報導記者／涂志豪

董座徐建華：擴大GaN及SiC第三代半導體營業規模；訂單看到明年上半年
台北報導
　晶圓代工廠漢磊（3707）及轉投資磊晶廠嘉晶（3016）積極擴建氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代寬能隙半導體產能，在手訂單能見度已看到明年上半年。
　漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示，漢磊是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠，嘉晶是台灣唯一擁有GaN及SiC量產磊晶供應商，今年將積極擴大產能以迎接產業爆發性成長商機。
　漢磊及嘉晶受惠於國際IDM大廠擴大委外，加上今年價格再度調漲，4月營收同創歷史新高，第二季維持樂觀展望。漢磊4月合併營收月增0.4％達7.38億元，較去年同期成長29.8％，累計前四個月合併營收28.45億元，較去年同期成長29.8％。嘉晶公告4月合併營收月增0.7％達5.06億元，較去年同期成長28.0％，累計前四個月合併營收19.79億元，較去年同期成長31.0％。
　漢磊及嘉晶在致股東營運報告書中，說明將全力擴大布局GaN及SiC等第三代半導體相關產品的營業規模，以掌握半導體綠能及車用市場領域商機。徐建華在報告書中指出，漢磊去年營運轉型成功，全年度轉虧為盈，今年將在此基礎上持續強化營運效率及導入高附加價值產品線，投資重點鎖定在進入爆發成長的第三代半導體。
　漢磊因IDM廠擴大下單包產能，功率半導體晶圓代工產線滿載到年底，包括GaN及SiC晶圓代工訂單能見度更已看到明年上半年。漢磊4吋及6吋SiC晶圓代工均已量產，合計月產能達1,000片6吋約當晶圓，今年將以6吋為擴產重點項目，希望今年內可擴增一倍至2,000片。至於6吋GaN晶圓代工接單滿載，月產能將在今年增加一倍至2,000片。
　嘉晶4～8吋磊晶矽晶圓月產能合計40萬片，在供不應求情況下價格將逐季調漲。嘉晶去年底GaN磊晶片月產能約2,000片，SiC磊晶片月產能約600片，而嘉晶將投入4,000～5,000萬美元擴產，2～3年內SiC磊晶片產能要增加7～8倍，GaN磊晶片產能要增加2～2.5倍。
　徐建華表示，漢磊6吋SiC產線將快速進入量產並擴大產能，並且是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠，在全球客源開發上占有極佳優勢，並持續擴大車用領域布局。嘉晶在化合物半導體相關應用深耕多年，是目前國內唯一一家擁有SiC與GaN量產的磊晶供應商。漢磊及嘉晶將積極擴產以迎接產業爆發性成長商機，期許未來幾年營運持續成長。