報導記者／涂志豪

大秀氮化鎵、碳化矽、砷化鎵應用，提供5G、電動車、能源管理關鍵技術

　台北報導
　由國際半導體產業協會（SEMI）主辦的台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）28日登場，共涵蓋逾2,150個展位，其中化合物半導體特展更為全台規模最大，攤位數量相較去年成長11％。
　SEMI表示，透過完整展示氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、砷化鎵（GaAs）創新材料應用，化合物半導體特展提供全方位掌握實現5G、電動車、能源管理等關鍵技術最佳平台。
　半導體展開幕首日舉辦「SEMI Talks領袖對談」，邀請聯穎光電、GaN Systems、聯電、漢磊等業者，針對台灣在寬能隙化合物半導體的競爭優勢提出看法。
　SEMI表示，在新興應用科技快速普及的驅動下，功率暨化合物半導體需求蓬勃發展，各國也將其視為國家戰略重點。自2017年起，SEMI即密切關注到化合物半導體的市場需求，透過成立SEMI功率暨化合物半導體委員會，進一步強化整體產業鏈生態系統，促進合作並且引進優秀技術人才，全方位推動台灣產業布局。
　SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出，全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在5G通訊、再生能源及電動車等應用的帶動下，近幾年呈現快速擴張，相關投資將在2021年增長約20％至70億美元並創歷史新高，2022年也預計將再增長至約85億美元。
　在此態勢之下，SEMI也將持續串聯產、官、學、研界，透過建立溝通平台推動跨區域資源媒合，期盼台灣繼矽基礎晶圓領先全球後，化合物半導體領域也能再次成為世界焦點。
　聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan功率化合物半導體委員會副主席林嘉孚表示，過去幾十年來，矽一直是首選的半導體材料。但隨著新興應用科技對於高效能、低能耗的需求越來越高，SiC和GaN等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角，在此主流發展趨勢下，相關商機備受期待。
　聯電協理鄭子銘表示，台灣在化合物半導體人才培育領域因產業界與學術界已建立了良好關係，故相當具有優勢。在技術方面，聯電近年積極投入化合物半導體氮化鎵功率元件、射頻元件製程，鎖定高效電源功率元件及5G射頻元件，全方位鎖定最新市場商機。
　漢磊副總張載良指出，寬能隙半導體材料是全球未來發展的重要科技之一，漢磊看好未來寬能隙半導體市場，積極投入SiC、GaN等材料製程技術開發，更具備4吋、6吋SiC及6吋GaN技術能量。展望未來，將繼續推動台灣寬能隙製造市場發展，鞏固如在矽半導體產業的優勢。