報導記者／涂志豪

受惠美擴大對陸禁令，記憶體市場下半年逐步好轉；去年每股純益3.25元
台北報導
　記憶體需求低迷及價格大跌，記憶體廠華邦電（2344）去年第四季獲利衰退，單季每股純益0.14元，去年合併營收945.30億元，歸屬母公司稅後純益129.27億元，均較前年衰退，每股純益3.25元。法人表示，華邦電第一季營運面臨虧損壓力，但可望在第二季觸底復甦。
　華邦電去年第四季合併營收季減13.2％達192.24億元，較前年同期減少26.1％，毛利率季減8.0個百分點達37.5％，較前年同期減少7.6個百分點，營業利益季減72.4％達9.57億元，較前年同期減少82.8％，歸屬母公司稅後純益5.46億元，較上季減少79.5％，與前年同期相較下滑87.0％，每股純益0.14元。
　華邦電去年合併營收945.30億元，較前年下滑5.1％，平均毛利率年增2.8個百分點達45.5％，營業利益165.35億元，年減10.3％，歸屬母公司稅後純益129.27億元，年減4.9％，每股純益3.25元。
　法人表示，去年第四季包括DRAM、NAND Flash、NOR Flash等記憶體均呈現供給過剩，價格明顯下跌，華邦電出貨減少並進行減產，季度獲利出現大幅下滑情況。由於第一季記憶體價格續跌，華邦電公告1月合併營收月減24.6％達48.86億元，較去年同期減少43.8％，第一季營運恐面臨虧損壓力。
　不過，全球記憶體廠去年第四季減產，上半年供給過剩壓力可望減輕，業界預期價格第一季及第二季跌幅可望縮小。同時，美國擴大對中國半導體產業禁令，系統廠轉單到台灣及韓國的情況愈趨明確。法人預期記憶體市況可望在第二季觸底，下半年逐步好轉，華邦電營運亦可望在第二季止跌回升。
　華邦電高雄路竹新廠去年第四季啟用，設備產能建置達每月1.05萬片，2月投片量約達0.75萬片，採用25S奈米製程生產DRAM，部份產能則用於進行20奈米DRAM製程研發，產能開出情況會視市況變化進行調整。華邦電新廠第一階段1.05萬片產能完成建置後，第二階段擴充至1.4萬片的時程原訂今年中完成，但目前應會延後到年底。