【新竹訊】
易達通科技在氮化鎵（GaN）功率晶片技術領域取得重要進展，成功開發650V和1200V GaN FET功率晶片，用於POE switch，使用300 W╱600W╱1 KW PSU模組，將為電力電子行業帶來顯著的性能提升和效率改善。易達通預計2025年推出1700V GaN FET，標誌著在化合物半導體技術創新邁出重要的一步。

氮化鎵（GaN）為第三類化合物半導體材料，獨特的二維電子氣和高切換速度特性而備受矚目。相比傳統矽（Si）材料，GaN具有高電子遷移率、寬能隙、高擊穿電壓及低導通電阻等特性，成為取代矽基功率元件的理想選擇。

易達通的GaN FET功率晶片具有小型化、低開關損耗、高頻、高效率、高壓、高可靠性等顯著的技術優勢，在許多應用領域極具應用潛力，例如電動車（EV）及充電設施，特別是800V AC-DC轉換器、DC-AC逆變器、車載充電器和DC-DC轉換器，顯著提高效率和減少體積，還可應用於快速充電樁，提高充電速度和效率。

在太陽能發電和風能轉換系統，可提高能量轉換效率，減少損耗，從而增加整體發電量。在數據中心和伺服器電源方面，也能降低能耗和散熱需求，提升系統可靠性和效能。此外，GaN晶片的高可靠性和高效能，成為工業自動化設備的驅動器、電源模塊和馬達控制系統的理想選擇。在消費電子端可大幅減小充電器的體積和重量，及提升充電效率。

易達通開發GaN FET元件，並透過產學合作推展產品應用，與北中南各地區大學教授進行交流，其自主研發的650V及1200V GaN FET獲得高度肯定，將優先採用。易達通也與產業界合作推出140W至560W功率產品，進而開發用在電動車及太陽能的高功率Inverter與Converter。

易達通科技2019年成立，技術團隊憑藉多年研發經驗，成功克服開發GaN功率元件的諸多挑戰，採用先進磊晶生長技術，確保GaN材料高品質和一致性，並優化元件結構設計，實現更低的導通電阻和更高的耐壓性能。易達通相信，GaN技術廣泛應用將為全球電力電子行業帶來革命性變革，推動綠色能源和高效能技術的發展。未來將繼續致力於GaN技術創新和應用，推出更多高性能的GaN功率元件，滿足不同行業客戶的需求。（翁永全）

【2024-07-01/A16版/電子科技】