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新聞日期:2024/09/11  | 新聞來源:工商時報

世界漢磊 合攻八吋SiC

世界砸24.8億取得漢磊13%私募股權;2026下半年量產
台北報導
世界先進(5347)與漢磊(3707)10日簽訂策略合作協議,雙方將攜手合作,推動碳化矽(SiC)八吋晶圓的技術研發與生產製造,世界先進並參與漢磊私募普通股認購,投資金額24.8億元,以共同推動具競爭優勢的產品製造服務,建立雙方的長期策略合作關係。
 漢磊辦理私募增資案,世界先進認購50,000仟股,投資24.8億元,將取得13%股權。
漢磊將於主管機關核准募資登記後,和世界先進展開合作。相關技術初期由漢磊轉移,預計2026下半年開始量產。
結合雙方的技術優勢和市場資源,漢磊及世界先進並將共同進行SiC技術研發、市場推廣,為客戶創造更大的價值;未來雙方亦將評估SiC技術研發及量產進度,進行更進一步的合作。
 此次合作,將專注於八吋SiC半導體晶圓製造的技術開發及未來的量產,由於SiC的材料特性,可以有效提升能源效率,特別在因應全球暖化的節能減碳趨勢下,其應用將普及到電動化車款(xEV)、AI資料中心、綠能儲能及工控甚至消費性產品等。
漢磊董事長徐建華表示,漢磊集團旗下的嘉晶電子(3016)與世界先進長期以來即為矽磊晶事業合作夥伴,本次私募引進世界先進成為策略性股東,透過投資結合將使彼此間的策略合作更緊密。
漢磊與世界先進的合作,將在漢磊現有六吋晶圓製造技術及客戶的基礎上,共同合作進行八吋SiC技術平台開發及產能布建,以提供全球IDM及Fabless客戶具有長期競爭力的解決方案。
本次策略合作可為世界先進、漢磊及嘉晶電子三方公司創造新的成長動能與合作綜效,並為客戶及股東權益創造更高價值。
世界先進董事長方略表示,世界先進與漢磊的策略夥伴關係,將兩家公司的核心資源與優勢緊密結合,為雙方合作奠定互惠雙贏的堅實基礎。

新聞日期:2024/09/05  | 新聞來源:經濟日報

億光四領域將顯著增長

【台北報導】
LED封裝大廠億光(2393)昨(4)日前進台灣國際半導體展(SEMICON Taiwan 2024),展示在光電及功率半導體領域最新產品。億光強調,旗下第三類半導體產品積極拓展至消費、工業及能源領域,預期在車用、工控、充電樁及電源等領域有顯著增長。

億光表示,隨著生成式AI技術爆炸性增長,AI資料中心對晶片需求急劇上升,驅動伺服器電力需求急劇增加,對高效能電力解決方案更加迫切。

第三類半導體產品專為提升電力轉換效率,除了能有效降低能量損耗,也能提供更好的導熱效果,顯著提升伺服器和電動車的能源利用率,並改善工業應用中的能效。

【2024-09-05/經濟日報/C3版/市場焦點】

新聞日期:2024/07/04  | 新聞來源:經濟日報

台亞強攻AI 兩路並進

瞄準相關伺服器、PC商機 旗下氮化鎵、碳化矽產品積極驗證 有助壯大營運量能
【台北報導】
台亞半導體(2340)全力搶攻AI伺服器、AI PC商機,旗下產品氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)都在積極驗證中,若客戶順利導入,將能大舉壯大公司營運量能。業界指出,從趨勢來看,生成式AI應用帶動雲端服務供應商(CSP)升級資料中心伺服器規格,採用SiC、GaN解決方案滲透率將大幅提升。

根據彭博智庫的預測,生成式AI市場將以42%的年增率高速成長,科技巨頭亞馬遜、谷歌、微軟等皆大舉投資生成式AI的研發創新,但是當前資料中心所採用的電力轉換及分配技術,難以滿足雲端計算及機器學習的需求,因此業界正急迫尋找創新電力解決方案。

業界分析,以氮化鎵來說,是屬於第三類半導體寬能隙WBG材料,是「異質磊晶」技術,氮化鎵電晶體將能為電源設備帶來更高的效率水準,據悉,採用氮化鎵功率元件的AC-DC轉換器,效率可達到96%,甚至更高,所減少的功率耗損達50%。

台亞積極加速衝刺第三類半導體布局,台亞先前指出,公司運用6吋氮化鎵產品現有產能擴大搶市,看好隨著AI PC逐漸放量,加上快充滲透率持續提升,都會帶動市場對氮化鎵的需求。

台亞旗下積亞半導體生產的SiC元件,主要聚焦製造基本家電、雲端伺服器電源供應器(server PSU)、太陽光電逆變器(PV inverter)等相關功率元件市場,中長期目標為取得車用認證,進入車載充電器(OBC)、車用逆變器等車載元件市場,躋身國際電動車供應鏈。

整體來看,由於氮化鎵產品和碳化矽不一樣,氮化鎵的市場較不集中,客戶分布廣散,目前主流是快充頭、手機等,可是氮化鎵所能導入的應用相當多,台亞正向看待,以近來市場正夯的AI伺服器和AI PC來說,電源供應需高效率、省電等,很適合氮化鎵元件,看好該產品線未來業績可期。

【2024-07-04/經濟日報/C4版/上市櫃公司】

新聞日期:2024/07/01  | 新聞來源:經濟日報

易達通GaN功率晶片 技術大突破

【新竹訊】
易達通科技在氮化鎵(GaN)功率晶片技術領域取得重要進展,成功開發650V和1200V GaN FET功率晶片,用於POE switch,使用300 W╱600W╱1 KW PSU模組,將為電力電子行業帶來顯著的性能提升和效率改善。易達通預計2025年推出1700V GaN FET,標誌著在化合物半導體技術創新邁出重要的一步。

氮化鎵(GaN)為第三類化合物半導體材料,獨特的二維電子氣和高切換速度特性而備受矚目。相比傳統矽(Si)材料,GaN具有高電子遷移率、寬能隙、高擊穿電壓及低導通電阻等特性,成為取代矽基功率元件的理想選擇。

易達通的GaN FET功率晶片具有小型化、低開關損耗、高頻、高效率、高壓、高可靠性等顯著的技術優勢,在許多應用領域極具應用潛力,例如電動車(EV)及充電設施,特別是800V AC-DC轉換器、DC-AC逆變器、車載充電器和DC-DC轉換器,顯著提高效率和減少體積,還可應用於快速充電樁,提高充電速度和效率。

在太陽能發電和風能轉換系統,可提高能量轉換效率,減少損耗,從而增加整體發電量。在數據中心和伺服器電源方面,也能降低能耗和散熱需求,提升系統可靠性和效能。此外,GaN晶片的高可靠性和高效能,成為工業自動化設備的驅動器、電源模塊和馬達控制系統的理想選擇。在消費電子端可大幅減小充電器的體積和重量,及提升充電效率。

易達通開發GaN FET元件,並透過產學合作推展產品應用,與北中南各地區大學教授進行交流,其自主研發的650V及1200V GaN FET獲得高度肯定,將優先採用。易達通也與產業界合作推出140W至560W功率產品,進而開發用在電動車及太陽能的高功率Inverter與Converter。

易達通科技2019年成立,技術團隊憑藉多年研發經驗,成功克服開發GaN功率元件的諸多挑戰,採用先進磊晶生長技術,確保GaN材料高品質和一致性,並優化元件結構設計,實現更低的導通電阻和更高的耐壓性能。易達通相信,GaN技術廣泛應用將為全球電力電子行業帶來革命性變革,推動綠色能源和高效能技術的發展。未來將繼續致力於GaN技術創新和應用,推出更多高性能的GaN功率元件,滿足不同行業客戶的需求。(翁永全)

【2024-07-01/A16版/電子科技】

新聞日期:2024/06/19  | 新聞來源:經濟日報

環球晶:市況未V型反彈

董座徐秀蘭透露客戶拉貨不如預期 化合物半導體業務成長降至五成 矽晶圓可能明年回溫
【台北報導】
全球第三大、台灣最大半導體矽晶圓廠環球晶董座徐秀蘭昨(18)日表示,客戶需求比預期緩,拉貨意願持續保守,下半年逐步提升中,但沒預期好,較上半年增幅有限,原估計今年會成長二至三倍的化合物半導體業務也難逃價格壓力,成長幅度將降至五成。環球晶仍力拚今年營運「季季高」,但增幅可能比原預期少。

環球晶昨天舉行股東常會,徐秀蘭受訪並釋出以上訊息。

她坦言,受汽車、手機及工業市場需求疲弱影響,市況回升幅度較預期緩和,未能如原先預期出現「V型反彈」,評估矽晶圓端明顯回溫時點可能會落在明年。

隨著時序已近第2季底,徐秀蘭說,如果近期駭客事件最終沒有對於第2季出貨造成太多影響,第2、3、4季營收應當都會往上走。只是她也不諱言,上升趨勢比估計慢很多,導致增幅可能少於原先預期。

徐秀蘭認為,市場上高效能運算(HPC)與記憶體應用需求都好,但汽車、工業應用疲軟,手機應用最近才逐漸上來,客戶端營收已經上升,但持續去化存貨,並評估庫存水位還不算健康,因此導致其拉貨態度相對保守。所以下半年的情況評估確實在提升中,但沒有預期好,比上半年增加的幅度可能有限。

徐秀蘭提到,經過與客戶討論,評估矽晶圓端明顯回溫的時點可能會落在明年。目前12吋產品的需求高於其他尺寸產品,尤其是拋光片產能仍滿載,環球晶相關產能陸續擴充,應可滿足客戶需求。

值得注意的是,徐秀蘭指出,本來預期去年化合物半導體相關表現成長十倍之後,今年會繼續成長兩到三倍,但現在看來,出貨量陸續增加,惟市場價格跌很多,主要是電動車需求疲軟,中國大陸同業新產能又開出,導致市場價格就被壓制很多,因此若想拿訂單,在價格方面就得放軟。

徐秀蘭說,環球晶在碳化矽晶圓方面,是非陸廠當中性價比最好的供應商,但是這波也受到很多價格壓力,估計今年化合物半導體成長幅度將比原預期低,由原估增加二至三倍,降為成長五成。

展望整體矽晶圓市況,徐秀蘭評估,明年由於需求評估轉強,客戶端庫存調整也結束,價格應當會往上。AI浪潮不會停,而且還會有換機潮,記憶體需求增加,導入先進封裝對於矽晶圓需求也會提高。

另外,關於近期駭客事件造成的影響,徐秀蘭表示,生產已大致恢復,而各廠區的出貨復原速度稍有差異,應該在這兩、三天可完全解決,後續會進行詳細調查,並將加固資安系統。

【2024-06-19/經濟日報/A6版/焦點】

新聞日期:2024/06/11  | 新聞來源:經濟日報

漢磊衝第三代半導體

【台北報導】
晶圓代工廠漢磊(3707)目前以6吋晶圓相關業務為主軸,先前傳出規劃朝8吋晶圓相關應用邁進,供應鏈透露,漢磊已與具備8吋晶圓代工能力的業者展開合作,雙方將成立新的公司,衝刺第三代半導體應用。對於相關消息,漢磊不予置評。

業界人士指出,第三代半導體成長趨勢明確,根據研調機構Yole、集邦科技(TrendForce)報告,至2027年,全球碳化矽(SiC)功率半導體市場規模將由2021年的10.90億美元成長至 62.97億美元,年複合成長率為34%,其中,汽車應用將主導碳化矽市場,占比約75%以上;氮化鎵(GaN)方面,滲透率2023年估達1%,總計第三代半導體滲透率約4.75%。

業界分析,第三代半導體前景可期,成為國際整合元件大廠(IDM)重點發展項目,並積極朝8吋晶圓前進,主因8吋晶圓生產晶粒數量為6吋晶圓的1.8倍,更具經濟規模,若漢磊從既有的6吋晶圓延伸至8吋晶圓,將是一大突破,也是業界一項創舉。

供應鏈透露,漢磊具備第三代半導體技術,早已規劃朝8吋晶圓生產前進。

【2024-06-11/經濟日報/C3版/市場焦點】

新聞日期:2024/04/12  | 新聞來源:經濟日報

台亞分割子公司 推動IPO

8吋氮化鎵事業群由冠亞接收 總座衣冠君:分工更明確 將貢獻集團營收
【台北報導】
台亞(2340)昨(11)日召開重大訊息記者會宣布,董事會決議將8吋氮化鎵(GaN)事業群相關營業,包含資產與營收,分割給由台亞半導體持股100%的既存子公司冠亞半導體,並由冠亞半導體發行新股給台亞作為對價,以落實專業分工,提高集團整體營運績效與市場競爭力。

台亞總經理衣冠君表示,氮化鎵事業群正以進度超前的速度,與許多客戶進行相關產品信賴性驗證,從客戶反饋得知,有數個晶片驗證結果與一線大廠旗鼓相當,期盼能加速幾個產品的相關驗證程序,今年開始貢獻集團營收。此次將氮化鎵事業群分割,主要考量讓台亞集團產業分工明確,有利集團資源整合統籌。

台亞指出,此次分割基準日暫定為今年8月30日,並將於今年5月28日提送股東常會討論決議。相關策略為逐步打造「亞家軍」等集團子公司分批推動上市IPO計畫一部分。

台亞表示,此次預計分割的營業價值為10億元,由冠亞半導體以每股票面金額10元普通股一股,換取每股10元的分割標的價值比例,預計發行普通股1億股給台亞作為受讓分割標的物的對價,惟實際發行股數及金額,仍按上述比率以分割基準日分割標的物的帳面價值為依據計算,並依分割計畫規定調整。

台亞指出,此次分割給既存子公司冠亞半導體後,台亞本身相關營運及業務皆正常運作,對原有股東權利義務均無影響。

台亞策略長李國光表示,集團在上、下游供應鏈進行投資或規劃相關子公司,均依照副董事長暨日亞化學常務取締役戴圳家之規劃,按部就班進行,逐步打造「亞家軍」等集團子公司。

台亞預計從化合物第三代半導體、視覺顯示、IC設計、AOI & AI人工智能檢測設備等子公司,分批推動上市IPO計畫。

台亞昨天並公告,董事會決議通過子公司積亞半導體參與「台灣力森諾科科技股份有限公司」新竹科學園區科技廠房標售案,因應營運需求,並於廠房交易事實發生日起算二日內,再行公告相關資訊。

【2024-04-12/經濟日報/C4版/上市櫃公司】

新聞日期:2023/07/20  | 新聞來源:工商時報

中山大技轉碳化矽晶體 助攻半導體

高雄報導
 國立中山大學晶體研究中心率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材,今年7月起技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團,簽訂5年5千萬元技術移轉案,助攻台灣次世代半導體材料優勢。
 中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇19日指出,研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業,除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級,今年7月起更技轉台灣應用晶體集團。第三類(次世代)半導體材料碳化矽(SiC)具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性,但晶體生長的技術門檻高。
 周明奇強調,碳化矽晶體是國家重要戰略物資,可多元應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域,中山大學團隊創全國學研單位之先,已取得晶體生長關鍵突破,成功生長6吋導電型(n-type)4H碳化矽單晶,並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。而除了第三類半導體材料碳化矽晶體的優勢,中山大學同步研發第四類半導體氧化鎵(Ga2O3)的單晶塊材(Bulk Crystal)。
 周明奇表示,中山大學團隊攜手台灣企業共同創新,例如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體100%MIT,長晶爐是由中山大學創新育成中心孵化的企業所打造,坩堝(存放碳化矽原物料的容器)及石墨等隔熱材料更有賴高雄在地企業的應援。他說,特別感謝包括中鋼與中碳的專業支援,提供許多協助。

新聞日期:2022/11/29  | 新聞來源:工商時報

力智攻伺服器 明年看旺

整合氮化鎵新產品通過新客戶認證,營收占比將拉升至雙位數
台北報導
 電源管理IC廠力智(6719)全力衝刺伺服器市場,整合氮化鎵(GaN)的新產品已經成功通過新客戶認證,隨著資料中心、伺服器市場持續成長。法人預期,力智明年在伺服器營收占比將可望從今年的個位數比重,拉升到雙位數水準,使整體營運仍有望保持在高檔水準。
 由於伺服器、資料中心市場仍維持穩健成長動能,在消費性市場需求持續降溫之際,各大半導體廠也開始積極搶攻伺服器、資料中心市場,力智同樣沒放過這塊商機,先前推出的GaN整合成LLC模組現在不僅已經開始量產出貨,且更成功通過新客戶驗證,並可望擴大拿下中國白牌伺服器、資料中心客戶訂單。
 據了解,力智近年來不斷加大力道搶攻伺服器及資料中心市場,先前推出的SPS已經順利打入相關供應鏈,並開始放量出貨中。法人推估,力智在伺服器、資料中心等應用的相關營收占比將可望從今年的個位數水準拉升到雙位數比重,且未來高階VCore能順利獲得客戶採用,業績比重有機會再度提升。
 事實上,當前在伺服器、資料中心市場的電源管理IC仍以歐美大廠為主要供貨來源,不過在美中科技戰過後,中國廠商開始轉向非美系供應鏈採購產品,成為力智得以受惠的主要原因。
 此外,觀察力智近期營運概況,受到消費性市場需求全面下滑影響,使力智10月合併營收呈現月減23.7%至3.41億元,寫下超過兩年半以來低點,相較去年同期明顯減少38.6%。累計今年前十月合併營收達54.34億元、年成長12.4%。
 法人指出,力智今年前三季累計合併營收為50.93億元、年成長19.0%,歸屬母公司稅後純益年成長42.0%至11.44億元,每股稅後純益14.68元。第四季營運仍將持續受到PC市況低迷及客戶庫存調整影響,預期仍將呈現季減幅度,且將季減三成左右水準,不過進入明年後,若消費性市場需求開始回溫,力智的VCore產品線出貨亦有望同步谷底回升,使營運重新回到成長軌道之上。

新聞日期:2022/09/23  | 新聞來源:工商時報

漢磊徐建華:明年營收成長逾兩成

台北報導
 晶圓代工廠漢磊(3707)及轉投資磊晶矽晶圓廠嘉晶(3016)22日召開法人說明會,雖然消費性電子需求疲弱,庫存去化恐延續到明年,但受惠於氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等第三代化合物半導體在車用電子、資料中心、太陽能等應用需求暢旺,漢磊及嘉晶看好明年營運優於今年,其中,漢磊估明年營收將再成長二成以上。
 全球通膨導致消費性電子需求轉弱,半導體生產鏈逐漸進入庫存調整狀態,但車用電子、資料中心、綠色能源等需求仍走強,漢磊已將消費性產能轉至車用及工控,並大舉擴充第三代半導體產能。
 漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示,對未來幾年的化合物半導體市場成長非常樂觀,會布建產能及推動技術精進,希望在早年布建基礎效益下,對未來業績和獲利結構改善有正面幫助。
 漢磊總經理劉燦文表示,雖然消費性市場需求依然疲弱,但第三代半導體供不應求,下半年營收將較上半年成長二位數百分比,全年營收可望成長近四成。其中,化合物產品營收可望成長40~50%,SiC出貨量有機會成長二倍。
 劉燦文表示,明年上半年消費性市場需求可能持續疲弱,不過資料中心及車用市場需求穩定,預期明年總營收可望再成長20%。其中,明年化合物半導體業績逐季成長,全年業績年增上看50%,而漢磊今、明兩年資本支出合計達1億美元,SiC產能將擴增5倍。
 嘉晶總經理孫慶宗表示,上半年需求強勁,第三季仍會續創新高,但因全球通膨干擾及產能開出進度等因素,下半年相對上半年會是低個數位百分比的下滑,仍可達成全年營收成長15%~20%目標。
 孫慶宗表示,明年矽磊晶仍受到庫存調整影響,但化合物半導體相關業績將成長將逾八成,嘉晶明年GaN產能將達今年的2.5倍,新增產能會在明年下半年明顯貢獻營收,SiC明年底產能會是今年底的4~5倍,會在2024年之後帶來強勁營收挹注。

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