政府主導拚經濟 韓半導體、面板 大投資1.5兆 綜合外電報導　韓國政府周一宣布，韓國半導體和面板大廠計劃2024年以前在國內市場投資合計51.9兆韓元（約1.5兆台幣），振興本國經濟並且創造就業。 政府邀10位企業高層商討　半導體、面板大廠10位企業高層周一出席由產業通商資源部召開的會議，商討高科技產業未來發展策略，三星電子副董事長暨執行長權五炫（Kwon Oh-Hyun）、SK海力士副董事長朴星昱（Park Sung-wook）、樂金顯示器（LG Display，LGD）執行長韓相範（Han Sang-beom）皆參與其中。 三星大手筆攻OLED面板　三星電子表示，2021年以前將投資21.4兆韓元在韓國京畿道和忠清南道建造最新有機發光二極體（OLED）面板廠。　SK海力士則宣布，2024年以前擬於忠清南道打造NAND快閃記憶體廠房。LGD表示，未來3年擬斥資15兆韓元在慶尚北道興建OLED廠房。 韓國擴大支持半導體面板　產業通商資源部部長Paik Woon-gyu承諾將擴大對半導體和面板業的支持，此兩大產業是韓國出口主力，也是新一代技術革命的核心領域。他表示，「中國大舉投資，為要縮短與產業領導業者的技術差距，這也可能導致全球供應過剩。韓廠必須付出更多努力，防止技術和人才外流至競爭國家。」 由於分析師看好三星電子獲利表現，該公司周一股價大漲4.13％至262.4萬韓元，刷新歷史高點。SK海力士股價勁揚3.24％至7.97萬韓元，同樣締造新高。　韓股KOSPI指數周一揚升1.35％，收在2,418.21點，創6周高點。分析師表示，此波漲勢主要受到科技股帶領，尤其半導體價格上揚，市場對三星前景相當樂觀。　業界人士先前估計，為因應全球手機和電腦晶片需求熱潮，三星與SK海力士2017年擴建升級廠房資金合計達30兆韓元，寫下新高，估計三星占其中20兆韓元，SK海力士投資約9.6兆韓元。

台北報導　蘋果日前舉行的iPhone新機發表會上，再度讓擴增實境（AR）亮相，並宣布將搭配最新行動作業軟體iOS 11一同推出，讓擴增實境正式登陸手機平台，預料將掀起一波AR遊戲或生活工具應用程式熱潮。　目前安卓陣營當中，IC設計廠鈺創（5351）與Google正在進行擴增實境（AR）配件包認證，期盼最快年底將可望有好消息傳出。　蘋果本周在美國舉行iPhone新機發表會，一口氣推出三款智慧手機，除了大家討論度相當高的Face ID，也就是利用3D深度感測的人臉辨識功能以外，最吸睛的莫過於AR展示。　會中主講者利用手機鏡頭對著空無一物的桌面，畫面中立即顯示出對應桌子大小的3D模型，使用者即可與朋友透過不同手機看到桌面上的相同3D模型，即可進行遊戲或是各種互動。　事實上，蘋果早在3個月前的全球開發者大會（WWDC）上就已經預告過，未來將會以AR為主要開發導向，因此當中也將配件包釋出讓AR廠商開發，也就代表iOS 11上線後，消費者即可在較為先進的iPhone機種上體驗到AR應用程式。　至於Google陣營也不甘示弱，先前透過Tango平台與鈺創進行3D感測、AR與人臉辨識合作。鈺創子公司鈺立微電子已經具備3D深度影像測距控制IC的研發能力，也就代表未來只要搭配Google的深度學習（Deep Learning）演算法，就可以讓安卓陣營具備3D建模的人臉辨識功能及AR體驗。　蘋果及Google目前也已經對外釋出AR原生演算法，代表應用程式開發者將可更輕易開發出對應在不同平台的AR軟體，目前安卓陣營也僅有華碩及聯想有推出AR功能手機，目前業界盛傳華為及Vivo將是下一波推出AR手機的廠商，AR功能爆發崛起，對於鈺創而言也代表商機來臨。

中芯張汝京：引進國外的「老師傅」來培育新手，以解決人才荒...綜合報導　為持續做大半導體海內外投資布局，大陸51家企業、25家投資機構昨（15）日成立「中國半導體投資聯盟」，為業界及資本市場搭建平台。大陸晶圓代工龍頭中芯國際創辦人張汝京表示，行業當下面臨的最大問題是人才，最好透過引進國外「老師傅」解決該問題。　聚集數百家半導體企業的「2017集微半導體峰會」昨日在廈門舉行，會中「中國半導體投資聯盟」正式啟動，紫光集團、中芯國際、聯芯科技等51家大陸半導體企業，以及國家集成電路產業投資基金（大基金）股份有限公司為首的25家投資機構參與其中。　通信世界網報導，此一聯盟主要在整合大陸各類半導體產業、資本的優勢資源，實現資源互補、資訊互通，發揮產業資本效益最佳化，並促進聯合成員合作、突破海外併購障礙。　針對聯盟成立前夕，陸資基金收購美國萊迪思半導體的案子遭美國總統川普否決，與會的張汝京昨表示，大陸半導體業者面對海外併購案機會與挑戰並存，雖然有些國家對大陸出資方設限，但還有一些與大陸友好的國家可做為併購標的，「注意不要打草驚蛇、樹大招風。」他認為，也可聯合友好的外國企業，以先併購、再協商的方式進行。　張汝京並點出當下大陸半導體業首要問題：人才。他認為，最佳的解決辦法是引進國外的「老師傅」，積極培育國內新手，壯大在地人才儲備庫，設立有效激勵機制，形成良性循環。　對於當下大陸半導體產業由東部沿海逐漸向西部內陸發展，有遍地開花的局勢，張汝京提出業內正反面看法。樂觀派認為，去年大陸生產的晶片還不到需求量15％至30％，目前增產遠遠未達飽和階段。即使產能過剩，大陸也可藉由處理太陽能、LED晶片的經驗化解，並透過兼併重組和開拓海外市場解決。　悲觀派則指出，遍地開花可能變成哀鴻遍野，由於半導體產業高投入、高風險、慢回報的特性，更需要一流的人才團隊支撐，即便市場、資金、政府支持到位，晶片界依然面臨與國際、台灣的技術差距。

台北報導 總統蔡英文昨（14）日接見國際半導體產業協會（SEMI）、台灣半導體產業協會（TSIA）董監事及國內外半導體企業代表。她表示，只要企業願意增加在台投資、採購及人民聘用，水、電、土地和人才等各面向，都將盡力滿足產業發展需求。　蔡英文接見國際半導體產業協會全球總裁暨執行長Ajit Manocha及聯發科技副董事長謝清江時致詞表示，去年9月，她與國際半導體產業協會及台灣半導體產業協會的代表在總統府會面時，便感受到半導體產業追求發展的企圖心，而隨著物聯網和智慧應用市場的成長，半導體產業將有更大的發揮空間。　半導體產業對於智慧製造和節能的需求，也會帶動工業4.0供應鏈的發展，因此，不論從任何角度來看，未來半導體產業仍然會位居非常重要的戰略位置。　蔡英文還說，她曾與國際半導體產業協會台灣區總裁曹世綸討論，半導體和精密機械工業的完美結合，是台灣產業競爭力來源之一，過去一年政府啟動「智慧機械產業推動方案」，希望藉由國內製造業及半導體產業的設備需求，引導國內的設備廠商深入工業4.0的領域。

將成大陸首座能在地量產16奈米製程的重要基地，晶圓代工水準吞大補丸台北報導　晶圓代工龍頭台積電昨（12）日在南京舉行晶圓16廠（南京廠）進機典禮，由董事長張忠謀親自主持。張忠謀表示，台積電南京廠將會使大陸在地晶圓代工水準大幅提升，完整的設計生態鏈將幫助大陸積體電路設計業的成長。　張忠謀說，台積電在江蘇、在南京、在台積電園區裡舉行晶圓16廠進機典禮。在這初秋微爽的季節，大家共同見證第一批機台移入生產車間。還記得去年的7月7日，台積電在這裡舉行動土典禮，14個月後的今天，大家再一次聚在這裡舉行進機儀式，同樣的一片土地，但周圍已不是當時的景像，而是眼前這已初具規模的大型園區。　張忠謀表示，台積電是世界半導體技術、產能和服務的領先者，維持業界領導地位多年，台積電的營收在去年底創294億美元新高。今年以來，雖然科技業世界版圖發生變化，但台積電卻持續維持領先地位，市場價值屢創新高，自去年7月7日動土以來，從1,360億美元攀升至今已超過1,800億美元，成長大於30％，台積電始終專注晶圓代工本業，技術穩步向前、產能持續擴充、服務精益求精。　張忠謀說，在去年的動土典禮上，曾說台積電南京會是大陸第一座能夠在地量產16奈米製程的重要基地，時隔1年有餘，這個預期仍然成立，台積電南京將會使大陸在地晶圓代工水準大幅提升，完整的設計生態鏈將幫助大陸積體電路設計業的成長。　張忠謀認為，南京晶圓16廠的順利生產，必須仰賴設備供應廠商的充分合作，感謝諸位前來參與台積電機台移入廠房的典禮。這是台積電工程師們忙碌的起點，也同樣是諸位辛勞的開端，各位的鼎力協助是台積電成功的基石。相信在大陸半導體市場的快速成長的背景下，持續深入的合作定會帶來更多互利共贏的商機。　張忠謀預期，進機典禮將會是台積電員工以及廠商夥伴新旅途的開始，還有很長的路要走，需要大家攜手努力前行。我們對台積電南京廠充滿期待，也寄予厚望，不僅因為這裡將會是南京市邁向未來發展的一個嶄新地標，更因為各級領導在過去一年中對台積電的關注與支援，讓台積電更堅信南京將會孕育出真正適合半導體產業發展成長的環境，這將不僅支援台積電、支援台積電的設備商夥伴們、也將支援整個積體電路設計業，乃至於全球的積體電路產業發展。

與賽靈思、安謀、益華共同發表，滿足各種高效能運算產品需求 台北報導　晶圓代工龍頭台積電昨（11）日宣布與賽靈思（Xilinx）、安謀（ARM）、益華電腦（Cadence）共同發表全球首款加速器專屬快取互連一致性測試晶片（Cache Coherent Interconnect for Accelerators，CCIX），該晶片採用台積電的7奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程技術，將於2018年正式量產。　該測試晶片是提供概念驗證的矽晶片，展現CCIX的各項功能，證明多核心高效能ARM架構中央處理器（CPU）核心能透過互連架構和晶片外的可程式邏輯閘陣列（FPGA）加速器同步運作。　由於電力與空間的侷限，資料中心各種加速應用的需求也持續攀升。像是大數據分析、搜尋、機器學習、無線4G／5G網路連線、全程在記憶體內運行的資料庫處理、影像分析、以及網路處理等應用，都能透過加速器引擎受益，使資料在各系統元件間無縫移轉。無論資料存放在哪裡，CCIX都能在各元件端順利存取與處理資料，不受資料存放位置的限制，亦不需要複雜的程式開發環境。　CCIX可充分運用既有的伺服器互連基礎設施，還提供更高的頻寬、更低的延遲、以及共用快取記憶體的資料同步性。這不僅大幅提升加速器的實用性以及資料中心平台的整體效能與效率，亦能降低切入現有伺服器系統的門檻，以及改善加速系統的總體擁有成本（TCO）。　這款採用台積電7奈米製程的測試晶片將以ARM最新DynamIQ CPUs核心為基礎，並採用CMN-600互連晶片內部匯流排以及實體物理矽智財（IP）。為驗證完整子系統，Cadence還提供關鍵輸出入埠（I/O）以及記憶體子系統，其中包括CCIX IP 解決方案的控制器與實體層、PCIe 4.0/3.0 IP解決方案的控制器與實體層、DDR4實體層、包括I2C、SPI、QSPI在內的周邊IP、以及相關的IP驅動器。　合作的廠商運用Cadence的驗證與實體設計工具實現測試晶片。測試晶片透過CCIX晶片對晶片互連一致協定，可連線到賽靈思的16奈米Virtex UltraScale+ FPGA。測試晶片預計於2018年第1季初投片，量產晶片預訂於2018下半年開始出貨。　台積電研究發展／設計暨技術平台副總經理侯永清表示，人工智慧與深度學習將對包括媒體、消費電子、以及醫療等產業產生重大衝擊。台積電最先進的7奈米FinFET製程技術提供高效能與低功耗等利益，能滿足這些市場對於各種高效能運算（HPC）應用的產品需求。

12吋報價Q4達80美元，需求已看到明年Q1，屆時合約價可能衝上100美元台北報導　半導體矽晶圓「超級大循環」效應持續發威，不僅今年以來價格逐季調漲、第4季12吋已達80美元，明年第1季更因為供給端出現近10％的缺口，預期報價可能狂飆至100美元、季增高達25％。甚至，業界還傳出矽晶圓廠商釋出：「要客戶先付訂金，才能優先鞏固產能並鎖定價格」的訊息，更創下近10年來先例。　半導體矽晶圓第3季價格續漲，包括環球晶（6488）、合晶（6182）、台勝科（3532）的營運表現穩定向上，吸引買盤回流。從股價的技術面來看，合晶從上周一起漲，一舉突破近一個半月的盤整，單周大漲26.1％，創2012年4月以來新高，表現最為強勁；環球晶上週漲幅9.5％，270元的收盤價也直逼8月初創下的282元歷史高點。　由於半導體廠已明顯感受到下半年矽晶圓供不應求情況，所以對於矽晶圓漲幅的態度上，已由以往的「萬分抗拒」，逐步轉為「要求先簽約以鞏固供應量」，而這也讓第4季矽晶圓合約價順利調漲。　根據半導體通路業者指出，矽晶圓價格在第3季調漲10～15％後，平均價格已來到70美元左右，第4季續漲10％，平均價格已順利站上80美元大關。今年因為蘋果iPhone 8推出時間較晚，半導體市場旺季向後遞延，明年第1季淡季不淡，加上矽晶圓廠目前產能已無法滿足所有客戶需求，出貨已進入配銷（allocation）情況，因此，正在協商中的明年第1季價格漲幅已明顯擴大。　業界表示，由於大陸半導體廠為了爭取更多矽晶圓產能，願意以加價10～20％方式鞏固供給量，導致明年第1季矽晶圓報價大漲，平均價格已談到100美元，換算等於價格季增25％。　因為矽晶圓廠沒有擴產動作，業界對於2018年全年缺貨有高度共識，在此一情況下，矽晶圓廠為了優先滿足大客戶需求，已通知客戶若可先預付訂金，就可先鞏固產能及鎖定出貨價格。

台北報導 IC設計龍頭聯發科昨（7）日公告8月合併營收224.96億元，月增18.6％並優於市場預期。由於大陸智慧手機市場庫存去化結束，新機進入拉貨階段，聯發科9月營收只要維持8月相同水準，就可達到第3季財報高標。以目前大陸智慧型手機銷售動能來看，法人樂觀看待聯發科第3季營收超標機率大增。　受惠於手機晶片出貨明顯成長，聯發科8月合併營收達224.96億元，與7月189.69億元營收相較明顯成長18.6％，但與去年同期的258.70億元相較仍下滑13.0％。累計今年前8個月合併營收達1,556.27億元，較去年同期的1,791.22億元下滑13.1％。　聯發科第2季合併營收580.79億元，歸屬母公司稅後淨利約22.1億元，每股淨利1.51元。聯發科第3季簡式財測也已公告，合併營收將介於592～639億元，較第2季成長2～10％，每股淨利預估介於2.11～2.57億元。　以聯發科7月及8月合併營收來看，聯發科9月營收只要維持8月水準，就可達到營收預估值的上緣639億元。由於近期聯發科手機晶片銷售動能明顯回溫，轉投資子公司如立錡、奕力等亦進入出貨旺季，法人因此看好聯發科第3季營運表現將優於先前預估，等於季度營收超標機率已大增。　聯發科第3季因為手機市場受到庫存調整及零組件漲價的影響，市況旺季不旺，不過，成長型及成熟型產品需求則見提升，隨著大陸中低階智慧型手機銷售動能在近期回溫，預期聯發科第3季行動運算平台出貨量可望上看1.2億套，達到原先出貨目標的高標。　在手機產品線上，聯發科第2季已陸續推出搭載Helio P20的幾款手機上市，8月底正式發表採用16奈米的Helio P23及P30等2款手機晶片，並已打進中國移動雙卡雙VoLTE平台，並預計下半年全產品支持雙VoLTE平台。對聯發科來說，採用新數據機（Modem）的成本優化Helio P系列手機晶片，已順利導入多家品牌商，入門款產品將在第四季量產，明年還會有2個新P系列的產品推出。以中長期來說，聯發科在智慧型手機策略，將以改善毛利率及提升市占為首要目標。

未來3～5年，每年再投資20億美元，未來18個月內還要再召募1,500名員工。台中報導 美光決定加碼投資台灣，將台灣據點定位為全球DRAM生產重鎮，有三分之二產能會在台灣生產。美光全球製造資深副總裁Wayne Allan昨（6）日表示，美光在台投資已逾120億美元，未來3～5年將每年再投資20億美元，用來提升製程技術及興建封測廠，未來18個月內還要再召募1,500名員工。　Wayne Allan表示，看好未來2季度的DRAM市況，且將與上季一樣需求強勁且供貨吃緊，美光的DRAM策略是在維持產能不變情況下，提高生產效率來拉高位元成長率，近期內並無興建新晶圓廠擴產計畫。　美光的全球晶圓廠佈局中，NAND Flash產能集中在新加坡及馬來西亞，DRAM產能則集中在台灣及日本，與英特爾合作開發的3D XPoint記憶體生產據點位於美國。至於原本生產NOR Flash的新加坡8吋廠將在18個月後關閉，不過美光位於美國維吉尼亞的12吋廠已經開始量產，會維持NOR Flash產能不變。　美光十分重視台灣DRAM生產鏈的投資，日前在台宣布成立DRAM卓越製造中心，就是要把台中廠（原瑞晶）及桃園廠（原華亞科）的技術及產能進行整合，並且在台中廠對面興建新的封測廠，在台灣打造DRAM完整生產鏈。 台中廠已開始以1x奈米製程量產，桃園廠將在明年跟進，之後還會進行投資升級製程至1y/1z奈米。　由於今年以來DRAM市場持續缺貨，價格一路調漲，Wayne Allan表示，截至上個月底的2017年會計年度第四季是個強勁的季度，營收將達57～61億美元符合原先預期，而整個產業來看，DRAM廠都沒有興建新晶圓廠的計畫，預期未來2個季度的市況將與上季相當。也就是說，DRAM的好光景還可維持到明年。　Wayne Allan表示，由於客戶需求強勁，美光在DRAM產能配置上，會把台中廠及桃園廠內的晶圓測試產能，移至台中廠對面的封測廠廠區，8月底向TPK（宸鴻）買下的大鴻先進的廠區，就會用來建立晶圓測試廠。而將晶圓測試產能移出後，台中廠及桃園廠就還有空間可以增加投片量。美光的策略是在維持產能不變情況下，提高生產效率來拉高位元成長率，並且維持目前市占率。　Wayne Allan表示，美光DRAM生產線已經開始採用智慧製造及大數據，利用在每個機台設備上搭載的感測器來收集資料，進一步分析後提升設備生產效能，如此一來就可以有效提高位元出貨量，如與一年前相比，整個晶圓廠的前置時間縮短了25％，過去18個月內生產效能已提升20％以上。

台北報導 記憶體大廠華邦電今年下半年DRAM及NAND/NOR Flash產能全開，但仍不能滿足客戶強勁需求。華邦電原本計畫在台灣及新加坡兩地擇一興建新12吋晶圓廠，如今確定將落腳台灣，選擇在南科高雄園區興建新廠。華邦電新廠主要是為了因應2020年之後需求，生產線將以20奈米世代製程DRAM為主體，也可望建置3x奈米NAND/NOR Flash產能。　華邦電董事長焦佑鈞在今年股東常會中表示，今年記憶體需求強勁且產能供不應求，華邦電計畫興建新廠因應2020年後需求，至於新廠設廠地點將以台灣優先。而華邦電昨日宣布，新12吋晶圓廠將落腳在台灣，設廠地點在南科高雄園區，將依未來董事會通過時程，公告建廠及產能規劃相關事宜。　焦佑鈞日前表示，因為建築業目前很缺土木人工，新12吋廠的建廠時間恐要由1年拉長到20個月，加上裝機與試機的時間，從建廠到量產時間需以3年計算，預計第三季決定設廠計畫。華邦電已去南科的高雄路竹基地看過，6月向南科管理局補提計畫，需地約25公頃。　華邦電今年將全力擴充NOR Flash產能，希望一年內可以把供給缺口補起來，中科廠現在月產能達4.3～4.4萬片，預計年底可達4.8萬片，明年下半年達5.3萬片，但台中廠房空間最多只能擴充到5.5～5.6萬片。然以長期來看，華邦電需要興建新廠來推升業績成長，同時也能把DRAM產能限制移除。　華邦電總經理詹東義日前指出，台中廠產能不足且Flash需求強勁，DRAM及Flash的生產設備不同，今年擴產都以Flash為主，目前台中廠DRAM製程已可支援3x/2x奈米，但投資金額很大，反而是擴充Flash產能的投資效益較好，台中廠的擴產以投資報酬率（ROI）最大化為主軸。但長期來看，華邦電需要興建新晶圓廠，DRAM產能限制才能移除。　華邦電的DRAM製程下半年將開始導入38奈米，低容量 NAND Flash目前採用46奈米生產1～2Gb容量晶片，後續進行製程微縮後可望進入32奈米世代，至於NOR Flash製程以46/58奈米為主。設備業者預期，華邦電新廠應可在2020年進入量產，以製程推進來看，新廠將會以20奈米世代製程DRAM產線為主軸，NAND/NOR Flash則會建置3x奈米產能，後續再視情況建置2x奈米生產線。