報導記者／涂志豪

台北報導

　記憶體大廠華邦電今年下半年DRAM及NAND/NOR Flash產能全開，但仍不能滿足客戶強勁需求。華邦電原本計畫在台灣及新加坡兩地擇一興建新12吋晶圓廠，如今確定將落腳台灣，選擇在南科高雄園區興建新廠。華邦電新廠主要是為了因應2020年之後需求，生產線將以20奈米世代製程DRAM為主體，也可望建置3x奈米NAND/NOR Flash產能。
　華邦電董事長焦佑鈞在今年股東常會中表示，今年記憶體需求強勁且產能供不應求，華邦電計畫興建新廠因應2020年後需求，至於新廠設廠地點將以台灣優先。而華邦電昨日宣布，新12吋晶圓廠將落腳在台灣，設廠地點在南科高雄園區，將依未來董事會通過時程，公告建廠及產能規劃相關事宜。
　焦佑鈞日前表示，因為建築業目前很缺土木人工，新12吋廠的建廠時間恐要由1年拉長到20個月，加上裝機與試機的時間，從建廠到量產時間需以3年計算，預計第三季決定設廠計畫。華邦電已去南科的高雄路竹基地看過，6月向南科管理局補提計畫，需地約25公頃。
　華邦電今年將全力擴充NOR Flash產能，希望一年內可以把供給缺口補起來，中科廠現在月產能達4.3～4.4萬片，預計年底可達4.8萬片，明年下半年達5.3萬片，但台中廠房空間最多只能擴充到5.5～5.6萬片。然以長期來看，華邦電需要興建新廠來推升業績成長，同時也能把DRAM產能限制移除。
　華邦電總經理詹東義日前指出，台中廠產能不足且Flash需求強勁，DRAM及Flash的生產設備不同，今年擴產都以Flash為主，目前台中廠DRAM製程已可支援3x/2x奈米，但投資金額很大，反而是擴充Flash產能的投資效益較好，台中廠的擴產以投資報酬率（ROI）最大化為主軸。但長期來看，華邦電需要興建新晶圓廠，DRAM產能限制才能移除。
　華邦電的DRAM製程下半年將開始導入38奈米，低容量 NAND Flash目前採用46奈米生產1～2Gb容量晶片，後續進行製程微縮後可望進入32奈米世代，至於NOR Flash製程以46/58奈米為主。設備業者預期，華邦電新廠應可在2020年進入量產，以製程推進來看，新廠將會以20奈米世代製程DRAM產線為主軸，NAND/NOR Flash則會建置3x奈米產能，後續再視情況建置2x奈米生產線。