報導記者／涂志豪

台北報導

記憶體廠華邦電子（2344）搶在年底前推出新一代超低功耗記憶體搶進物聯網及車用市場，其中256Mb DRAM具備極低待機功耗與高效能的特性，適合使用於穿戴式裝置或物聯網相關應用上。華邦也推出了業界最低1.2V電壓的快閃記憶體，包括適用於車用的NOR Flash、以及用於高於工規溫度和高速的SPI NAND。
華邦電第3季合併營收136.81億元，單季歸屬母公司稅後淨利達28.40億元，改寫18年來單季獲利新高，每股淨利0.71元。華邦電前3季合併營收達393.22億元，較去年同期成長14.4％，平均毛利率年增5.4個百分點達38.4％，營業利益年增51.5％達66.98億元，歸屬母公司稅後淨利達65.68億元，較去年同期成長74.6％，每股淨利1.65元。
受美中貿易戰衝擊終端需求，華邦電公告10月合併營收月減3.8％達41.55億元，較去年同期下滑7.5％，法人預估第4季營收雖較第3季下滑，但可維持在120～130億元之間，全年每股淨利將賺逾2元。華邦電不評論法人預估財務數字。
華邦電搶年底推出一系列超低功耗記憶體，全力搶攻物聯網及車用電子市場。DRAM部份推出最新深度自我刷新DSR技術及相容LPDDR規格的256Mb DRAM，獲瑞昱採用在低功耗IP Cam方案中。
快閃記憶體部份，華邦電推1.2V超低電壓但達64Mb高容量的NOR Flash，明年底還推出128Mb容量，至於適用於車用電子的512Mb/1Gb NOR Flash也將在明年上半年推出。在NAND Flash部份，華邦電今年SLC NAND製程主力以46奈米為主，但全新32奈米SLC NAND已開始投片，首款2Gb ONFI NAND已送樣認證中，2Gb SPI NAND將在明年上半年送樣。
華邦電總經理詹東義在法說會中指出，華邦電不與一線大廠在標準型記憶體市場競爭，主攻高品質市場，已獲頂尖客戶青睞及下單，由於產能供不應求，才會投資興建高雄廠。華邦電有許多新產品陸續推出，包括業界最低1.2V的快閃記憶體，以及讀取速度可與NOR媲美的高速序列式SPI NAND等，將可為華邦電營收及獲利帶來穩定成長動能。