報導記者／涂志豪

台北報導
看好第三代半導體材料碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）的未來前景，矽晶圓大廠環球晶22日與交通大學簽署備忘錄，將共同合作成立化合物半導體研究中心。透過產學合作，攜手研發第三代半導體材料，包含但不限於6吋至8吋SiC 和GaN之技術開發，用以支持晶體成長、提供高性能元件應用所需，以利快速建構台灣化合物半導體產業鏈。
交通大學代理校長陳信宏表示，交大結合校友力量，每年募款1億元，協助交大推動尖端研究，期望5～10年能有3～5個領域達到世界第一目標，進而成就「偉大大學」之願景，並規畫以半導體、人工智慧（AI）、生醫為三大重點領域。
其中，半導體晶圓發展小組特別與台灣第一大、全球第三大的矽晶圓大廠環球晶合作。由於SiC和 GaN是非常具有發展前景的半導體材料，在5G、電動車、太陽能發電、功率發電的應用上，是最重要的成功關鍵。
交通大學結合多所學校相關研究的教授群，以化合物半導體材料研究和人才培育計畫為主軸，與環球晶共同努力加速開發SiC和GaN，建立產學互饋循環機制並培育國際級研發團隊，以利提升台灣半導體產業於全球的競爭實力。