報導記者／涂志豪

具備縮短充電等優勢，今年看好接單放量，營運可望優於去年

台北報導
碳化矽（SiC）製程二極體（Discrete）或金氧半場效電晶體（MOSFET）已開始被大量應用在電動車市場，由於具有提升續航力及縮短充電時間等多重優勢，預期2020年開始逐步取代矽基功率元件並進入成長爆發階段。漢磊投控（3707）旗下晶圓代工廠漢磊科、磊晶矽晶圓廠嘉晶（3016）已完成SiC上下游整合布局，受惠於IDM廠擴大委外及新興IC設計公司訂單到位，2020年接單放量有助於營運表現大幅優於去年。
目前半導體所使用的材料仍以矽為主，其具有製程成熟度高、成本低等優點，然在需耐高電壓及高溫、高功率、高頻運作等應用場景，矽基半導體面臨極限，寬能隙（WBG）材料SiC則開始受到重視，主因其特性包括寬能隙、擊穿電場強度大、電子飽和移動速度快、熱傳導率快等，故在嚴苛環境下亦能穩定操作。
DIGITIMES Research分析師林芬卉認為SiC功率元件於電動車應用極具潛力，除終端市場年增率高，SiC亦有助於系統小型化、減輕車身重量、提升續航力、縮短充電時間等多項好處，因此，於此應用將漸取代矽基功率元件。
SiC功率元件較早導入的領域為太陽能及儲能中的逆變器，功率半導體業者看好SiC未來在電動車的應用，除電動車市場將呈兩位數成長外，SiC功率元件導入車載充電器（OBC）、逆變器、DC／DC轉換器等，有助於縮短充電時間、縮小系統及電池體積、減輕車身重量、增加續航力等，將漸取代矽基功率元件於車載端的應用。
漢磊投控2019年加快在SiC市場布局，旗下晶圓代工廠漢磊科旗下三座晶圓廠都已通過車規認證，4吋廠量產600V～1200V的SiC蕭特基二極體（SBD）及SiC MOSFET，6吋廠提供SiC晶圓代工服務，並爭取1700V高壓SiC SBD發展及SiC溝槽式（trench）MOSFET代工。至於同集團嘉晶已量產600V～1200V的4吋及6吋SiC磊晶矽晶圓並已出貨給客戶。
嘉晶2019年合併營收38.55億元，較2018年減少14.8％。漢磊投控2019年合併營收54.19億元，較2018年下滑15.8％。漢磊營運在2019年第四季回溫，配合客戶進行電動車的VDA 6.3評鑑和製程驗證可望在2020年上半年完成，而且隨著客戶訂單回流，SiC晶圓代工及矽晶圓等產能利用率逐步回升，看好化合物半導體2020年營收占比將較去年翻倍達二成水準。