報導記者／涂志豪

SEMI：可望年增7.5％達675億美元；建廠投資逼近170億美元
台北報導
根據國際半導體產業協會（SEMI）昨（18）日公布的最新「全球晶圓廠預測報告」（World Fab Forecast Report），今年全球晶圓廠設備投資將增加14％達628億美元，2019年可望上揚7.5％達675億美元，不但連續4年成長，也創下歷年來晶圓廠設備投資金額最高的紀錄。新晶圓廠建設投資正邁向新高，預估將維持連續4年成長，明年建廠相關投資將逼近170億美元大關。
根據預測顯示，由於新晶圓廠陸續啟動，設備需求因而大幅增加，投資在晶圓廠技術、生產製程，及額外的產能資本額也將有所增長。全球晶圓廠預測報告目前共追蹤78座已經或即將在2017年到2020年間動工的新設晶圓廠和產線，相關晶圓廠設備需求最終將超過2,200億美元。這段期間，這些晶圓廠和產線的建廠投資可望達530億美元。
韓國的晶圓廠設備投資金額預測將領先其他地區達630億美元，比位居第二的中國大陸多出10億美元。台灣可望以400億美元拿下第三名，其次為日本的220億美元，還有美洲地區的150億美元。歐洲和東南亞將並列第六，投資金額分別為80億美元。這些晶圓廠當中，其中60％屬於記憶體，其中又以3D NAND占比最高，三分之一為晶圓代工。
SEMI指出，2017年到2020年間動工的78座晶圓廠和產線當中，其中59處已於2017和2018年開始興建，另有19座可望在2019和2020年動工。
建設新晶圓廠通常需花一年到一年半的時間，不過受到公司、廠房規模、產品種類和地區等各種因素影響，有些會花上兩年甚至更久的時間。預估在2,200億美元投資金額，約有50％投資金額於2017至2020年之間支出，其中不到10％於去年和今年支出，另有近40％將在未來2年中支出，剩下金額將於2020年以後支出。
總投資額達2,200億美元新晶圓廠投資，乃根據現有及已公布的晶圓廠計畫所推估，但因多家業者持續推出新建晶圓廠計畫，故整體支出可能超過此金額。SEMI說明，自今年6月1日發表的全球晶圓廠預測報告中，截至今日已更新超過340座晶圓廠。目前報告內容包含1,200多項從現在和未來的半導體先進製程數據，其中涵蓋生產至研發。報告內容包括各季投資細節、產品種類、技術製程，以及各晶圓廠及產能計畫。