報導記者／涂志豪

極紫外光微影技術引爆強勁需求
台北報導

極紫外光（EUV）已確定是次世代微影技術主流，隨著DRAM廠開始在16奈米及更先進製程、晶圓代工廠及IDM廠在7奈米及更先進邏輯製程等開始導入EUV技術，引爆極紫外光光罩盒（EUV Pod）強勁需求。由於半導體廠接單中只要多1層EUV光罩層需求，就要對應增加約240～260顆EUV Pod採購量，家登（3680）成為最大受惠者，現有產能滿載供不應求，訂單也已經排滿到明年上半年。
根據設備大廠艾司摩爾（ASML）統計，自2011年開始生產採用EUV微影技術晶圓以來，至2018年第二季末為止，累計採用EUV曝光的晶圓數高達320萬片，其中光是2018年的前6個月，累計晶圓就達100萬片左右。隨著台積電及三星晶圓代工開始量產支援EUV的7奈米，英特爾將在2021年後量產採用EUV製程7奈米，以及三星及SK海力士著手興建支援EUV的DRAM生產線，EUV市場已進入成長爆發階段。
今年EUV設備能提供的晶圓吞吐量已開始符合半導體廠量產需求，而根據ASML的預估，月產能達4.5萬片的7奈米或5奈米12吋晶圓廠，每增加1層EUV光罩層需求就要搭配1台EUV機台系統支援；而月產能達10萬片的16奈米至1A奈米DRAM廠，每增加1層EUV光罩層需求就需搭配1.5～2台的EUV機台系統支援。
業者分析，若月產能達4.5萬片的7奈米12吋廠所生產的處理器或繪圖晶片，EUV光罩層數加總起來若達20層，生產線上就得搭配安裝20台EUV機台系統。此外，目前7奈米單一晶片平均採用的EUV光罩層數約3～5層，但微縮至5奈米製程後的EUV光罩層數將大舉提升至14～16層，若再進一步微縮至3奈米製程，EUV光罩層數可能會高達24層以上。
隨著EUV光罩層數的快速增加，生產鏈已經全面動了起來，由於每增加1層EUV光罩層，就要對應增加約240～260顆EUV Pod採購量，但EUV Pod使用年限最多只有2年。所以，隨著EUV光罩層數持續提高，投入EUV量產的半導體大廠均擴大釋出EUV Pod採購訂單，家登成為最大受惠者，現有產能到年底已滿載供不應求，訂單也排滿到明年上半年。