報導記者／涂志豪

晉華電子、合肥長鑫、紫光集團搶進，瞄準利基型DRAM及NAND Flash
台北報導

中國半導體發展風起雲湧，在市場、國安等考量下，記憶體成為中國重點發展項目。根據市場研究機構集邦科技最新報告指出，隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域，包含晉華電子、合肥長鑫、紫光集團在內的三大陣營已成形，利基型DRAM及NAND Flash是布局重點。
集邦表示，紫光透過併購或爭取技術母廠授權的策略多失敗收場，但中國大陸積極吸收專業人才，無論是台灣地區的建廠人才，或是日韓的技術人才等，皆為大陸半導體廠的目標，並且從技術授權轉為自主研發，處處可見大陸進軍記憶體的強烈決心。
大陸DRAM產業目前已有晉華電子、合肥長鑫等兩大陣營。晉華電子專注利基型DRAM的開發，主攻消費型電子市場，技術合作夥伴是聯電，希望憑藉著大陸本有的龐大內需市場壯大自身產能，甚至在補貼政策下，預估最快2018年底可能將擾亂國際大廠在中國市場的銷售策略，並且有機會取得技術矽智財（IP）走向國際市場。
相較於晉華電子避開國際大廠的主力產品，合肥長鑫直搗國際大廠最核心的行動式DRAM產品。行動式DRAM已是記憶體類別中占比最高的產品，其省電技術要求極高，開發難度相當高。然而，中國品牌手機出貨已占全球逾4成，倘若LPDDR4能順利量產並配合補貼政策，大陸官方進口取代的策略即可完成部分階段性任務。
觀察大陸在NAND Flash領域的發展，以紫光集團旗下的長江存儲為最快成軍的開發廠商，初期也將以大陸內需市場的布局為主。由於長江存儲開發早期技術力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層才有機會進軍固態硬碟（SSD）市場，但此市場技術競爭相當激烈，沒有中國政府的支持，短期會難以在成本上取得優勢，利用中國內需市場壯大自己將是紫光集團未來可行的策略。
而武漢新芯隨著長江存儲的成立後，將專注於NOR Flash的開發，雖然長江存儲的NAND Flash試產線暫放在武漢新芯，但隨著長江存儲於武漢未來城基地建構完成後，未來也將各自獨立。
集邦指出，以目前現況來看，中國發展記憶體的策略能否成功，未來的3～5年將是極其重要的關鍵期，特別是強化矽智財的布局，中國政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力，以及具國際水準的產能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球並占有一席之地。