／台北報導

DRAM大廠南亞科（2408）加快跨入10奈米先進DRAM製程，第一代10奈米1A製程已完成裝機並試產8Gb DDR4，第二代10奈米1B製程開發功能性驗證晶片已完成試產，加上宣布將在新北市泰山區南林園區興建新12吋DRAM廠，因此南亞科提高今年資本支出至156億元，與去年約85億元相較大幅增加84％。
南亞科第一季合併營收達177.31億元，稅後淨利季增逾1.9倍達27.05億元，較去年同期成長40.3％，每股淨利0.88元。由於第二季DRAM市場供不應求，現貨價及合約價同步調漲，法人預期南亞科第二季合併營收可望挑戰200億元大關，改寫季度營收歷史新高。南亞科不評論法人預估財務數字。
南亞科積極布局自主技術開發，第一代10奈米製程去年已完成試產線裝機，並配合第一顆8Gb DDR4設計完成及進入試產階段，今年將繼續致力於產品試產及良率提升，8Gb DDR4下半年開始客戶送樣認證及小量生產，第二顆為下世代DDR5正在設計開發，預計今年下半年開始試產。南亞科第二代10奈米級製程技術開發功能性驗證晶片已完成試製，今年也將同步加速技術及產品的開發時程，預計第三季開始試產首顆產品。
南亞科今年仍將持續優化20奈米產品組合，除了增加DDR4 3200Mbps最高規格產品在伺服器及PC OEM廠的認證以提升銷售量外，也將加速20奈米低功率產品推廣，目標市場包括可攜式產品、汽車及工業等應用，可以有效提高產品價值及銷售彈性。
南亞科為了滿足市場要求及長遠發展，已宣布將在南林科技園區中興建新的廠房以持續導入先進製程及產品，並擴充產能，新廠總月產能預估達4.5萬片，第一期工程預計年底動土，目標於2023年底前完工並開始裝機量產，總投資金額達新台幣3,000億元。總體來看，南亞科為了因應10奈米製程技術的量產，以及新12吋DRAM廠廠房興建及一般部門資本支出，預期全年資本支出將以新台幣156億元為上限。