瞄準相關伺服器、PC商機 旗下氮化鎵、碳化矽產品積極驗證 有助壯大營運量能
【台北報導】
台亞半導體（2340）全力搶攻AI伺服器、AI PC商機，旗下產品氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）都在積極驗證中，若客戶順利導入，將能大舉壯大公司營運量能。業界指出，從趨勢來看，生成式AI應用帶動雲端服務供應商（CSP）升級資料中心伺服器規格，採用SiC、GaN解決方案滲透率將大幅提升。

根據彭博智庫的預測，生成式AI市場將以42%的年增率高速成長，科技巨頭亞馬遜、谷歌、微軟等皆大舉投資生成式AI的研發創新，但是當前資料中心所採用的電力轉換及分配技術，難以滿足雲端計算及機器學習的需求，因此業界正急迫尋找創新電力解決方案。

業界分析，以氮化鎵來說，是屬於第三類半導體寬能隙WBG材料，是「異質磊晶」技術，氮化鎵電晶體將能為電源設備帶來更高的效率水準，據悉，採用氮化鎵功率元件的AC-DC轉換器，效率可達到96%，甚至更高，所減少的功率耗損達50%。

台亞積極加速衝刺第三類半導體布局，台亞先前指出，公司運用6吋氮化鎵產品現有產能擴大搶市，看好隨著AI PC逐漸放量，加上快充滲透率持續提升，都會帶動市場對氮化鎵的需求。

台亞旗下積亞半導體生產的SiC元件，主要聚焦製造基本家電、雲端伺服器電源供應器（server PSU）、太陽光電逆變器（PV inverter）等相關功率元件市場，中長期目標為取得車用認證，進入車載充電器（OBC）、車用逆變器等車載元件市場，躋身國際電動車供應鏈。

整體來看，由於氮化鎵產品和碳化矽不一樣，氮化鎵的市場較不集中，客戶分布廣散，目前主流是快充頭、手機等，可是氮化鎵所能導入的應用相當多，台亞正向看待，以近來市場正夯的AI伺服器和AI PC來說，電源供應需高效率、省電等，很適合氮化鎵元件，看好該產品線未來業績可期。

【2024-07-04/經濟日報/C4版/上市櫃公司】

【新竹訊】
易達通科技在氮化鎵（GaN）功率晶片技術領域取得重要進展，成功開發650V和1200V GaN FET功率晶片，用於POE switch，使用300 W╱600W╱1 KW PSU模組，將為電力電子行業帶來顯著的性能提升和效率改善。易達通預計2025年推出1700V GaN FET，標誌著在化合物半導體技術創新邁出重要的一步。

氮化鎵（GaN）為第三類化合物半導體材料，獨特的二維電子氣和高切換速度特性而備受矚目。相比傳統矽（Si）材料，GaN具有高電子遷移率、寬能隙、高擊穿電壓及低導通電阻等特性，成為取代矽基功率元件的理想選擇。

易達通的GaN FET功率晶片具有小型化、低開關損耗、高頻、高效率、高壓、高可靠性等顯著的技術優勢，在許多應用領域極具應用潛力，例如電動車（EV）及充電設施，特別是800V AC-DC轉換器、DC-AC逆變器、車載充電器和DC-DC轉換器，顯著提高效率和減少體積，還可應用於快速充電樁，提高充電速度和效率。

在太陽能發電和風能轉換系統，可提高能量轉換效率，減少損耗，從而增加整體發電量。在數據中心和伺服器電源方面，也能降低能耗和散熱需求，提升系統可靠性和效能。此外，GaN晶片的高可靠性和高效能，成為工業自動化設備的驅動器、電源模塊和馬達控制系統的理想選擇。在消費電子端可大幅減小充電器的體積和重量，及提升充電效率。

易達通開發GaN FET元件，並透過產學合作推展產品應用，與北中南各地區大學教授進行交流，其自主研發的650V及1200V GaN FET獲得高度肯定，將優先採用。易達通也與產業界合作推出140W至560W功率產品，進而開發用在電動車及太陽能的高功率Inverter與Converter。

易達通科技2019年成立，技術團隊憑藉多年研發經驗，成功克服開發GaN功率元件的諸多挑戰，採用先進磊晶生長技術，確保GaN材料高品質和一致性，並優化元件結構設計，實現更低的導通電阻和更高的耐壓性能。易達通相信，GaN技術廣泛應用將為全球電力電子行業帶來革命性變革，推動綠色能源和高效能技術的發展。未來將繼續致力於GaN技術創新和應用，推出更多高性能的GaN功率元件，滿足不同行業客戶的需求。（翁永全）

【2024-07-01/A16版/電子科技】

8吋氮化鎵事業群由冠亞接收 總座衣冠君：分工更明確 將貢獻集團營收
【台北報導】
台亞（2340）昨（11）日召開重大訊息記者會宣布，董事會決議將8吋氮化鎵（GaN）事業群相關營業，包含資產與營收，分割給由台亞半導體持股100%的既存子公司冠亞半導體，並由冠亞半導體發行新股給台亞作為對價，以落實專業分工，提高集團整體營運績效與市場競爭力。

台亞總經理衣冠君表示，氮化鎵事業群正以進度超前的速度，與許多客戶進行相關產品信賴性驗證，從客戶反饋得知，有數個晶片驗證結果與一線大廠旗鼓相當，期盼能加速幾個產品的相關驗證程序，今年開始貢獻集團營收。此次將氮化鎵事業群分割，主要考量讓台亞集團產業分工明確，有利集團資源整合統籌。

台亞指出，此次分割基準日暫定為今年8月30日，並將於今年5月28日提送股東常會討論決議。相關策略為逐步打造「亞家軍」等集團子公司分批推動上市IPO計畫一部分。

台亞表示，此次預計分割的營業價值為10億元，由冠亞半導體以每股票面金額10元普通股一股，換取每股10元的分割標的價值比例，預計發行普通股1億股給台亞作為受讓分割標的物的對價，惟實際發行股數及金額，仍按上述比率以分割基準日分割標的物的帳面價值為依據計算，並依分割計畫規定調整。

台亞指出，此次分割給既存子公司冠亞半導體後，台亞本身相關營運及業務皆正常運作，對原有股東權利義務均無影響。

台亞策略長李國光表示，集團在上、下游供應鏈進行投資或規劃相關子公司，均依照副董事長暨日亞化學常務取締役戴圳家之規劃，按部就班進行，逐步打造「亞家軍」等集團子公司。

台亞預計從化合物第三代半導體、視覺顯示、IC設計、AOI & AI人工智能檢測設備等子公司，分批推動上市IPO計畫。

台亞昨天並公告，董事會決議通過子公司積亞半導體參與「台灣力森諾科科技股份有限公司」新竹科學園區科技廠房標售案，因應營運需求，並於廠房交易事實發生日起算二日內，再行公告相關資訊。

【2024-04-12/經濟日報/C4版/上市櫃公司】

整合氮化鎵新產品通過新客戶認證，營收占比將拉升至雙位數
台北報導
　電源管理IC廠力智（6719）全力衝刺伺服器市場，整合氮化鎵（GaN）的新產品已經成功通過新客戶認證，隨著資料中心、伺服器市場持續成長。法人預期，力智明年在伺服器營收占比將可望從今年的個位數比重，拉升到雙位數水準，使整體營運仍有望保持在高檔水準。
　由於伺服器、資料中心市場仍維持穩健成長動能，在消費性市場需求持續降溫之際，各大半導體廠也開始積極搶攻伺服器、資料中心市場，力智同樣沒放過這塊商機，先前推出的GaN整合成LLC模組現在不僅已經開始量產出貨，且更成功通過新客戶驗證，並可望擴大拿下中國白牌伺服器、資料中心客戶訂單。
　據了解，力智近年來不斷加大力道搶攻伺服器及資料中心市場，先前推出的SPS已經順利打入相關供應鏈，並開始放量出貨中。法人推估，力智在伺服器、資料中心等應用的相關營收占比將可望從今年的個位數水準拉升到雙位數比重，且未來高階VCore能順利獲得客戶採用，業績比重有機會再度提升。
　事實上，當前在伺服器、資料中心市場的電源管理IC仍以歐美大廠為主要供貨來源，不過在美中科技戰過後，中國廠商開始轉向非美系供應鏈採購產品，成為力智得以受惠的主要原因。
　此外，觀察力智近期營運概況，受到消費性市場需求全面下滑影響，使力智10月合併營收呈現月減23.7％至3.41億元，寫下超過兩年半以來低點，相較去年同期明顯減少38.6％。累計今年前十月合併營收達54.34億元、年成長12.4％。
　法人指出，力智今年前三季累計合併營收為50.93億元、年成長19.0％，歸屬母公司稅後純益年成長42.0％至11.44億元，每股稅後純益14.68元。第四季營運仍將持續受到PC市況低迷及客戶庫存調整影響，預期仍將呈現季減幅度，且將季減三成左右水準，不過進入明年後，若消費性市場需求開始回溫，力智的VCore產品線出貨亦有望同步谷底回升，使營運重新回到成長軌道之上。

董座徐建華：擴大GaN及SiC第三代半導體營業規模；訂單看到明年上半年
台北報導
　晶圓代工廠漢磊（3707）及轉投資磊晶廠嘉晶（3016）積極擴建氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代寬能隙半導體產能，在手訂單能見度已看到明年上半年。
　漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示，漢磊是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠，嘉晶是台灣唯一擁有GaN及SiC量產磊晶供應商，今年將積極擴大產能以迎接產業爆發性成長商機。
　漢磊及嘉晶受惠於國際IDM大廠擴大委外，加上今年價格再度調漲，4月營收同創歷史新高，第二季維持樂觀展望。漢磊4月合併營收月增0.4％達7.38億元，較去年同期成長29.8％，累計前四個月合併營收28.45億元，較去年同期成長29.8％。嘉晶公告4月合併營收月增0.7％達5.06億元，較去年同期成長28.0％，累計前四個月合併營收19.79億元，較去年同期成長31.0％。
　漢磊及嘉晶在致股東營運報告書中，說明將全力擴大布局GaN及SiC等第三代半導體相關產品的營業規模，以掌握半導體綠能及車用市場領域商機。徐建華在報告書中指出，漢磊去年營運轉型成功，全年度轉虧為盈，今年將在此基礎上持續強化營運效率及導入高附加價值產品線，投資重點鎖定在進入爆發成長的第三代半導體。
　漢磊因IDM廠擴大下單包產能，功率半導體晶圓代工產線滿載到年底，包括GaN及SiC晶圓代工訂單能見度更已看到明年上半年。漢磊4吋及6吋SiC晶圓代工均已量產，合計月產能達1,000片6吋約當晶圓，今年將以6吋為擴產重點項目，希望今年內可擴增一倍至2,000片。至於6吋GaN晶圓代工接單滿載，月產能將在今年增加一倍至2,000片。
　嘉晶4～8吋磊晶矽晶圓月產能合計40萬片，在供不應求情況下價格將逐季調漲。嘉晶去年底GaN磊晶片月產能約2,000片，SiC磊晶片月產能約600片，而嘉晶將投入4,000～5,000萬美元擴產，2～3年內SiC磊晶片產能要增加7～8倍，GaN磊晶片產能要增加2～2.5倍。
　徐建華表示，漢磊6吋SiC產線將快速進入量產並擴大產能，並且是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠，在全球客源開發上占有極佳優勢，並持續擴大車用領域布局。嘉晶在化合物半導體相關應用深耕多年，是目前國內唯一一家擁有SiC與GaN量產的磊晶供應商。漢磊及嘉晶將積極擴產以迎接產業爆發性成長商機，期許未來幾年營運持續成長。

打造全台最大GaN及SiC晶圓代工生產鏈，訂單能見度看到下半年

台北報導
　隨著電動車及再生能源等新應用開始大量導入寬能隙（WBG）半導體技術，在第三代寬能隙半導體材料碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）布局逾10年的漢磊（3707）及轉投資矽晶圓廠嘉晶（3016），已成功打造全台最大GaN及SiC晶圓代工生產鏈，且訂單能見度已看到下半年。
　法人看好漢磊及嘉晶今年營收續創歷史新高，年度獲利將較去年倍數成長。
　漢磊因晶圓代工產能全線滿載，同時順利調漲價格，去年第四季合併營收年增29.6％達19.68億元，去年合併營收年增26.6％達72.69億元，季度及年度營收同創歷史新高。嘉晶受惠於磊晶矽晶圓出貨暢旺且價格調漲，去年第四季合併營收年增29.9％達13.46億元，為季度營收歷史次高，去年合併營收50.43億元，較前年成長24.9％並創下新高紀錄。
　漢磊2008年就已展開第三代半導體技術研發及建構生產鏈，隨著電動車及太陽能再生能源自2020年後開始導入GaN及SiC元件，營收進入高速成長階段，加上6吋晶圓代工接單滿載及磊晶出貨暢旺，2021年可望順利由虧轉盈。而隨著中國官方積極扶植第三代半導體產業，電動車及太陽能系統加快導入GaN及SiC元件，漢磊及嘉晶在手訂單能見度已看到下半年。
　漢磊及嘉晶去年成功打造全台最大GaN及SiC晶圓代工生產鏈，合計將投入約1.2～1.5億美元積極擴產以因應市場強勁需求。漢磊去年6吋GaN及SiC晶圓代工月產能各約1,000片，今年月產能預估將倍增，其中，漢磊6吋SiC產能已獲15家客戶採用，完成逾50款晶片設計定案，預計2年內將把月產能擴增到5,000片以上，同時已啟動8吋SiC製程研發。
　至於嘉晶將以擴大投資建置新產能方式，擴大SiC及GaN基板產能，目標是將SiC基板產能擴增7～8倍，GaN基板產能擴增2～2.5倍，預期今年產能逐步開出後，第三代半導體相關營收貢獻可望較去年同期增加五成以上。
　雖然第三代半導體市場仍在成長初期階段，而且電動車及再生能源系統的認證期較長，但漢磊及嘉晶較競爭同業提早投入，且布局時間逾10年，先期投入市場的領先優勢可望帶來更多訂單。法人對漢磊及嘉晶今年營運抱持樂觀看法，預估年度營收及獲利可望續締新猷。

大秀氮化鎵、碳化矽、砷化鎵應用，提供5G、電動車、能源管理關鍵技術

　台北報導
　由國際半導體產業協會（SEMI）主辦的台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）28日登場，共涵蓋逾2,150個展位，其中化合物半導體特展更為全台規模最大，攤位數量相較去年成長11％。
　SEMI表示，透過完整展示氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、砷化鎵（GaAs）創新材料應用，化合物半導體特展提供全方位掌握實現5G、電動車、能源管理等關鍵技術最佳平台。
　半導體展開幕首日舉辦「SEMI Talks領袖對談」，邀請聯穎光電、GaN Systems、聯電、漢磊等業者，針對台灣在寬能隙化合物半導體的競爭優勢提出看法。
　SEMI表示，在新興應用科技快速普及的驅動下，功率暨化合物半導體需求蓬勃發展，各國也將其視為國家戰略重點。自2017年起，SEMI即密切關注到化合物半導體的市場需求，透過成立SEMI功率暨化合物半導體委員會，進一步強化整體產業鏈生態系統，促進合作並且引進優秀技術人才，全方位推動台灣產業布局。
　SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出，全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在5G通訊、再生能源及電動車等應用的帶動下，近幾年呈現快速擴張，相關投資將在2021年增長約20％至70億美元並創歷史新高，2022年也預計將再增長至約85億美元。
　在此態勢之下，SEMI也將持續串聯產、官、學、研界，透過建立溝通平台推動跨區域資源媒合，期盼台灣繼矽基礎晶圓領先全球後，化合物半導體領域也能再次成為世界焦點。
　聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan功率化合物半導體委員會副主席林嘉孚表示，過去幾十年來，矽一直是首選的半導體材料。但隨著新興應用科技對於高效能、低能耗的需求越來越高，SiC和GaN等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角，在此主流發展趨勢下，相關商機備受期待。
　聯電協理鄭子銘表示，台灣在化合物半導體人才培育領域因產業界與學術界已建立了良好關係，故相當具有優勢。在技術方面，聯電近年積極投入化合物半導體氮化鎵功率元件、射頻元件製程，鎖定高效電源功率元件及5G射頻元件，全方位鎖定最新市場商機。
　漢磊副總張載良指出，寬能隙半導體材料是全球未來發展的重要科技之一，漢磊看好未來寬能隙半導體市場，積極投入SiC、GaN等材料製程技術開發，更具備4吋、6吋SiC及6吋GaN技術能量。展望未來，將繼續推動台灣寬能隙製造市場發展，鞏固如在矽半導體產業的優勢。

旗下環鴻電子跨入GaN市場，鎖定電動車電源模組
台北報導
　日月光投控（3711）旗下EMS廠環旭電子的全資子公司環鴻電子宣布，將入股氮化鎵系統有限公司（GaN Systems Inc.），鎖定電動車電源模組市場，此舉代表日月光投控也將跨足第三代半導體市場。
　環鴻電子宣布與氮化鎵系統公司簽訂股份認購協定，並且成為氮化鎵公司新一輪融資的戰略投資者。
　環旭指出，氮化鎵公司是領先的功率半導體公司，主要從事第三代半導體氮化鎵（GaN）材料相關產品的設計、開發和生產。
　環旭表示，氮化鎵公司募集到的融資將用於加速氮化鎵技術在汽車、消費者、工業和企業市場的開發和應用。隨著電源解決方案從傳統矽器件轉向更小、低成本和高效的功率系統。
　據了解，氮化鎵是第三代半導體技術當中的關鍵材料，由於氮化鎵具備更高轉換效率及更好的散熱性，以及能承受更高功率，因此未來可望被廣泛應在車載充電器、資料中心電源供應器及智慧手充電器等相關市場。
　環旭董事長兼首席執行長陳昌益表示，除了電動汽車功率電子產品之外，未來幾年氮化鎵在各種應用中會越來越普及。氮化鎵公司是氮化鎵技術和應用的先行者，通過與氮化鎵公司的合作，希望為客戶提供更優質、更高效的服務，以及更具成本效益的電源解決方案，並在此過程中實現更低的碳排放。環旭電子未來將繼續在小型化、模組化和汽車電子領域進行投資。
　由於環旭電子是日月光投控持有之EMS廠，因此環旭電子在切入氮化鎵市場後，代表日月光投控未來也將同步打進氮化鎵供應鏈。因此法人看好，此舉將有助於日月光投控快速切入電動車、資料中心及5G等氮化鎵高階市場，推動日月光業績持續成長。
　除此之外，觀察日月光投控業績表現，日月光投控10月合併營收達527.48億元、年成長10.1％，改寫單月歷史次高，累計前十月合併營收為4,498.10億元、年增19.6％，創歷史同期新高。法人看好，日月光投控第四季營運將可望續創新高，且獲利表現有望優於第三季水準，全年獲利將力拚賺進超過一個股本。

前三季每股獲利22.21元；明年可望搭上碳化矽、氮化鎵等新商機

台北報導
半導體矽晶圓廠環球晶公告第三季稅後淨利33.88億元，維持在30億元高檔水準。對於未來展望，環球晶看好，第四季合併營收將有望持續成長，且公司在2021年將有望搭上碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等新技術商機。
環球晶召開董事會並通過2020年第三季財報，單季合併營收140.06億元、季增2.2％，毛利率37.2％、季減1.4個百分點，稅後淨利33.88億元，表現幾乎與第二季持平，並維持在30億元以上高檔，每股淨利7.78元。
此外，SEMI（國際半導體產業協會）也於3日公布旗下矽產品製造商組織（SMG）發佈的最新一季晶圓產業分析報告，2020年第三季全球矽晶圓出貨面積達3,135百萬平方英吋，雖較上一季萎縮0.5％，但相比去年同期2,932百萬平方英吋有明顯進展，增長幅度達6.9％。
環球晶指出，全球經濟受新冠病毒疫情影響進入衰退，而半導體產業在遠距商機及5G等需求推動下，表現依然熱絡，在如此狀況下，環球晶8吋半導體矽晶圓產能利用率逐步提升，絕緣層上覆矽（SOI）晶圓產能利用率也開始回升，其中12吋矽晶圓需求在先進晶圓需求效應下，表現相當良好，成為第三季業績的營運動能。
另外，環球晶表示，各國視5G為刺激受創經濟的紓困措施之一並加速布建，成為維持半導體穩定成長的動能。環球晶圓前三季出貨與營收逐季成長，仍維持一貫平穩表現，營收及獲利方面皆交出亮眼成績。
累計前三季合併營收為412.22億元年減7.5％，稅後淨利為96.66億元、年減9.96％，寫下歷史同期第三高水準，稅後每股淨利為22.21元，較去年同期下降2.46元。
對於未來展望，環球晶看好第四季業績將有望持續回升。且進入2021年後，由於未來車用、消費品需求將會加大力道採用SiC、GaN等新技術，環球晶將有望搭上SiC、GaN市場興起，推動業績成長。

台北報導 　晶圓代工龍頭台積電（2330）將攜手意法加速開發氮化鎵（GaN）產品，GaN挾高頻率、高壓等優勢，有機會成為繼砷化鎵之後的半導體材料新起之秀，先前已有小米推出快充插座全面導入GaN技術，再加上龍頭業界結盟大動作，半導體新材料戰場儼然成型，包括嘉晶（3016）、穩懋（3105）等就備戰位置。 　半導體材料第一代為矽（Si）等，第二代兩種以上元素組成的化合物半導體材料，以砷化鎵（GaAs）等為代表，第三代則是氮化鎵（GaN）等寬頻化合物半導體材料；因氮化鎵能在高溫、高電壓環境運作，主要優勢在於高頻率元件。進入5G世代，對高頻率、高功率元件需求成長，因而再度引發市場對氮化鎵的討論。 　穩懋董事長陳進財指出，GaN為下一世代的關鍵材料，穩懋在此領域的製程技術沒有問題，去年也已經量產出貨，技術不斷推進，主要應用在RF（射頻）方面，特別是5G通訊領域。至於，氮化鎵是否會取代砷化鎵、威脅到其地位？陳進財強調，主要根據各項應用與規格高低等需求而定，不會有誰取代誰的問題，各材料將同步邁向更高科技層面。 　被視為氮化鎵概念股的環宇-KY，2019年底宣布參與晶成半導體現金增資，投入6吋晶圓代工服務，發展GaN、VCSEL（面射型雷射）產品，由環宇-KY提供技術支援，拓展代工產能及客戶；目前6吋晶圓代工廠在試產驗證階段，預期氮化鎵產品第三季前可正式投產，應用在基站RF。 　而先前小米所推出的快充插座，因全面導入氮化鎵技術，法人看好，隨著5G智慧手機將大力採用快充技術，預期GaN需求將全面崛起，點名包括漢磊、嘉晶，以及功率半導體晶圓代工廠茂矽等，有機會搶下快充升級商機。