專訪美國記憶體大廠美光（Micron）大動作在美對聯電可能竊取及使用營業祕密一事提出訴訟，聯電總經理簡山傑對此予以駁斥，強調聯電早年就生產過DRAM，本身擁有不少DRAM專利，事隔15年後決定自主研發DRAM技術，目的是為了替台灣半導體產業落實技術扎根。以下是專訪紀要。問：聯電重新投入DRAM技術研發原因為何？答：聯電的本業是晶圓代工，順應市場趨勢並強化晶圓代工的服務，聯電研發DRAM的經驗有助於新世化記憶體的發展，包括MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）等，等於可以搶先進入有潛力的新市場。再者，聯電是借外部力量來研發DRAM技術，福建晉華支持研發費用，雙方共同投入研發設備及技術，可快速研發速度，不會擠壓聯電的獲利表現。聯電要獨立自主研發DRAM技術，另一個重要意義是為台灣半導體產業落實技術扎根，這是當年聯電與世界先進完成自主研發DRAM技術後，相隔15年後再次有台灣企業投入難度最大的DRAM研發工作，意義格外重大。問：美光對聯電提告的關鍵在於聯電多年未涉及DRAM研發及生產，聯電的技術來源為何？答：聯電要自主研發DRAM技術。聯電在晶圓代工市場多年，長期投入研發已有很好的技術實力，連最先進囗最複雜的14奈米邏輯IC製程都自主研發成功並開始投產，而且許多DRAM技術與聯電既有的邏輯技術相通。至於在DRAM特有技術部分，則透過公開的技術報告、逆向工程方式了解，再依據開發路線落實。事實上，DRAM工作原理沒有改變，現今的DRAM只是藉由更先進的製程技術，達到每位元更低成本的目標，操作原理與15年前研發DRAM時相同。問：聯電的DRAM事業的營運模式為何？答：聯電目前與國外DRAM設計公司合作，以達成及加速DRAM技術研發。不同於三大DRAM廠有自己的設計團隊，聯電本業是晶圓代工，所以與DRAM設計公司合作最符合聯電的營運模式，與經驗豐富的DRAM設計團隊合作，可以減少研發過程中的許多不確定性因素，加快問題解決的速度。再者，聯電未來的DRAM技術研發成功後，會授權給晉華生產，但聯電並沒有投資晉華，未來也可爭取其它DRAM代工訂單。聯電目前沒有自建DRAM產能計畫，不會與台灣現有DRAM廠商競爭。問：聯電自行研發的DRAM技術與美光的DRAM技術並不相同？答：聯電不了解美光製造DRAM的內容，因此無從說明兩者之差異，但根據第三方TechInsights於2013年發表文章，有分析美光、爾必達、三星、SK海力士在30奈米製程世代的DRAM，美光採用直行式主動區（Active Area，AA）設計，但聯電DRAM選擇交錯式AA設計，與美光的記憶胞架構明顯不同。DRAM的記憶胞是技術上最核心之處，選擇不同的記憶胞架構，代表了不同的研發道路，證明聯電和美光的技術核心不相同。

台北報導晶圓代工大廠聯電（2303）日前宣布，推出40奈米結合美商超捷（Silicon Storage Technology，SST）嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40奈米SST嵌入式快閃記憶體，較量產的55奈米單元尺寸減少20％以上，並使整體記憶體面積縮小了20～30％。東芝電子元件暨存儲產品公司已開始評估其微處理器（MCU）晶片於聯電40奈米SST技術平台的適用性。東芝電子元件暨存儲產品公司混合信號晶片部門副總經理松井俊也表示，預期採用聯電40奈米SST嵌入式快閃記憶體技術，有助於提升東芝MCU產品的性能。與聯電合作，透過穩定的製造供應，及配合東芝的生產需求提供靈活的產能，將能夠保持強勁的業務連續性計劃（BCP）。聯電表示，已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產，包含了SIM卡、金融交易、汽車電子、物聯網、MCU及其他應用產品。聯電特殊技術組織協理丁文琪表示，自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來，一直受到客戶的高度關注，藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性，可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。聯電正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平台，期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。聯電分離式閘極記憶體單元SST製程，依據JEDEC所制定的規範標準，具100K耐久性和在攝氏85度、及工作溫度範圍為攝氏零下40度到125度的寬溫溫度下，數據可保存10年以上。除40奈米 SST製程外，還有20多家客戶使用聯電的55奈米SST技術生產各類應用產品。聯電已公告11月合併營收月減12.0％達121.55億元，較去年同期下滑5.9％，累計今年前11個月合併營收達1386.17億元，為歷年同期新高，較去年同期成長2.4％。聯電預期第四季營運狀況將會下滑，主要原因來自於年底典型的季節性調整。此外，並觀察到28奈米高介電金屬閘極（HKMG）的需求將趨緩。

     

第一版5G NR標準制定完成，將為全球行動通訊產業搭好舞台台北報導3GPP技術規範組（TSG）無線存取網路（RAN）全體會員大會昨（21）日在葡萄牙里斯本召開，聯發科（2454）與全球科技及電信領導企業共同發表聲明，宣布第一版5G NR（New Radio）標準制定完成，這項里程碑將為全球行動通訊產業搭好舞台，促成各國在2019年初即能大規模展開5G網路的試營運與後續商業部署。聯發科技術長周漁君指出，3GPP首版5G標準完成是一個關鍵的里程碑，這是實現5G商業化目標非常重要的一步。聯發科作為5G標準制定的主要貢獻者之一，未來還會持續努力推動5G標準演進。隨著標準制定的進展穩定，焦點將開始轉向提供商用的解決方案，促使5G在應用面上徹底發揮潛力。在里斯本與會的業界代表，除聯發科技之外，另包括AT&T、英國電信集團（BT）、中國移動（China Mobile）、德國電信（Deutsche Telekom）、愛立信（Ericsson）、華為（Huawei）、英特爾、韓國電信（Korea Telecom）、NOKIA、NTT DOCOMO、高通技術公司、三星等電信及手機品牌大廠。3GPP標準制定組織之會員由全球行動通訊業領導公司組成，全體會員曾於今年2月27日於巴塞隆納舉行的MWC大會中宣布，將全力支持5G NR加快標準化時程。在這項宣布之後，3GPP大會於3月9日在克羅埃西亞的杜布羅夫尼克（Dubrovnik）召開，各方同意加快標準制定的時程，並將第一版的標準將納入到3GPP Release 15的規範中。聯發科近年持續擴大對5G新技術研發與技術標準制定工作的投入，並陸續在相關組織獲選重要職位，包括3GPP工作組副主席、標準與技術項目報告人（Rapporteur）、GTI 5G Sub-6GHz項目負責人、台灣資通產業標準協會主席等職務。

台北報導 應用材料看好人工智慧（AI）及大數據（Big Data）時代即將到來，將帶動半導體及面板產業的技術升級與大投資，應用材料集團副總裁暨台灣區總裁余定陸表示，3D NAND、DRAM、晶圓代工等製程微縮及擴產動作不段，投資金額呈現跳躍成長，將有助於設備業者營運表現。法人則看好京鼎（3413）、翔名（8091）、帆宣（6196）等應用材料概念股明年營運將更上層樓。 余定陸指出，AI及大數據的時代來臨，包括AI運算超級電腦及伺服器的DRAM搭載量大舉提高，龐大數據也要更多的NAND Flash來進行儲存，而大數據亦要AI及高效能運算（HPC）晶片來進行運算，所以記憶體廠及晶圓代工廠都得擴大投資才能搶占AI及大數據市場先機。 余定陸指出，若以新建1座月產能10萬片的12吋晶圓廠，NAND Flash製程由2D轉向3D，前段晶圓廠設備的資本支出將提升60％；DRAM製程由25奈米微縮至14～16奈米的前段設備資本支出就要增加40％。若以晶圓代工廠來說，28奈米製程轉換到7奈米，前段設備資本支出要增加100％，而且投資金額會是記憶體廠的3倍。就連以6代線面板廠為計算基礎，由LCD轉到技術至OLED的設備支出也得提高4.25倍。 法人看好應用材料在台合作夥伴京鼎、翔名、帆宣等將直接受惠。京鼎今年受惠於應用材料擴大下單，前三季合併營收58.37億元，稅後淨利8.13億元，每股淨利10.33元，賺逾一個股本。 翔名是應材離子佈植機腔體金屬耗材主要供應商，新產品RTP（快速熱製程）反射板將在下半年導入應用鍍膜設備，推升今年營運，前三季合併營收15.25億元，稅後淨利3.37億元，每股淨利5.56元。 帆宣受惠全球OLED面板投資轉強，帆宣獲代工訂單，自身為OLED面板打造設備也獲韓系業者採用。帆宣前三季合併營收145.91億元，稅後淨利4.15億元，每股淨利2.41元。

打進工業機器人大廠供應鏈台北報導受惠德國及瑞士兩大工業機器人大廠擴大採購，工業電腦大廠研華（2395）及NAND Flash控制IC廠群聯（8299）聯手，研華提供機器視覺、智能監控等次系統儲存產品，群聯提供高速工業級固態硬碟（SSD）零組件，攜手打進工業機器人大廠供應鏈，搶進智慧製造及工業4.0新市場。大陸國務院頒布中國製造2025政策以來，包括日本發那科（Fanuc）及安川電機（Yasukawa）、德國庫卡（KUKA）、瑞士ABB集團等全球4大工業機器人大廠，今年加快在大陸投資布局。看好工業機器人等工業4.0相關龐大商機，群聯及研華繼2017年在智慧城市、智慧車載系統共同合作取得佳績後，雙方再度攜手合作，並打入機器人國際大廠供應鏈，挺進智慧製造新市場。群聯及研華雖未提及客戶名稱，但據業界人士透露，今年以來4大工業機器人廠都陸續擴大對台採購，德國及瑞士的兩大工業機器人大廠更是加強與台灣工業電腦業者合作及擴大採購，群聯及研華此次應是順利打進德國及瑞士的兩大工業機器人大廠供應鏈，而且至少拿下2年長期訂單，對營收及獲利將有穩定貢獻。針對此次的合作案，研華Embedded-IoT事業群總經理張家豪指出，研華儲存產品過去一年在機器視覺、智能監控、搏奕機台等領域皆獲得重要設計案（design-in），除了因掌握垂直市場專業智識（know-how）外，更有賴長期的合作夥伴群聯提供的產品設計服務，助力研華以完整的儲存解決方案，成功拓展全球市場版圖。

S9明年初推出，指紋辨識IC開始放量出貨，神盾為今年獨家供應商，本月業績挑戰新高台北報導三星電子旗艦級智慧型手機Galaxy S9即將在明年初正式推出，據傳三星S9採用的指紋辨識感測IC及演算法，神盾（6462）已正式擠身主要供應鏈之列。雖然神盾不評論客戶接單情況，但外資法人指出，神盾將自12月開始放量供貨，預期12月營收將跳增至6.5～7.0億元，較11月倍增並改寫單月營收歷史新高。神盾今年已順利打進三星Galaxy A、Galaxy J、Galaxy C等智慧型手機供應鏈，並且是指紋辨識IC主要供應商，帶動第3季合併營收衝上14.17億元並創歷史新高，歸屬母公司稅後淨利達1.74億元，每股淨利2.50元。累計今年前3季合併營收34.77億元，歸屬母公司稅後淨利4.34億元，每股淨利6.22元，優於市場預期。由於三星中低階智慧型手機拉貨動作在第4季降溫，神盾公告11月合併營收月減12.1％達3.35億元，但仍較去年同期成長36.8％。累計今年前11個月合併營收達41.94億元，較去年同期成長逾2.1倍。雖然蘋果新一代iPhone X採用3D感測技術及支援人臉辨識，取消了指紋辨識功能，不過蘋果仍致力於研發玻璃下（under glass）指紋辨識技術，代表指紋辨識未來仍會在生物辨識市場扮演重要角色。而三星將在明年初推出的全新Galaxy S9仍會搭載指紋辨識功能，而據外資圈消息，神盾今年將成為三星S9的指紋辨識IC及演算法獨家供應商。外資法人指出，三星Galaxy S9仍採用電容式指紋辨識感測功能，而神盾將是獨家供應商，預期會在12月開始放量出貨，而且占全部出貨比重超過5成。由於三星S9手機出貨量大，將帶動神盾12月營收出現強勁反彈，預期可望較11月倍增並創下單月營收歷史新高。法人同時預期，明年第1季亦會是三星S9的零組件備貨旺季，加上其它2018年版中低階Galaxy智慧型手機也將開始展開拉貨，因此推估神盾第1季營收將維持高檔。至於神盾積極開發的玻璃下光學指紋辨識IC，近期可望完成客戶端認證，明年將導入量產階段，同樣會成為明年的成長動能之一。

無線充電市場需求強、產品線出貨旺，法人預期季增率由5％上修至逾10％ 台北報導 受惠於無線充電市場強勁需求，加上健康量測、觸控與32位元微控制器（MCU）等產品線出貨暢旺，法人圈預期盛群（6202）將上修第四季營運展望，營收季增率由原本預期的5％上修到超過10％。由於無線充電相關MCU在第一季仍持續放量，法人亦看好盛群第一季淡季不淡。 盛群受惠於下半年MCU市場需求強勁，第三季合併營收11.25億元，歸屬母公司稅後淨利2.37億元，每股淨利1.05元。累計今年前三季合併營收33.66億元，歸屬母公司稅後淨利達到6.50億元，較去年同期成長12.7％，每股淨利2.87元，表現優於市場預期。 隨著蘋果推出支援無線充電功能的iPhone 8/X之後，帶動無線充電市場強勁需求，盛群第四季營收出現明顯成長動能，11月合併營收月增12.9％達4.63億元，創下單月營收歷史次高，較去年同期成長19.6％。累計今年前11個月合併營收達42.39億元，較去年同期成長11.1％。 法人表示，無線充電需求強勁，相關MCU超乎預期，盛群第四季單季出貨量上看70萬套，較前三季累計出貨量多出1倍以上，而明年第一季的出貨更上看百萬套規模。再者，健康量測、觸控與32位元MCU的出貨量同樣維持高檔，因此推估第四季營收可望較第三季成長逾10％，優於先前市場普遍預估的5％，單季營收可望創下歷史新高紀錄。盛群不評論法人及市場預估的財務數字，但透露接單與出貨情況表現優於預期。 事實上，蘋果新款iPhone 8/X導入無線充電功能，採用的是無線充電聯盟（WPC）的Qi無線充電開放式規格，隨著蘋果開放新的iOS 11.2版本作業系統更新後，無線充電功率由5W提升至7.5W，充電速度加快已帶動無線充電相關晶片出貨持續放量到明年上半年，盛群的無線充電MCU訂單能見度已看到明年中。 至於在32位元MCU市場部份，雖然往年第四季及隔年第一季都是市場淡季，但今年明顯淡季不淡。業者指出，國際IDM廠的MCU接單強勁，但自有晶圓廠及預訂的晶圓代工產能均不足，所以交期大幅延長至2～3個月，較傳統的1～1.5個月的安全交期更長，所以在系統廠及家電廠的轉單效應發酵下，盛群等MCU廠今年淡季接單不弱，也是推升第四季營收得以創下新高的動能之一。

台北報導   明年首季千億元聯貸大案可望登場！金融圈知情人士指出，日月光全面收購矽品剩餘的2/3股權的聯貸案，即將在明年農曆年前啟動，目前已知整個聯貸規模將在千億元左右，並由外商花旗銀行出任管理銀行，總利率水準應在1.7％上下，由於總金額規模大，且爭取者眾，屆時金融圈應可望「人人有糖吃」，也將成為明年度指標大案。   日月光早在去年1、2月就已組好一筆300億元的聯貸案，要用來收購矽品的股權，但由於當時和矽品公司派未談攏，日月光也因而轉變策略，改從市場加碼進擊，使這筆早已準備好的聯貸最後「告吹」。   儘管如此，當時的聯貸籌組陣容，實際上已等同於千億元聯貸案，因為雖然當時要招募的資金只有300億元，但由於驚人的3倍超額認購潮已達千億元，也使得明年上半年要籌組的千億元聯貸案，馬上有現成的「雛型」，可收事半功倍之效。   聯貸圈人士指出，日月光上月通過中國商務部的反托拉斯審核，隨著可以啟動對矽品流通在外股權的全面收購。   目前已知，日月光已規劃在明年5月同時完成收購案，及合併之後的日月光投資控股公司新股重新掛牌，對此有興趣的銀行業者指出，由於日月光將對矽品流通在外股權比重高達2/3的股權，全部以現金進行收購，若以矽品最新的淨值換算，整個資金需求大約需1,000億元，這也是明年最大的一件聯貸案。   銀行業者指出，這筆由花旗出任管理銀行的聯貸案，應會在明年1月把借款年期、利率等條件在聯貸圈公開，預計分成二階段籌組，第一階段會先找5家共同主辦行，先把一定的部位包下來，之後再轉貸出去，借款年期應會設定為5或7年期，由於聯貸規模高達千億元，因此估計共同主辦行的門檻不低，至少會在150～200億元間。   銀行業者指出，由於日月光有一定的財力，對目前好案難求的聯貸圈而言，該聯貸案勢必會有競相參貸的熱潮，且應為大型公股及民營銀行共襄盛舉出任共同主辦行。

終止連4跌站穩20億美元，成長動能將延續至2018 台北報導 國際半導體產業協會（SEMI）昨（15）日公布最新出貨報告，2017年11月北美半導體設備製造商出貨金額為20.5億美元，月增1.6％、年增27.2％。11月出貨金額在連續4個月下滑後止跌回升，仍維持在20億美元的高水位標準。SEMI台灣區總裁曹世綸表示，11月北美半導體設備出貨金額在連續四個月衰退後呈現回升。SEMI預估，隨中國新建晶圓廠開始營運，2017年的成長動能將一路延續至2018年。 根據SEMI資料指出，今年3月起半導體設備市場出貨金額就攀升到20億美元大關，甚至在6月站上今年新高達23億美元。業者認為，成長主要關鍵來自記憶體廠擴大資本支出及中國晶圓廠加速建廠等兩大動能。 觀察今年記憶體市場，DRAM、NAND Flash及NOR Flash等三大主要記憶體的市場需求相當旺盛，合約報價甚至呈現逐季調漲態勢，讓原先業績平淡的記憶體廠，頓時成為市場關注焦點。法人表示，今年NAND Flash市場從2D製程轉進至3D製程，堆疊層數也從年初的48層進入到72層，產出顆粒數也明顯提升，現在NAND Flash產業仍將持續提升製程，帶動設備投資金額增加。至於DRAM仍然相當炙手可熱，技術也將微縮至1x／1y，兩大記憶體領域投資增加，也成為推動設備出貨金額成長的關鍵之一。 中國傾全力發展半導體產業，積極興建自有晶圓廠，加上台積電、力晶、聯電等台灣晶圓廠也已在當地設廠，新晶圓廠投資量相當可觀。SEMI預估，2017～2020年的4年內，全球興建的62座晶圓廠，中國大陸就占了27座，讓半導體設備產業持續看旺。 SEMI對於明年半導體設備產業抱持樂觀態度，法人看好明年半導體設備產業有機會持續創高，設備代工廠京鼎、帆宣、半導體檢測廠閎康、宜特等，明年業績有機會力拚新高。