝，也由於2024年先進封裝需求可望釋出，萬潤預期將是該公司重要營運動能。

創造約2,000名高科技人才需求

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投資挺台又添大咖！全球第四大半導體及第一大記憶體產品封測廠「力成科技」，順應全球半導體供應鏈有重組趨勢，計畫大規模投入逾200億元，在新竹科學園區興建竹科二廠。
投資台灣事務所18日再添八家企業共斥資逾255億元擴大投資台灣，包括台商回台方案的力成科技以及中小企業方案的廣禾科技、瑞峰半導體、阿舍食品、大裕塑膠、三銧企業、均賀科技及亞細亞氣密隔音窗等。
截至目前「投資台灣三大方案」已吸引912家企業超過1兆2,583億元投資，預估創造10萬5,967個本國就業機會，其中「歡迎台商回台投資行動方案」有215家台商投資約8,224億元，創造6萬8,681個就業機會；「中小企業加速投資行動方案」則已吸引594家中小企業投資約2,506億元，帶來2萬3,299個本國就業機會，後續尚有56家企業排隊待審。
經濟部表示，全球第四大半導體、第一大記憶體產品封測廠「力成科技」，在台灣、中國大陸與日本共有20個生產基地，自美中貿易戰、華為禁令開始以來，全球半導體供應鏈有重組趨勢，再加上半導體產業技術世代交替加速，為持續進行新製程及技術之研發，計劃投入逾200億元在新竹科學園區興建竹科二廠，同時在既有的四座生產基地上導入使用先進製程之產線，並積極布局及發展面板級扇出型封裝技術（FOPLP）。
另外，這次投資預計創造約2,000名高科技人才需求，促進台灣地區的就業機會。
瑞峰半導體為專業的先進晶圓級封裝廠，受惠於美中貿易戰，全球供應鏈出現轉變，間接強化台灣半導體產業發展與市場需求，為持續提升核心競爭力與研發關鍵技術，計劃招募本國員工99名，斥資15億元在湖口工業區既有廠區擴充智慧化產線，增加12、6、4吋晶圓級封裝與8吋BGBM產能，供應給亞洲、歐洲、美洲等市場，為台灣半導體產業再添生力軍。

／台北報導

DRAM大廠南亞科（2408）加快跨入10奈米先進DRAM製程，第一代10奈米1A製程已完成裝機並試產8Gb DDR4，第二代10奈米1B製程開發功能性驗證晶片已完成試產，加上宣布將在新北市泰山區南林園區興建新12吋DRAM廠，因此南亞科提高今年資本支出至156億元，與去年約85億元相較大幅增加84％。
南亞科第一季合併營收達177.31億元，稅後淨利季增逾1.9倍達27.05億元，較去年同期成長40.3％，每股淨利0.88元。由於第二季DRAM市場供不應求，現貨價及合約價同步調漲，法人預期南亞科第二季合併營收可望挑戰200億元大關，改寫季度營收歷史新高。南亞科不評論法人預估財務數字。
南亞科積極布局自主技術開發，第一代10奈米製程去年已完成試產線裝機，並配合第一顆8Gb DDR4設計完成及進入試產階段，今年將繼續致力於產品試產及良率提升，8Gb DDR4下半年開始客戶送樣認證及小量生產，第二顆為下世代DDR5正在設計開發，預計今年下半年開始試產。南亞科第二代10奈米級製程技術開發功能性驗證晶片已完成試製，今年也將同步加速技術及產品的開發時程，預計第三季開始試產首顆產品。
南亞科今年仍將持續優化20奈米產品組合，除了增加DDR4 3200Mbps最高規格產品在伺服器及PC OEM廠的認證以提升銷售量外，也將加速20奈米低功率產品推廣，目標市場包括可攜式產品、汽車及工業等應用，可以有效提高產品價值及銷售彈性。
南亞科為了滿足市場要求及長遠發展，已宣布將在南林科技園區中興建新的廠房以持續導入先進製程及產品，並擴充產能，新廠總月產能預估達4.5萬片，第一期工程預計年底動土，目標於2023年底前完工並開始裝機量產，總投資金額達新台幣3,000億元。總體來看，南亞科為了因應10奈米製程技術的量產，以及新12吋DRAM廠廠房興建及一般部門資本支出，預期全年資本支出將以新台幣156億元為上限。

董事會通過286億資本支出預算，明年台灣及廈門廠區產能將雙雙提升
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晶圓專工大廠聯電（2303）16日董事會決議資本預算執行案，核准新台幣286.56億元資本支出預算，將用於產能建置需求。聯電的新產能投資仍以12吋廠為主，包括擴增廈門12吋廠聯芯產能，預計明年中旬可增加6,000片月產能，台灣廠區除了增加新設備投資加快40奈米轉換至28奈米，總體產能也將提高，以因應明年晶圓代工強勁需求。
聯電第四季接單暢旺，預估晶圓出貨量較上季增加1～2％，且部分晶圓代工價格調漲後推升晶圓平均美元價格較上季增加1％，平均毛利率約與上季持平，產能利用率維持在95％水準。法人預估聯電第四季營收將逾460億元續創歷史新高。聯電對明年營運及市場景氣抱持樂觀看法，預期晶圓代工產能供不應求情況將延續到明年中。
由於晶圓代工產能供不應求，聯電董事會10月底決議通過147.93億元資本預算執行案，此次再決議通過286.56億元資本支出預算，都是用於擴充產能，以因應中長期成長及客戶需求。
聯電總經理簡山傑日前表示，聯電已經決定先暫停往14奈米以下製程發展，會以成熟製程和特殊製程為主，後續的擴產方向會以12吋廠的28奈米及22奈米為目標，預計明年中旬廈門廠區會增加6,000片產能，台灣廠區部分則分為兩個布局，一是40奈米轉為28奈米，二是增加機台設備擴產，台灣廠區的產能也會提高。
此外，8吋晶圓代工產能嚴重不足，聯電也直接受惠。聯電認為晶圓代工產業出現結構性變化，過去幾年成熟製程產能增加幅度有限，但先進製程投資金額太高且回收不易，聯電今年已經針對8吋急單與新增投片調漲報價，而明年8吋晶圓代工價格也將調漲，12吋晶圓代工報價則是持穩。
簡山傑表示，聯電啟動三階段轉型，依序是強化財務結構、進行有競爭力的產能擴充、以及以獲利為導向，效果已經慢慢顯現。聯電未來會一年比一年好，明年會比今年好，至於要大幅成長則需要再做規劃。

另將投資近1千億，於美國亞利桑那州設子公司。
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護國神山出手果然不凡。台積電10日董事會通過逾新台幣4,300億元資本預算，改寫新高紀錄；另外，亦核准將投資近新台幣1千億元，於美國亞利桑那州設立百分之百持股子公司。
設備業者表示，台積電一口氣核准逾新台幣4,300億元資本預算，可視為是台積電3奈米及後續2奈米等更先進製程投資案正式啟動。台積電今年資本支出已小幅上調至170億美元，明年將上看180～190億美元。
晶圓代工龍頭台積電10日舉行季度例行性董事會，除了核准第三季盈餘配發2.5元現金股利，並核准151億910萬美元資本預算，約折合新台幣4,306億934萬元，再度改寫國內單一科技公司季度資本支出預算歷史新高，投資項目包括：建置及擴充先進製程產能、建置特殊製程產能、建置及升級先進封裝產能、廠房興建及廠務設施工程及資本化租賃資產、2021年第一季研發資本預算與經常性資本預算等。董事會亦核准1億2,470萬美元資本預算，於中部科學園區建置零廢製造中心。
台積電5奈米已經在Fab 18廠第一期及第二期量產，明年第一季Fab 18廠第三期也將開始量產5奈米，至於Fab 18廠第四期至第六期的3奈米晶圓廠投資案，預期會在明年啟動，並擴大對荷商艾司摩爾（ASML）採用關鍵極紫外光（EUV）微影設備。
台積電已宣布將於2021年起的9年投資120億美元，在亞利桑那州設立月產能2萬片的5奈米晶圓廠。該晶圓廠將於2021年動工，於2024年開始量產。台積電董事會核准於美國亞利桑那州設立百分之百持股子公司，實收資本額為35億美元，約新台幣997億5,000萬元，這將成為台積電成立以來金額最高的海外投資項目。
股利部份，台積電董事會核准由第三季盈餘配發的每股現金股利2.5元，其普通股配息基準日訂定為2021年3月23日，除息交易日則為2021年3月17日，並於2021年4月15日發放。此外，台積電在美國紐約證券交易所上市的美國存託憑證（ADR）除息交易日亦為2021年3月17日與普通股一致。
台積電董事會也核准人事擢升案，包括擢升歐亞業務組織資深處長游秋山為副總經理，擢升本公司品質暨可靠性組織資深處長何軍為副總經理。

SEMI上修明年投資預測，市場轉趨樂觀
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SEMI（國際半導體產業協會）17日公布2019年全球晶圓廠預測報告，經歷上半年衰退態勢後，在下半年因記憶體投資激增所挾帶的優勢，預估2019年全球晶圓廠設備支出將上修至566億美元。報告指出，2018年至2019年，晶圓廠設備投資僅下滑7％，相較於先前所預測降幅18％獲得顯著改善。法人預期，晶圓代工廠及記憶體廠在先進製程投資只增不減，有助漢唐、帆宣、京鼎、弘塑等資本支出概念股表現。
SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，晶圓廠設備支出成長主要來自於先進的邏輯晶片製造與晶圓代工業者，對於記憶體部份，則是來自於3D NAND的投資挹注持續成長。由於2019年下半年主要半導體廠提升資本支出，SEMI同時修正2020年晶圓廠設備投資預測，總金額上修至580億美元，整體市場轉趨樂觀。
SEMI表示，記憶體設備支出力道是扭轉全球晶圓廠設備支出放緩趨勢的關鍵。整體設備支出分別在2018下半年及2019上半年下降10％及12％，其中下滑主因便來自全球記憶體設備支出萎縮。在2019上半年記憶體設備投資下滑幅度達38％，降至100億美元的水平之下；其中又以3D NAND的設備投資下滑幅度最為慘烈，衰退幅度達57％；DRAM的設備投資也在2018下半年及2019上半年分別下滑各12％。
在台積電與英特爾的引領下，先進邏輯晶片製造與晶圓代工業者的投資預計在2019下半年攀升26％，而同一時期3D NAND支出則將大幅成長逾70％。儘管今年上半年對於DRAM的投資仍持續下降，但自7月份以來的下降幅度已較和緩。
報告顯示，2020年上半年受到索尼建廠計畫的帶動，CMOS影像感測器投資預期將成長20％，下半年增幅更將超過90％達16億美元高峰。另外，在英飛凌、意法半導體、博世（Bosch）的投資計畫，電源管理元件的投資預計大幅增長40％以上，下半年將維持成長態勢並再度上升29％，金額上看近17億美元。