產業新訊

新聞日期:2021/12/29  | 新聞來源:工商時報

台灣半導體展 創新材料震撼眼球

大秀氮化鎵、碳化矽、砷化鎵應用,提供5G、電動車、能源管理關鍵技術

 台北報導
 由國際半導體產業協會(SEMI)主辦的台灣國際半導體展(SEMICON Taiwan)28日登場,共涵蓋逾2,150個展位,其中化合物半導體特展更為全台規模最大,攤位數量相較去年成長11%。
 SEMI表示,透過完整展示氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)創新材料應用,化合物半導體特展提供全方位掌握實現5G、電動車、能源管理等關鍵技術最佳平台。
 半導體展開幕首日舉辦「SEMI Talks領袖對談」,邀請聯穎光電、GaN Systems、聯電、漢磊等業者,針對台灣在寬能隙化合物半導體的競爭優勢提出看法。
 SEMI表示,在新興應用科技快速普及的驅動下,功率暨化合物半導體需求蓬勃發展,各國也將其視為國家戰略重點。自2017年起,SEMI即密切關注到化合物半導體的市場需求,透過成立SEMI功率暨化合物半導體委員會,進一步強化整體產業鏈生態系統,促進合作並且引進優秀技術人才,全方位推動台灣產業布局。
 SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出,全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在5G通訊、再生能源及電動車等應用的帶動下,近幾年呈現快速擴張,相關投資將在2021年增長約20%至70億美元並創歷史新高,2022年也預計將再增長至約85億美元。
 在此態勢之下,SEMI也將持續串聯產、官、學、研界,透過建立溝通平台推動跨區域資源媒合,期盼台灣繼矽基礎晶圓領先全球後,化合物半導體領域也能再次成為世界焦點。
 聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan功率化合物半導體委員會副主席林嘉孚表示,過去幾十年來,矽一直是首選的半導體材料。但隨著新興應用科技對於高效能、低能耗的需求越來越高,SiC和GaN等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角,在此主流發展趨勢下,相關商機備受期待。
 聯電協理鄭子銘表示,台灣在化合物半導體人才培育領域因產業界與學術界已建立了良好關係,故相當具有優勢。在技術方面,聯電近年積極投入化合物半導體氮化鎵功率元件、射頻元件製程,鎖定高效電源功率元件及5G射頻元件,全方位鎖定最新市場商機。
 漢磊副總張載良指出,寬能隙半導體材料是全球未來發展的重要科技之一,漢磊看好未來寬能隙半導體市場,積極投入SiC、GaN等材料製程技術開發,更具備4吋、6吋SiC及6吋GaN技術能量。展望未來,將繼續推動台灣寬能隙製造市場發展,鞏固如在矽半導體產業的優勢。

新聞日期:2021/11/26  | 新聞來源:工商時報

日月光切入第三代半導體

旗下環鴻電子跨入GaN市場,鎖定電動車電源模組
台北報導
 日月光投控(3711)旗下EMS廠環旭電子的全資子公司環鴻電子宣布,將入股氮化鎵系統有限公司(GaN Systems Inc.),鎖定電動車電源模組市場,此舉代表日月光投控也將跨足第三代半導體市場。
 環鴻電子宣布與氮化鎵系統公司簽訂股份認購協定,並且成為氮化鎵公司新一輪融資的戰略投資者。
 環旭指出,氮化鎵公司是領先的功率半導體公司,主要從事第三代半導體氮化鎵(GaN)材料相關產品的設計、開發和生產。
 環旭表示,氮化鎵公司募集到的融資將用於加速氮化鎵技術在汽車、消費者、工業和企業市場的開發和應用。隨著電源解決方案從傳統矽器件轉向更小、低成本和高效的功率系統。
 據了解,氮化鎵是第三代半導體技術當中的關鍵材料,由於氮化鎵具備更高轉換效率及更好的散熱性,以及能承受更高功率,因此未來可望被廣泛應在車載充電器、資料中心電源供應器及智慧手充電器等相關市場。
 環旭董事長兼首席執行長陳昌益表示,除了電動汽車功率電子產品之外,未來幾年氮化鎵在各種應用中會越來越普及。氮化鎵公司是氮化鎵技術和應用的先行者,通過與氮化鎵公司的合作,希望為客戶提供更優質、更高效的服務,以及更具成本效益的電源解決方案,並在此過程中實現更低的碳排放。環旭電子未來將繼續在小型化、模組化和汽車電子領域進行投資。
 由於環旭電子是日月光投控持有之EMS廠,因此環旭電子在切入氮化鎵市場後,代表日月光投控未來也將同步打進氮化鎵供應鏈。因此法人看好,此舉將有助於日月光投控快速切入電動車、資料中心及5G等氮化鎵高階市場,推動日月光業績持續成長。
 除此之外,觀察日月光投控業績表現,日月光投控10月合併營收達527.48億元、年成長10.1%,改寫單月歷史次高,累計前十月合併營收為4,498.10億元、年增19.6%,創歷史同期新高。法人看好,日月光投控第四季營運將可望續創新高,且獲利表現有望優於第三季水準,全年獲利將力拚賺進超過一個股本。

新聞日期:2021/09/30  | 新聞來源:工商時報

南方雨林啟動搶攻化合物半導體

超前部署電動車供應鏈,工研院與台南市合作,跨單位研發打造產業生態系
台北報導
全球進入電動車時代,化合物半導體成為最具戰略價值的技術之一,工研院29日宣布「南方雨林計畫」正式啟動,整合跨單位研發資源,在台南六甲及沙崙設立化合物半導體的應用研發基地及測試服務。
29日在副總統賴清德、經濟部次長曾文生及億載會長暨宏佳騰董事長鍾杰霖見證下,工研院與台南市政府簽約,雙方將合作打造全台第一座以電動車應用與化合物半導體動力電子為核心的應用產業專區,推動化合物半導體的產業生態系發展,期盼吸引國內外業者落地投資,進軍國際車用化合物半導體的重要供應鏈。
副總統賴清德表示,為了加速推動地方建設,政府逐步落實的大南方計畫,其中強調「用聚落帶動發展」,不只是北部產業往南拓展,也要發揮南部產業現有的優勢,找到可落地發展的新方向。經濟部次長曾文生表示,由於國際減碳、電動車成為一股新趨勢,其中一個關鍵的技術就是化合物半導體,因為做成的元件可以讓電動車、5G及綠色能源設備運作起來比現在更有效率。從明年起政府就會投入新的計畫來發展這些技術,並善用此機會同步帶動南部產業轉型,台南有半導體產業資源、有汽機車零配件產業能量,期許善用化合物半導體的科技創新,串聯出跨領域的關鍵能力。
工研院院長劉文雄指出,隨著電動車與自駕車商機日益發酵,電子零組件與晶片在汽車占比愈來愈高,因此耐高溫、高壓的化合物半導體將是帶領汽車零組件產業前進下世代智慧車輛的關鍵,也是台灣產業跨足車用動力電子的最佳發展機會。南台灣有許多車用零組件廠商,進入全球一級車廠如特斯拉、法拉利及保時捷等國際供應鏈,這些隱形冠軍與客戶關係緊密,工研院結合台灣半導體與汽車零組件供應鏈優勢,扮演技術提供者及整合平台的角色,鏈結產官學研打造南台灣化合物半導體及動力電子產業新聚落。

新聞日期:2021/09/06  | 新聞來源:工商時報

聯電入股頎邦 跨足封測

台北報導

晶圓專工大廠聯電及旗下宏誠創投、面板驅動IC封測代工廠頎邦,3日分別召開董事會並通過股份交換案,雙方董事會決議以換股方式,相互取得對方股權。業內認為,聯電與三星合作密切,頎邦與蘋果關係深厚,策略合作可為雙方帶進更多生意。
聯電與頎邦結盟,藉由前段晶圓代工及後段封測的串連,打造面板驅動IC及第三代化合物半導體的完整供應鏈,業者可透過結盟減少不必要的重複投資,把資本支出花在刀口上。
聯電、宏誠創投、頎邦等同意依公司法相關規定進行股份交換,由頎邦增資發行普通股新股67,152,322股(約為現在實收資本額10%)作為對價,以受讓聯電增資發行普通股新股61,107,841股,以及宏誠創投所持有的聯電已發行普通股16,078,737股。
雙方協定,聯電1股換發頎邦0.87股。聯電3日收盤價為70元,頎邦收盤價為81.1元,聯電小幅溢價0.8%,換股價值約為新台幣54億元。預計換股交易完成後,聯電及子公司宏誠創投將共同持有頎邦約9.09%股權,頎邦則將持有聯電約0.62%股權。
聯電躍居第一大股東
屆時頎邦股權將膨脹10%,但對今年每股純益影響程度僅1.5%,希望今年底前完成程序,與聯電合作效益可彌補對股東股權稀釋程度。而在雙方換股合作後,長華持有頎邦股權比重將從5.26%被稀釋至4.78%,由聯電和宏誠創投成為頎邦第一大股東。
頎邦在2016年對長華及其轉投資易華電提起營業秘密排除侵害等事件民事訴訟,而長華董事會於7月上旬決議,基於財務性投資考量,擬增加頎邦股票投資案,對頎邦持股比例以不超過10%為原則。法人表示,後續應觀察長華是否會增加頎邦持股。
頎邦董事長吳非艱表示,頎邦不會因為長華干擾而做出防禦措施並做出損害股東權益的事,頎邦與聯電換股合作,是為了掌握面板驅動IC與TDDI等晶圓產能,並與聯電合作第三代化合物半導體。
頎邦與長華有訴訟進行,但頎邦不排除和解,不過和解有兩個條件,首先要對股東交代,其次和解要有交集,不過目前頎邦和長華並沒有交集。

新聞日期:2021/08/24  | 新聞來源:工商時報

德微 跨入前裝車用市場

台北報導
 二極體廠德微(3675)2021年營運持續改寫新高,且進入下半年後將保持成長動能,2022年將更上一層樓。德微發言人邱桂堂表示,公司當前已經打入前裝車廠供應鏈,加上自敦南併入的封裝產線將開始發揮效益,屆時MOSFET、ESD等產品出貨將可望倍數攀升。
 德微23日舉行法說會,邱桂堂指出,德微近年來不斷進行階段性轉型計畫,先前將深坑廠及桃園廠的整併效益及自動化成果開始全面發酵,且後續在自動化產線全面到位後,產能將有機會持續攀升。
 回顧上半年營運成果,邱桂堂表示,高階伺服器、醫療及車用等需求持續攀升,成為帶動德微上半年營收及毛利成長的主要關鍵。德微公告上半年合併營收達9.68億元、年成長21.4%,平均毛利率為31.5%、年增5.4個百分點,稅後淨利年成長122.7%至1.30億元,每股淨利2.92元,相比2020年同期的1.31元大幅成長。
 德微公告7月合併營收達1.78億元、月成長0.8%,創單月歷史新高,相較2020年同期明顯成長32.6%,累計2021年前七月合併營收達11.46億元、年增23.0%,寫下歷史同期新高。
 法人預期,德微受惠於伺服器、消費性及5G等需求持續攀升,使二極體產品出貨動能持續暢旺,預期下半年合併營收將有機會呈現逐季創高水準,帶動全年合併營收年成長幅度超過兩成,加上整併效益持續發酵,毛利率亦有望維持在當前水準,使全年獲利達到倍數成長的表現。
 對於2022年展望,邱桂堂指出,德微已經成功跨入前裝車用供應鏈,且先前自敦南併入的車用封裝產線預計將在2022年開始投入量產,另外自行開發的MOSFET、ESD等產品將開始放量出貨,屆時出貨成長力道將可望達倍數成長。
 至於在新產品布局上,邱桂堂表示,德微打造的碳化矽(SiC)自動化封裝可望在年底前開始量產出貨。
 
新聞日期:2021/08/24  | 新聞來源:工商時報

化合物半導體投資迭創新高 SEMI推台廠組國家隊

台北報導

據SEMI(國際半導體產業協會)最新報告指出,全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在無線通訊、綠能及電動車等應用的帶動下,過去幾年呈現快速的擴張,預估相關投資將在2021年增長約20%至70億美元,創歷史新高,2022年則預計將再增長至約85億美元,2017~2022年的年複合成長率高達15%。
由於電動車、5G等需求帶動,使氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等需求看增,另外5G掀起的功率放大器(PA)用量亦不斷攀升,使功率暨化合物半導體產值不斷成長,SEMI更預期,2021年全球相關晶圓廠設備投資可望達70億美元的歷史新高水準,2022年將更上一層樓。
SEMI功率暨化合物半導體委員會主席暨穩懋半導體股份有限公司策略長李宗鴻分享,台灣一直以來在全球半導體供應鏈扮演著重要的角色,擁有從磊晶、設計、晶圓代工到封測形成的完整體系。放眼全球,這樣完整而密集的供應鏈體系甚為少見,也是台灣化合物半導體的利基所在。
環球晶圓董事長徐秀蘭表示,雖然台灣的化合物半導體起步相較全球主要供應鏈晚,卻擁有成熟的矽基半導體產業鏈與完整分工,同時在三五族化合物半導體的領域已嶄露頭角。近年來,在更高功率與更高頻率的應用大量需求驅使下,氮化鎵磊晶與碳化矽晶圓及其碳化矽磊晶的產業鏈,已有更多研發與資本投資,逐漸填補產業鏈缺口。
SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示,台灣在以矽為基礎的半導體產業有很好的基礎與能量,在全球地位有目共睹。因應近年化合物半導體需求,SEMI率先串聯台灣廠商,透過全方位的溝通平台,持續推動跨區域資源媒合、進行國際標準建立與政府政策倡議,力推台灣化合物半導體國家隊成形。

新聞日期:2021/04/07  | 新聞來源:工商時報

PA雙雄 3月業績揭曉

穩懋年減4.35%,符合預期;宏捷科單季營收衝破10億
台北報導
PA(功率放大器)雙雄第一季營收成績揭曉,龍頭穩懋(3105)3月營收達19.89億元,月增4.29%、年減4.35%,第一季營收為60.01億元,年減0.98%、季減11.97%,符合預期;二哥宏捷科(8086)3月則重返月成長軌道,單月營收3.71億元,月增10.88%、年增36.29%,單季營收破10億元大關,年增30.97%。
宏捷科已於1月調整產品價格,並表示今年不會再做調整。而漲價效應估計第二季開始逐步發酵,營收將隨擴產與漲價效應齊發,月月增、季季增的成長態勢成型。
宏捷科指出,WiFi 6需求非常強勁,WiFi產品為現階段公司主要營收成長動能來源;另,4G PA成長力道也驚人,特別是大陸將停止2G、3G頻段服務,IoT已由NB-IoT漸次轉入4G CAT.1.,陸系客戶已開始投片,下單量已躍居第二大,宏捷科在4G PA的市占率將隨之再次擴張。
至於5G PA方面,面對中國5G手機換機潮,宏捷科美系客戶因本身產能吃緊,產品供不應求,已多次要求宏捷科提高出片量。宏捷科將在新產能開出後,正式進軍5G PA市場。
穩懋因首季正值淡季,單季營收年減0.98%、季減11.97%,至60.01億元,符合先前法說會所估的預期。
穩懋日前公告,正式取得南部科學園區高雄園區9.7公頃土地使用權,每月未稅租金184.2萬元,土地使用權總金額含各項費用為4.04億元,預計2021年底開始動工蓋廠。

新聞日期:2020/11/04  | 新聞來源:工商時報

環球晶:Q4營運更上層樓

前三季每股獲利22.21元;明年可望搭上碳化矽、氮化鎵等新商機

台北報導
半導體矽晶圓廠環球晶公告第三季稅後淨利33.88億元,維持在30億元高檔水準。對於未來展望,環球晶看好,第四季合併營收將有望持續成長,且公司在2021年將有望搭上碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等新技術商機。
環球晶召開董事會並通過2020年第三季財報,單季合併營收140.06億元、季增2.2%,毛利率37.2%、季減1.4個百分點,稅後淨利33.88億元,表現幾乎與第二季持平,並維持在30億元以上高檔,每股淨利7.78元。
此外,SEMI(國際半導體產業協會)也於3日公布旗下矽產品製造商組織(SMG)發佈的最新一季晶圓產業分析報告,2020年第三季全球矽晶圓出貨面積達3,135百萬平方英吋,雖較上一季萎縮0.5%,但相比去年同期2,932百萬平方英吋有明顯進展,增長幅度達6.9%。
環球晶指出,全球經濟受新冠病毒疫情影響進入衰退,而半導體產業在遠距商機及5G等需求推動下,表現依然熱絡,在如此狀況下,環球晶8吋半導體矽晶圓產能利用率逐步提升,絕緣層上覆矽(SOI)晶圓產能利用率也開始回升,其中12吋矽晶圓需求在先進晶圓需求效應下,表現相當良好,成為第三季業績的營運動能。
另外,環球晶表示,各國視5G為刺激受創經濟的紓困措施之一並加速布建,成為維持半導體穩定成長的動能。環球晶圓前三季出貨與營收逐季成長,仍維持一貫平穩表現,營收及獲利方面皆交出亮眼成績。
累計前三季合併營收為412.22億元年減7.5%,稅後淨利為96.66億元、年減9.96%,寫下歷史同期第三高水準,稅後每股淨利為22.21元,較去年同期下降2.46元。
對於未來展望,環球晶看好第四季業績將有望持續回升。且進入2021年後,由於未來車用、消費品需求將會加大力道採用SiC、GaN等新技術,環球晶將有望搭上SiC、GaN市場興起,推動業績成長。

新聞日期:2020/10/08  | 新聞來源:工商時報

850億 穩懋進駐南科高雄園區

產能將跳升,穩坐全球化合物代工廠龍頭
台北報導
砷化鎵晶圓代工龍頭穩懋為搶攻第三代半導體材料碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)商機,7日獲准進駐南科高雄園區,預計斥資850億元設廠,未來產能將超越現有桃園廠二倍,持續坐穩全球化合物代工廠龍頭寶座。
穩懋計劃在加入南科產業聚落後,將新增逾4,000名就業機會,法人看好,穩懋的進駐將強化南科園區整體產業競爭力。穩懋董事長陳進財指出,穩懋已開始從事第三代半導體材料元件的晶元光電製造之代工服務,因應未來化合物市場發展,決定選定在高雄擴大投資。
氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等寬頻化合物半導體材料將在2021年進入起飛年,穩懋表示,看好5G及Wi-Fi 6/7之手持式裝置及基地台的成長,以及光電元件應用的普及化,將驅動未來市場需求快速成長。除積極投入研發資源,開發5G及光通訊相關技術,並參與科技部推動「重點產業高階人才培訓與就業計畫」,提供博士後在職實務訓練機會,培訓高階研發人才。
科技部南科管理局7日指出,穩懋投資案於今年8月經科技部園區審議會核准。穩懋是全球最大砷化鎵晶圓代工廠,提供三五族化合物半導體電路製程晶圓代工服務,客戶涵蓋全球IDM大廠及IC設計公司,產品主要應用在手機、Wi-Fi及基礎建設之功率放大器(PA)、低雜訊放大器(LNA)等射頻元件,以及3D感測雷射晶片等,關鍵元件在手機、基地台、衛星中不可或缺。
陳進財指出,台灣的工程師很優秀、忠誠度又高,造就台灣成為半導體強國,也吸引國際科技巨擘來台投資,認為台灣有能力成為「亞洲高端製造與研究中心」。
穩懋正式進駐南科園區後,加上北部位於林口華亞科技園區的總部,南北都將持續擴充產能,並預期將新增4,000名就業機會,以其具核心關鍵製程技術的自主開發能力,及人才的持續加入,進行技術深耕與多元發展,可望為「亞洲高端製造與研究中心」的願景再添力。

新聞日期:2020/07/28  | 新聞來源:工商時報

環球晶攜交大 成立化合物半導體研究中心

台北報導
隨著5G、電動車等科技加速發展,功率半導體需求隨之升溫。著眼於第三代半導體材料碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)的發展潛力,環球晶27日與國立交通大學正式簽訂合約,共同合作成立化合物半導體研究中心,攜手研發第三代半導體材料包含但不限於6吋至8吋SiC和GaN晶圓,期能快速建立台灣的化合物半導體產業鏈。
環球晶母公司中美晶榮譽董事長盧明光表示,SiC及GaN是非常具有發展前景的半導體材料,在下一波產業5G、電動車等高功率發電、高頻率的運用上是最關鍵的要素。盧明光強調,世界各國都視SiC為國家戰略發展的原料及技術,台灣應該將第三代半導體發展列為國家科技政策、全力發展。環球晶與交通大學成立化合物半導體研究中心是一個強強結盟的重要起步。
交通大學代理校長陳信宏表示,交大引領台灣半導體研究之先,例如台灣第一片矽晶圓是在交大實驗室完成的。交大結合校友力量,協助學校推動尖端研究,期望五~十年能有三~五個領域達到世界第一的目標,進而成就「偉大大學」願景。
陳信宏指出,在本研究中心,交大團隊將整合跨尺度學理研究特色,並結合環球晶生產製程相關獨特技術,整合理論與實務共同開發創新的高產能相關化合物半導體晶圓製造技術,以製造大尺寸、高品質、低缺陷晶圓為目標。
環球晶表示,相較於傳統的半導體矽材料,SiC及GaN這類寬能隙(WBG)元件具有優異的熱傳導率和高速切換能力,可減少運作損耗,出色的性能適合在高溫高電流環境下運作,可提供更高的功率和絕佳熱傳導。同時,其散熱性能優越,且高飽和電流適用於快速充電,這些卓越的特性適用在5G通訊、快速充電與超高壓產品如電動車領域,深具市場潛力,被視為功率半導體元件的明日之星。

第 3 頁,共 3 頁
×
回到最上方