產業新訊

聯電:樂觀半導體長期需求

新聞日期:2023/05/10 新聞來源:經濟日報

報導記者/李孟珊

致股東報告書 強調將與客戶達成緊密策略夥伴關係 掌握5G、AIoT、電動車大趨勢

聯電將在5月31日舉行股東常會,董事長洪嘉聰在致股東報告書中指出,今年面臨景氣起伏調整與地緣政治挑戰,聯電會持續透過創新、差異化的特殊製程技術、卓越的晶圓製造以及多元區域化的產能配置,達成與客戶緊密的策略夥伴關係,在5G、AIoT、電動車等大趨勢下,樂觀看待半導體長期需求成長。

長期目標來看,洪嘉聰表示,製程研發和穩定獲利一直是聯電營運重心,將聚焦具有技術差異化及領先的特殊製程,包括低功耗邏輯、雙極-互補金屬氧化半導體-雙重擴散金屬氧化半導體(BCD)、嵌入式高壓(eHV)、嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)、射頻絕緣半導體(RFSOI)等。

在14奈米製程技術方面,目前客戶以14FFC平台設計的產品良率已突破90%,效能更滿足客戶需求,也已成功的導入5G及網通等應用,並且順利進入量產。

22奈米製程部分,與28奈米高效能精簡型製程技術平台(28HPC)具有相同光罩層數及相容的設計準則,但22奈米製程技術效能提升10%、功耗降低20%、晶粒尺寸減少10%,因此,22奈米製程技術的成本競爭力大大提升,進而提供客戶更多選擇。

關於顯示器驅動器與功率管理製程技術,22奈米高壓25V製程技術的LTPO OLED面板驅動晶片產品已完成驗證程序,今年進入試產;28奈米超低功耗嵌入高壓主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)顯示屏驅動晶片製程技術的開發,也已完成元件模型及設計規範,同樣在今年進入試產。

聯電強調,集團在化合物半導體領域,主要布局通訊元件與第三類半導體功率元件等利基市場,砷化鎵元件部分,針對既有HBT功率放大器持續加入SAWWfilter整合方案,提供手機射頻前端模組與WiFi6╱7通訊模組整合製造方案。

【2023-05-10/經濟日報/A3版/話題】

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