規劃建置極紫外光（EUV）微影生產線，預估2024年開始第一階段量產。
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DRAM廠南亞科董事長吳嘉昭與新北市市長侯友宜20日共同宣布，南亞科規劃於新北市泰山區南林科技園區，投資興建一座雙層無塵室12吋DRAM廠，總投資金額達新台幣3,000億元。此座廠房將採用南亞科自主研發10奈米製程技術生產DRAM，同時規劃建置極紫外光（EUV）微影生產技術。
台塑集團總裁王文淵及經濟部工業局局長呂正華到場力挺，說明台塑集團及政府全力支持新DRAM廠投資計畫。
南亞科新廠月產能預估將達4.5萬片，總投資金額達新台幣3,000億元，預期可直接提供2,000個優質工作機會，並間接創造產業鏈數千個就業機會。新DRAM廠預估以7年分三階段完成投資，第一階段將建置月產能1.5萬片生產線並導入第二代10奈米製程量產DDR5或LPDDR5，預計2021年底動工，2023年底完工，2024年開始第一階段量產。
吳嘉昭表示，DRAM是所有電子產品智慧化的關鍵元件，是半導體產業極為重要的一環。因應全球記憶體市場成長趨勢，此次南亞科投資興建先進晶圓廠，提升國際競爭力，台塑企業將全力支持，以具體行動增加高經濟產值與優質工作機會。同時，南亞科長期經營穩健且財務健全，已實現DRAM技術自主里程碑，未來將持續創新研發，以邁向企業永續為目標。
南亞科總經理李培瑛表示，這是南亞科4年多來再度展開新廠投資計畫，南亞科在全球DRAM市場占有率約3％，建新廠並不是為了擴大市占率，主要是希望能提升競爭力，縮小與競爭同業的差距，同時也是基於公司長遠發展需求
李培瑛表示，DRAM應用相當多元，包括5G、人工智慧（AI）、自駕車與雲端等，DRAM市場需求每年穩定成長約15～20％，相關DRAM廠也都理性擴產，對南亞科來說，既有廠房空間已經不足，因此決定興建新12吋晶圓廠，量產第一階段將建立月產能1.5萬片生產線，並導入自主研發第二代10奈米製程，至於EUV技術開發將在第三代10奈米製程啟動。

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聯發科持續衝刺特殊應用晶片（ASIC）市場，目前已經順利攻入Google、亞馬遜等供應鏈，拿下Google新一代張力處理器（TPU）大單。供應鏈傳出，聯發科將以台積電7奈米製程搭配愛普DRAM及晶圓堆疊（WoW）封裝VHM技術在第四季開始擴大量產，替聯發科ASIC業務挹注業績成長。
供應鏈傳出，聯發科成功拿下Google新一代TPU大單，且將在台積電7奈米製程投片量產，預計將在第四季開始放量生產，並開始挹注業績，本次特別之處在於聯發科TPU將結合愛普DRAM及晶圓堆疊（WoW）封裝VHM技術，藉由DRAM取代CoWoS架構的SRAM及高頻寬記憶體（HBM），除了能藉此降低功耗，並大幅提升運算能力。
據了解，目前台積電的WoW晶圓製造能力已經達到3D系統整合單晶片（SoIC）封裝能力，過去在WoW晶圓製造大多應用在Sony的CIS晶片，除了聯發科本次的Google TPU訂單之外，另外將會應用在超微的伺服器CPU技術當中。
事實上，聯發科在ASIC市場表現正逐步向上成長，除了Google之外，在亞馬遜、思科等科技大廠亦成功搶下ASIC訂單，卡位進入資料中心、伺服器供應鏈當中，藉此挹注高毛利業績成長，且隨著後續5G加上人工智慧（AI）帶起的高速運算需求，資料中心、伺服器市場將更加廣大，聯發科出貨動能及接單客戶將有望再度提升，推動營運向上衝刺。
法人指出，聯發科ASIC業務自2018年起開始以伺服器Serdes晶片打入思科後，後續便順利搶下Google、亞馬遜等大客戶的多個專案，且當前更有新美系客戶與聯發科洽談新專案當中，最快有機會在2022年開花結果。
聯發科預計將在28日舉行季度法說會。法人看好，隨著聯發科第一季合併營收創下新高之後，單季獲利亦有望同創新高水準，在第二季工作天數恢復正常後，預期單季合併營收將可望穩居千億元關卡之上，且將挑戰改寫歷史新高。

今與新北市長共同宣布，將導入10奈米先進製程

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DRAM廠南亞科董事長吳嘉昭與新北市市長侯友宜將於20日共同宣布規模高達千億元的新投資案。據設備業者消息，南亞科將在新北市泰山區興建新的12吋DRAM廠，地點就選在南亞科泰山區12吋廠旁的大眾電腦用地，而台塑集團已同意南亞科新廠投資案。
業界預估，新廠若計畫建置3萬片月產能，並導入南亞科自行研發的10奈米世代先進DRAM製程量產，總投資金額將超過新台幣1,000億元。
由於DRAM市場供不應求且價格看漲，南亞科第一季合併營收季增20.0％達177.31億元，較去年同期成長23.0％，平均毛利率季增7.1個百分點達29.1％，營業利益季增逾1.3倍達30.27億元，較去年同期成長65.2％，稅後淨利季增逾1.9倍達27.05億元，較去年同期成長40.3％，每股淨利0.88元，而第一季底每股淨值已達51.0元。
南亞科認為，DRAM是邁向智慧世代的關鍵元件，智慧型手機、伺服器及資料中心是目前最大應用區塊，未來隨著5G及人工智慧（AI）的發展，及各種消費型智慧電子產品的發展，將持續帶動DRAM應用的多元化，以及增加DRAM使用量。
南亞科成功開發10奈米級DRAM製程技術，將可微縮至少三個世代，並用以發展DDR5及LPDDR5等下世代產品。
由於DRAM業界普遍預期，供不應求市況會延續到2022年，南亞科現有產能全線滿載，第二季位元出貨與第一季持平，但價格預估會有明顯上漲幅度。
南亞科自行開發的10奈米製程亦有不錯進展，第一代的10奈米級製程產品8Gb DDR4將於今年下半年開始送樣客戶，第二代10奈米級製程技術預計第三季導入試產，下世代DDR5預計今年下半年開始試產。
南亞科現有產能轉換成10奈米世代製程量產將造成產能自然的減損，而且未來DRAM先進製程將導入極紫外光（EUV）微影技術，南亞科因此計畫投資新12吋DRAM廠，除了導入10奈米製程量產DDR5以及LPDDR5等新一代產品，也將成為南亞科建置EUV技術DRAM生產線的重要據點。
南亞科將在新北市泰山區的現有晶圓廠旁再興建新廠，用地取得已獲得台塑集團支持，地點就選在南亞科泰山區12吋廠旁的大眾電腦用地。設備業者評估，南亞科新廠若要達到每月3萬片產能的經濟規模，且導入10奈米先進DRAM製程，預估總投資金額將超過新台幣1,000億元。南亞科表示投資細節將在20日由董事長吳嘉昭及新北市市長侯友宜共同宣布。

總報廢片數量不到1萬片，法人預估受損金額約14億元

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由於南科當地企業承包商施工不慎挖斷電纜線，造成晶圓代工龍頭台積電（2330）的Fab 14B廠P7廠區發生跳電，雖然不斷電系統順利接上電力供給，但據設備業者消息，因當天停電時間長達8小時左右，因此16奈米有近千片晶圓報廢，40／45奈米也有數千片晶圓報廢，總報廢片數量不到1萬片，但其餘生產中且未報廢晶圓仍有良率偏低問題，法人預估受損金額約14億元。
台積電位於南科Fab 14B廠P7廠區14日傳出跳電事故，經查起因係因為啟碁在進行南科廠建廠工程時，不小心挖斷了台電161KV電纜造成。台積電聲明表示，南科Fab 14廠P7廠區因南科超高壓變電所電纜異常致使廠區停電，廠內同仁無安全疑慮亦無人員疏散，靠柴油發電機復電並與台電合作以全力恢復正常供電。實際影響待恢復正常供電後釐清。
根據半導體設備業者透露消息，此次跳電後台電積極搶修，但直至當天晚上7點左右才回復正常供電，停電時間約8小時左右。台積電因不斷電系統順利接上電力供給，所有機台系統都維持供電狀態，沒有造成全面性的停機，但停電時間拉長仍造成影響，其中40／45奈米製程報廢片數高達7,000片，16奈米製程也有近千片報廢，但總報廢片數不到1萬片。
設備業者指出，台積電Fab 14B廠P7廠區總產能約4萬片，主要是40／45奈米特殊製程生產線，及少數16／12奈米製程產能，主要是為索尼、豪威、安森美等生產CMOS影像感測器（CIS）或影像訊號處理器（ISP）。
根據集邦科技調查，台積電仍在評估需報廢及可重工製造的晶圓數量。據了解該廠區已於4月14日當天晚上7點半完全復電，雖然電路異常期間廠內DUPS（柴油不斷電系統）即時運作，但短暫停電及壓降仍造成部分設備異常當機，依據過往半導體工廠跳電事件經驗判斷，普遍需要2～7天進行設備重新校正。
集邦科技指出，受到跳電影響廠區終端產品影響主要為智慧型手機及汽車，首當其衝的產品為40／45奈米製程下的車用微控制器（MCU），以及CIS邏輯層晶片等，車用晶片客戶包含恩智浦及瑞薩。由於車用晶片至今仍嚴重缺貨，台積電跳電意外，集邦認為恐將使車用MCU短缺情形更為嚴重。

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繼美中歐盟投入半導體研發、晶片製造後，行政院會15日拍板將從製造、人才、技術與資源三方向突圍，穩固國際戰略地位，擴大既有優勢。其中，擴大晶圓製造競爭優勢，將投入270億元，更新竹科第三至五期標準廠房，創造年產值411.82億元；協助廠商提前布局12吋晶圓製造的利基設備，在2030年前，能生產小於1奈米之尺度半導體。
確保半導體人才供應，由企業、大學共同設立三至五所半導體研發中心，挑選一至二所大學新設國家重點領域研究學院。此外，推動高雄半導體材料專區，並結合台積電、日月光、華邦、穩懋等半導體廠，2030年建立南部半導體材料S形廊帶。行政院科技會報辦公室產業創新組主任王英裕指出，將協助半導體產業領先全球突破1奈米技術節點，穩固國際戰略地位，尺度半導體是0.1奈米。
美中科技戰日趨激烈，大陸投入第三代半導體研發，美國以500億美元扶植晶片製造業，歐盟計畫2030年搶進全球20％的先進晶片生產，穩固台灣在全球半導體產業的戰略地位，行政院會15日核定「美中科技戰下台灣半導體前瞻科研及人才布局」報告，從擴大代工製造競爭優勢、確保半導體人才供應、掌握戰略技術與資源三方向，維持台灣在半導體供應鏈優勢。
擴大晶圓製造競爭優勢，行政院科技會報辦公室表示，將持續壯大串聯竹科、中科、南科西部矽谷帶的半導體產業聚落，2021年至2035年投入272.6億元，更新竹科第三至五期9棟標準廠房，整個立體化達到六倍面積，可增加就業人口5,848人，創造年產值411.82億元。
確保半導體人才供應，設立三至五所半導體研發中心，一至二所半導體學院，擴增大學重點領域學士班10％、碩博士班15％名額。今年第三季起，每年新增1萬名半導體相關系所人才培育。王英裕指出，半導體研發中心是從企業和科技部合作的研究計畫中，挑選成立研發中心；半導體學院則是由企業和國發基金共同出資成立。

總裁魏哲家預告高成長；第二季營收可望再創新高

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台積電第一季合併營收達創新高，每股淨利5.39元也優於預期，第二季受惠於5G及HPC晶圓代工需求維持高檔，營收可望續創新高。總裁魏哲家15日法說更釋出樂觀訊息，估2021年美元營收將可望成長約20％。
台積電展望維持樂觀，半導體產能將維持吃緊情況，預估今年不含記憶體的全球半導體市場年成長率上修至12％，晶圓代工市場年成長率上修至16％，台積電有信心能夠高於產業平均成長幅度，上次法說會時原本估計2021年美元營收將成長15％，15日法說則將此目標再往上修、達到20％的水準。
台積電第一季合併營收3,624.1億元、季增0.2％，與去年同期相較成長16.7％，續創季度營收歷史新高。由於5奈米先進製程量產初期良率提升階段及新台幣兌美元匯率升值，平均毛利率季減1.6個百分點達52.4％，與去年同期相較提升0.6個百分點，歸屬母公司稅後淨利季減2.2％達1,396.90億元，與去年同期相較成長19.4％，為季度獲利歷史次高，每股淨利5.39元、優於預期。
台積電預估，第二季美元營收介於129～132億美元之間，與上季相較約成長1％，在預估新台幣兌美元匯率28.4元情況下，新台幣營收介於3,663.60～3,748.80億元之間，與上季相較成長1.1～3.4％，續創季度營收歷史新高。
由於5奈米大規模量產初期階段及產能吃緊影響成本降低速度，預估第二季毛利率介於49.5～51.5％之間，營業利益率介於38.5～40.5％之間。
台積電總裁魏哲家說，在5G及HPC相關應用未來幾年的產業結構大趨勢下，台積電進入一個較高的成長區間，所以高資本支出是必要的，台積電可掌握未來成長機會，並讓客戶取得所需產能及維持成長動能，因此未來3年將投入1,000億美元在研發及擴產，今年資本支出則提升到300億美元。
法人對於台積電擴大投資、認為後續恐有產能過剩疑慮，但魏哲家表示，與3個月前相較，包括行動通訊、HPC運算、車用電子、物聯網等四大平台均出現成長，而且獲得某大客戶的承諾將採用台積電先進製程量產，中長期在5奈米及3奈米等先進製程維持高市占率。法人指出，應是指英特爾將中央處理器（CPU）委由台積電代工一事。
魏哲家表示，台積電IC設計客戶庫存在去年第四季以來維持高檔但仍屬健康，因為疫情以及總體經濟不確定性因素仍存在，客戶及供應鏈提高安全庫存情況會延續一段時間。

SEMI表示，今年全球規模有望突破800億美元，續挑戰新高
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根據國際半導體產業協會（SEMI）最新統計，2020年全球半導體製造設備市場大幅成長19％，銷售總額由2019年的597.5億美元攀至2020年的711.9億美元，並創下歷史新高紀錄。今年受惠於全球半導體廠大舉拉高資本支出並擴大投資，業界預估2021年全球半導體製造設備市場將挑戰800億美元續創新高，SEMI預期台灣今年將重回全球最大半導體設備市場。
SEMI認為在半導體產能嚴重供不應求，且業者大動作投資擴產的情況下，未來幾年將是半導體設備市場的超級循環周期（super cycle）。法人表示，包括極紫外光（EUV）光罩載具供應商家登、廠務工程及EUV設備模組代工廠帆宣、廠務工程業者漢唐及信紘科、封裝及濕製程設備廠弘塑、蝕刻及薄膜設備代工廠京鼎等資本支出概念股將直接受惠，而且疫情將讓台積電加快採用在地供應鏈，資本支出概念股營運一路看旺到明年。
根據SEMI統計，中國首次成為半導體設備年度銷售金額最大市場，銷售額年增39％達187.2億美元。台灣則以171.5億美元市場規模緊追在後並位居第二，銷售額在2019年大幅增長後，2020年約略持平。韓國大幅成長61％達160.8億美元，繼續位居第三大市場。日本和歐洲兩大地區走出2019年頹勢持續復甦，年度支出各有21％及16％的增長。北美則是連3年正成長後，2020年銷售首度出現下滑20％達65.3億美元。
SEMI表示，2020年全球晶圓製程設備銷售額上升19％，其他前段設備銷售額則有4％的小幅增長。封裝設備在各地區均出現強勁增長的推波助瀾下，2020年市場躍升幅度達34％，測試設備總銷售也有20％的成長。
SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，展望2021年，隨著許多半導體製造商在今年初陸續發布的新計畫持續強化投資，看好全球半導體設備市場將在未來持續創下新高。新冠肺炎疫情帶動數位轉型持續加速，曹世綸看好5G、資料中心、人工智慧（AI）及高效能運算（HPC）等應用，將持續為半導體產業注入成長動能。業界預估，全球半導體設備市場2021年有機會加速成長並突破800億美元，再創歷史新高紀錄，且因為台積電資本支出創下新高，SEMI預期台灣今年將重回全球最大半導體設備市場。

白宮半導體峰會登場，台積電董事長親自與會
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白宮在美國時間12日召開半導體與供應鏈執行長視訊高峰會，開場由美國總統拜登（Joe Biden）發表公開演說。拜登表示，此次與來自世界各地的科技業或製造業領袖齊聚，目的是要討論如何強化美國國內半導體產業，保護美國供應鏈，同時如何解決晶片缺貨問題，而他的半導體投資計畫擁有美國跨黨派強力支持。
台積電董事長劉德音參加峰會後回應指出，對台積電而言，國外直接投資能夠強化經濟競爭力，創造在地就業機會，提升個人收入，進一步拓寬經濟的發展，助力當地公司成長並支持創新。台積電有信心，在亞利桑那州鳳凰城即將興建的5奈米先進晶圓廠計畫，也是美國史上最大的國外直接投資案之一，在與美國政府跨黨派的合作下將會成功。
此次高峰會由白宮國安顧問蘇利文（Jake Sullivan）、白宮經濟顧問狄斯（Brian Deese）、美國商務部長雷蒙多（Gina Raimondo）共同主持。白宮此次共邀請全球19家企業高層參加此次高峰會，參加此次會議的半導體廠包括台積電、英特爾、美光、三星、格芯（GlobalFoundries）、恩智浦等，其中台積電由董事長劉德音親自與會。
至於受到晶片缺貨而被迫減產或停工的車廠包括美國通用汽車、福特汽車、汽車集團Stellantis等高層執行長也均透過視訊參與會議，其餘與會科技大廠包括戴爾、惠普、Google等。
拜登表示，他收到來自美國共和黨及民主黨的23位參議員、42位眾議員來信支持晶片美國製造法案（CHIPS for America Act），而信中提及中國官方大舉主導及投資半導體供應鏈，挹注龐大資金進行研發及擴產以達到目的。中國與世界其他國家都沒在等，美國也沒有理由等待。美國目前投資大筆資金在半導體等領域，在國會提出美國未來的跨世代投資，希望獲得此次與會的企業全力支持。
拜登針對近期提出規模約2.3兆美元的美國就業計畫（American Jobs Plan），指出該計畫是重振美國製造業、保護國內供應鏈工作的一部分，而計畫重點是要投資基礎建設，但不是20世紀的基礎建設，而是21世紀全新的基礎建設，而且要建立美國國內供應鏈，抓住未來商機且不再需要受制於他國。
拜登呼籲國會根據獲跨黨派支持的晶片美國製造法案，對半導體製造與研發挹注500億美元資金，並另外投資500億美元，在商務部底下成立新辦公室，監控國內產業生產能力與資金投資，以支持關鍵產品製造。

3月401.47億、首季1,080.33億，雙破紀錄，法人看好Q2更旺

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聯發科公告3月合併營收達401.47億元，創下單月歷史新高，同時推動第一季合併營收年成長77.5％至1,080.33億元，不僅改寫新高表現，更飛越原先財測門檻。法人看好，隨著聯發科第二季搶下更多高通訂單，5G智慧手機晶片出貨將更加暢旺，營運有機會再締新猷。
聯發科3月合併營收401.47億元、月增23.3％、年成長75.9％，累計2021年第一季合併營收為1,080.33億元、季增12.1％，相較2020年同期明顯成長77.5％，寫下單月及單季合併營收同創新高，且第一季合併營收更超越先前公司公告的964～1,041億元財測區間。
■首季獲利 有望倍數成長
針對營收成長，聯發科指出，主要產品線如智慧型手機、物聯網與電視晶片出貨皆同步成長。法人表示，聯發科第一季受惠於天璣系列5G智慧手機晶片出貨暢旺，加上4G／3G智慧手機晶片需求持續強勢，加上WiFi及電源管理IC等成長型產品亦有亮眼表現，因此使第一季合併營收改寫新高水準，且稅後淨利將有機會相較2020年同期倍數成長，並且寫下歷史新高。
據了解，由於5G智慧手機市場需求在2021年可望超過5億支以上水準，扣除掉蘋果大約20％左右的市占率後，仍有至少約4億支的非蘋陣營規模，高通、聯發科等兩大手機晶片廠都想搶下這塊市場大餅。
■供貨無虞 大搶高通訂單
其中，聯發科由於有台積電、力積電等晶圓代工大廠，以及日月光投控、京元電等封測廠全力支援，因此5G／4G智慧手機晶片供貨相對高通無虞。供應鏈預期，隨著工作天數恢復正常，加上高通產能受限，因此聯發科第二季5G手機晶片將有望更上一層樓，推動單季合併營收繼續成長雙位數水準，再度改寫新高可期。
不過，在三星德州奧斯汀廠遭逢大雪停工後，使高通搭配5G手機晶片一同出貨的射頻IC出貨受阻，加上三星先進製程良率低於台積電，因此在當前訂單大量湧入之時，高通出貨自然無法因應客戶需求，聯發科也趁勢搶下轉單潮，最快有機會在下半年開始大舉發酵。

Q1營收177.31億、稅後淨利27.05億，較上一季大幅成長近二倍

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DRAM廠南亞科（2408）9日舉行法說會，總經理李培瑛表示，在供給成長有限，加上需求持續上揚同時，預期第二季DRAM報價可望持續上揚，看好南亞科本季營運績效可望優於第一季水準，且記憶體供給緊張有機會延續到2021年底。
南亞科公告第一季自結財報，單季合併營收為177.31億元、季成長20％，毛利率29.1％、季成長7.1個百分點，稅後淨利27.05億元，相較2020年第四季大幅成長192.7％。
回顧南亞科第一季營運概況，李培瑛表示，由於單月及單季產品報價皆同步上漲，因此使毛利率明顯看增，帶動獲利成長。
針對第二季展望，李培瑛認為，舉凡PC、數位電視、5G、機上盒、遊戲機及車用等終端產品需求都持續升溫，加上伺服器恢復成長動能，在所有應用都出現不錯成長動能帶動下，讓市況需求供不應求。
至於供給端部分，李培瑛表示，目前供應鏈庫存水位仍偏低，加上2021年上半年供給成長有限，有機會帶動記憶體市況一路維持供給吃緊狀況到年底，因此對於記憶體市況可望抱持樂觀態度看待。
產品端部分，李培瑛指出，由於大廠產能移轉效應下，使DDR3記憶體呈現較為缺貨狀況，DDR4部分，產品價格亦開始呈現漲勢。供應鏈指出，由於三星、SK海力士及美光等三大DRAM廠，自2020年下半年開始將資源投入製程微縮，同時又減少利基型DRAM供給，使DDR3供給緊缺。
從價格面來分析，李培瑛表示，2020年第四季DRAM報價雖然呈現季減狀況，但事實上自2020年10月起報價就開始上漲，且進入2021年第一季後，單季及單月報價就開始顯著升溫，且綜合上述因素，預期第二季單月及單季價格仍有機會持續成長，其中伺服器DRAM報價漲幅就可望達到一成水準，顯示DRAM市況開始明顯升溫。
因此整體來看，李培瑛看好，南亞科在這波趨勢帶動下，第二季營運將可望繳出優於第一季水準。法人指出，目前終端需求拉貨力道皆相當旺盛，且追加訂單力道十分強勁，這股力道至少有機會旺到第三季，記憶體市況亦然，預期南亞科第二季合併營收有機會力拚季增雙位數成長水準。