報導記者／涂志豪

GaN及SiC市場高速成長，國際大廠擴大布局，嘉晶等受惠

台北報導
看好電動車及自駕車、5G高速通訊等新應用將成為明年功率半導體市場亮點，包括英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semi）、德州儀器等IDM大廠，今年以來加強在第三代半導體材料碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）布局，市場已進入高速成長階段。漢磊控股（3707）及轉投資矽晶圓廠嘉晶（3016）已擴大GaN及SiC布局，昇陽半（8028）在晶圓薄化技術上亦領先同業將直接受惠。
今年以來包括金氧半場效電晶體（MOSFET）及絕緣閘雙極電晶體（IGBT）等功率半導體需求暢旺，在IDM廠擴大委外代工情況下，漢磊、嘉晶、昇陽半等接單暢旺。漢磊公告前3季合併營收年增22.0％達48.21億元，營業利益2.97億元且與去年同期相較已由虧轉盈，歸屬母公司稅後淨利1.07億元，每股淨利0.40元，優於去年同期的每股淨損0.66元。
嘉晶受惠於矽晶圓出貨放量且調漲價格，前3季合併營收年增32.2％達33.18億元，營業利益3.99億元，較去年同期大增逾1.6倍，歸屬母公司稅後淨利3.40億元，較去年同期大幅成長逾1.9倍，每股淨利繳出1.24元亮麗成績單。
昇陽半爭取到IDM廠提高晶圓薄化委外代工訂單，前3季合併營收年增11.8％達15.48億元，營業利益年增3.5％達2.07億元，歸屬母公司稅後淨利1.58億元，與去年同期1.33億元相較成長18.8％，每股淨利1.30元優於預期。
由於MOSFET及IGBT技術已無法有效因應電動車及自駕車、5G高速通訊、人工智慧及高效能運算（AI／HPC）等新應用對於高壓、高溫、高頻的操作模式，國際IDM大廠全力投入SiC及GaN市場。功率半導體大廠英飛凌昨日就宣布收購德國新創公司Siltectra，因該公司開發一種創新的冷切割技術 （Cold Split），可有效處理晶體材料，並可大幅減少材料損耗，用於分割SiC晶圓可產出雙倍的晶片數量。
事實上，GaN及SiC功率半導體除了耐高電壓、低導通電阻及低切換損失等特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，十分適合未來電動車或5G應用。為了搶攻新技術市場商機，漢磊及嘉晶已投入GaN及SiC的矽晶圓及晶圓代工技術多年，明年可望小量出貨，至於昇陽半亦開始展開新一代功率半導體晶圓薄化技術研發，在GaN及SiC市場不會缺席。