產業新訊

新聞日期:2018/01/03  | 新聞來源:工商時報

福懋科擴產 今年營運唱旺

投資逾22億建置DDR4預燒及晶片封測產能,因應南亞科需求
台北報導
台塑集團旗下記憶體封測廠福懋科(8131)2018年預計投入逾22億元資本支出,將大舉擴建DDR4預燒(burn-in)及晶片封測產能,以因應來自南亞科(2408)20奈米DDR4產能開出後,對後段封測產能的強勁需求。由於2018年DRAM市場位元出貨量持續增加,特別是南亞科成長幅度大,法人看好福懋科2018年營運表現將明顯優於2017年。
福懋科2017年前3季合併營收59.79億元,平均毛利率達15.9%,稅後淨利達到9.97億元,較2016年同期成長33.5%,每股淨利2.25元。隨南亞科20奈米新製程產能在2017年第4季陸續開出,福懋科營收表現也見復甦,法人預估單季合併營收將達19~20億元之間,優於第3季表現,全年每股淨利有機會上看2.8~3.0元之間。福懋科不評論法人預估財務數字。
福懋科在日前召開法人說明會中指出,2017年第4季因歐美聖誕節假期及中國農曆春節等旺季到來,整體記憶體市場熱絡,需求大於供給。對於2018年整體DRAM市場供需狀況仍然健康,主要是三大廠沒有大規模擴廠動作。而隨著記憶體終端應用不斷擴大,預期將為前段DRAM晶圓製造廠及後段封測廠均帶來持續的位元成長動能,而且DDR4可望成為市場主流,福懋科已鎖定爭取行動式、消費性、伺服器等DRAM封測訂單。
法人表示,福懋科主要承接同集團的南亞科DRAM後段封測業務,南亞科2017年第3季加快20奈米DRAM製程微縮,當季底月產出量已逾1萬片,2017年底月產能將拉高至3.8萬片,加上原本採用30奈米的3萬片產能,合計月投片量6.8萬片。在產品線部份,20奈米4Gb DDR3產品已量產出貨,8Gb DDR4產品亦在2017年第4季小量出貨。
南亞科20奈米在2018年將快速進入量產階段,預估全年位元銷售量可望較2017年大增45%,對福懋科接單明顯有利。為了因應南亞科2018年主攻DDR4市場,福懋科將投入逾22億元擴建DDR4預燒及封測產能,有助於營收及獲利重回成長軌道。

新聞日期:2018/01/03  | 新聞來源:工商時報

京元電接單強勁 拉高資本支出

董座李金恭:人工智慧及車用電子前景俏,將帶動營運成長
台北報導
測試大廠京元電(2449)董事長李金恭昨(2)日表示,高階智慧型手機雖成長放緩,但中低階智慧型手機在新興市場仍賣的很好,2018年智慧型手機出貨量仍會優於去年。至於人工智慧、車用電子、物聯網等應用正在快速起飛,京元電在各領域都已完成布局且接單暢旺。整體來看,對2018年半導體市場景氣仍抱持樂觀看法。
李金恭表示,京元電2017年資本支出達42億元,但今年接單情況不錯,董事會決定今年將資本支出提升3成達55億元左右,就是對景氣及接單比去年還有把握。以2018年來看,1月2月雖受中國農曆春節工作天數減少影響,但營收會在3月出現強勁成長,且可延續成長動能到第3季底、第4季初。
李金恭指出,以車用電子來說,電動車及先進駕駛輔助系統(ADAS)會用到很多處理器及感測器,影音系統及安全系統等都會用到更多車用晶片,京元電測試產能準備好了,包括日本及歐洲的國際IDM廠客戶持續擴大委外訂單。再者,人工智慧、物聯網等應用晶片,2018年需求亦看到明顯成長,有助於京元電的營運表現。
法人表示,京元電2017年第4季營收受到淡季效應影響,全年營收表現將年減5%以內,但隨著大陸手機廠的庫存去化將於今年第1季中旬結束,3月後訂單將強勁回流,預期京元電2018年第1季合併營收可望優於2017年第4季,等於第1季沒有淡季效應。
李金恭說,2017年營收表現比2016年差,主要是受到新台幣兌美元匯率大幅升值影響,至於獲利表現不佳則是提列轉投資公司東琳虧損。2018年雖然匯率仍看升,但預期美國第2季及第3季降稅後,美元會轉為強勢。在2018年的外在環境部份,希望政府政策可維持穩定、匯率維持穩定、而且不要缺水缺電,2018年營運表現就會優於去年。
在轉投資部份,京元電的蘇州廠京隆已多年維持獲利,隨著大陸當地銀聯卡及晶片卡的需求明顯跳升,2018年在低容量記憶體封測接單會明顯成長。至於另一家記憶體封測廠東琳2017年虧損,但2018年營運可望明顯回升,全年力拚損益兩平,不會再成為京元電獲利上的負擔。法人表示,京元電2018年營收可望超過2016年續創新高,獲利也將回到相同水準。京元電不評論法人預估的財務數字。

新聞日期:2018/01/02  | 新聞來源:工商時報

陸記憶體布局 三大陣營成形

晉華電子、合肥長鑫、紫光集團搶進,瞄準利基型DRAM及NAND Flash
台北報導

中國半導體發展風起雲湧,在市場、國安等考量下,記憶體成為中國重點發展項目。根據市場研究機構集邦科技最新報告指出,隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域,包含晉華電子、合肥長鑫、紫光集團在內的三大陣營已成形,利基型DRAM及NAND Flash是布局重點。
集邦表示,紫光透過併購或爭取技術母廠授權的策略多失敗收場,但中國大陸積極吸收專業人才,無論是台灣地區的建廠人才,或是日韓的技術人才等,皆為大陸半導體廠的目標,並且從技術授權轉為自主研發,處處可見大陸進軍記憶體的強烈決心。
大陸DRAM產業目前已有晉華電子、合肥長鑫等兩大陣營。晉華電子專注利基型DRAM的開發,主攻消費型電子市場,技術合作夥伴是聯電,希望憑藉著大陸本有的龐大內需市場壯大自身產能,甚至在補貼政策下,預估最快2018年底可能將擾亂國際大廠在中國市場的銷售策略,並且有機會取得技術矽智財(IP)走向國際市場。
相較於晉華電子避開國際大廠的主力產品,合肥長鑫直搗國際大廠最核心的行動式DRAM產品。行動式DRAM已是記憶體類別中占比最高的產品,其省電技術要求極高,開發難度相當高。然而,中國品牌手機出貨已占全球逾4成,倘若LPDDR4能順利量產並配合補貼政策,大陸官方進口取代的策略即可完成部分階段性任務。
觀察大陸在NAND Flash領域的發展,以紫光集團旗下的長江存儲為最快成軍的開發廠商,初期也將以大陸內需市場的布局為主。由於長江存儲開發早期技術力不足,難以與一線大廠相抗衡,預估其初期產品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層才有機會進軍固態硬碟(SSD)市場,但此市場技術競爭相當激烈,沒有中國政府的支持,短期會難以在成本上取得優勢,利用中國內需市場壯大自己將是紫光集團未來可行的策略。
而武漢新芯隨著長江存儲的成立後,將專注於NOR Flash的開發,雖然長江存儲的NAND Flash試產線暫放在武漢新芯,但隨著長江存儲於武漢未來城基地建構完成後,未來也將各自獨立。
集邦指出,以目前現況來看,中國發展記憶體的策略能否成功,未來的3~5年將是極其重要的關鍵期,特別是強化矽智財的布局,中國政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力,以及具國際水準的產能,取得與國際廠商最有利的談判籌碼,才有機會立足全球並占有一席之地。

新聞日期:2018/01/02  | 新聞來源:工商時報

IC設計股 偉詮電、聯傑、原相、鈺創吃補

台北報導

無人商店可望引爆3D感測、微控制器及各式晶片需求,IC設計廠偉詮電、聯傑、原相、鈺創等概念股,明年業績、股價值得期待。
3D感測部分,業界已傳出鈺創的自然光3D感測方案已打進亞馬遜無人商店供應鏈,鈺創的自然光3D感測並非採用蘋果結構光3D感測,鈺創及鈺立微推出的3D MAMEC次系統與照相機一樣採用自然光感測,再利用2顆以上鏡頭以演算法取得3D深度圖,才測量出距離。
電子紙驅動IC上,聯傑早在幾年就攜手電子紙大廠元太共同開發電子標籤產品,先行推出斷碼式產品,打入台鐵一卡通電子紙供應鏈,目前穩定出貨中。不僅如此,聯傑今年攻入電子貨價標籤市場。
其中,無人商店的貨架上未來也可望導入手勢感測,用來偵測使用者拿取商品狀況,原相的手勢感測方案相當成熟,已打入德系車廠,同樣具備爭搶無人商店商機的門票。微控制器(MCU)廠當中,盛群及新唐則可望藉由庫存及貨架管理MCU,卡位進入無人商店供應鏈。
偉詮電先前切入的近場無線通訊(NFC)行動支付模組,則有機會搶入消費者離店的自動支付商機。法人看好,明年起無人商店將可望從中國大陸開始逐步萌芽,成為明年半導體搶食的大餅。

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