報導記者／蘇嘉維

台北報導
　研調機構IC Insights預估，今年半導體產業資本支出可望高達809億美元，創下歷史新高紀錄，年增幅達20％，優於研調機構預期。其中，資本支出成長幅度最高的為DRAM領域，年增幅高達53％。
　IC Insights原先預估，全年半導體產業資本支出為756億美元、年增12％，不過由於記憶體產業紛紛進行擴產及技術設備升級，使IC Insight調高今年資本支出。DRAM大廠SK海力士近期指出，已無法單靠製程升級增加獲利，必須加大產能，因此加碼今年資本支出預算。
　IC Insights表示，雖然DRAM資本支出成為今年半導體產業中的成長王，但Flash領域也不遑多讓，Flash產業今年預估將投入190億美元資本支出，高於DRAM產業的130億美元。Flash產業投入資本支出原因不外乎研發3D NAND Flash製程，記憶體龍頭三星於今年6月量產的平澤廠便是案例之一。
　不過，IC Insight也示警，觀察歷史經驗，全球NAND Flash大廠瘋狂投入資本支出可能將導致產能過剩，進而引發價格崩跌，從目前狀況看來，三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝及武漢新芯等都計畫在未來幾年拉升3D NAND產能，因此未來3D NAND市場可能會出現價格走跌的風險。
　至於晶圓代工仍是半導體產業資本支出冠軍，IC Insights預估，晶圓代工領域今年將投入228億美元、年增幅達4％，占所有領域比重為28％。晶圓代工龍頭台積電的5奈米新廠將於本月在南科動工，總投資金額將高達2,000億元。
　法人表示，半導體產業持續擴張，代表各大廠對後市景氣保持樂觀態度，其中又以DRAM產業成長最為快速，雖然IC Insight認為積極擴產恐導致價格衰退，不過以目前狀況看來，物聯網、汽車及伺服器對於記憶體需求不減反升，因此價格全面衰退與否仍需觀察。