世界砸24.8億取得漢磊13％私募股權；2026下半年量產
台北報導
世界先進（5347）與漢磊（3707）10日簽訂策略合作協議，雙方將攜手合作，推動碳化矽（SiC）八吋晶圓的技術研發與生產製造，世界先進並參與漢磊私募普通股認購，投資金額24.8億元，以共同推動具競爭優勢的產品製造服務，建立雙方的長期策略合作關係。
　漢磊辦理私募增資案，世界先進認購50,000仟股，投資24.8億元，將取得13％股權。
漢磊將於主管機關核准募資登記後，和世界先進展開合作。相關技術初期由漢磊轉移，預計2026下半年開始量產。
結合雙方的技術優勢和市場資源，漢磊及世界先進並將共同進行SiC技術研發、市場推廣，為客戶創造更大的價值；未來雙方亦將評估SiC技術研發及量產進度，進行更進一步的合作。
　此次合作，將專注於八吋SiC半導體晶圓製造的技術開發及未來的量產，由於SiC的材料特性，可以有效提升能源效率，特別在因應全球暖化的節能減碳趨勢下，其應用將普及到電動化車款（xEV）、AI資料中心、綠能儲能及工控甚至消費性產品等。
漢磊董事長徐建華表示，漢磊集團旗下的嘉晶電子（3016）與世界先進長期以來即為矽磊晶事業合作夥伴，本次私募引進世界先進成為策略性股東，透過投資結合將使彼此間的策略合作更緊密。
漢磊與世界先進的合作，將在漢磊現有六吋晶圓製造技術及客戶的基礎上，共同合作進行八吋SiC技術平台開發及產能布建，以提供全球IDM及Fabless客戶具有長期競爭力的解決方案。
本次策略合作可為世界先進、漢磊及嘉晶電子三方公司創造新的成長動能與合作綜效，並為客戶及股東權益創造更高價值。
世界先進董事長方略表示，世界先進與漢磊的策略夥伴關係，將兩家公司的核心資源與優勢緊密結合，為雙方合作奠定互惠雙贏的堅實基礎。

瞄準相關伺服器、PC商機 旗下氮化鎵、碳化矽產品積極驗證 有助壯大營運量能
【台北報導】
台亞半導體（2340）全力搶攻AI伺服器、AI PC商機，旗下產品氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）都在積極驗證中，若客戶順利導入，將能大舉壯大公司營運量能。業界指出，從趨勢來看，生成式AI應用帶動雲端服務供應商（CSP）升級資料中心伺服器規格，採用SiC、GaN解決方案滲透率將大幅提升。

根據彭博智庫的預測，生成式AI市場將以42%的年增率高速成長，科技巨頭亞馬遜、谷歌、微軟等皆大舉投資生成式AI的研發創新，但是當前資料中心所採用的電力轉換及分配技術，難以滿足雲端計算及機器學習的需求，因此業界正急迫尋找創新電力解決方案。

業界分析，以氮化鎵來說，是屬於第三類半導體寬能隙WBG材料，是「異質磊晶」技術，氮化鎵電晶體將能為電源設備帶來更高的效率水準，據悉，採用氮化鎵功率元件的AC-DC轉換器，效率可達到96%，甚至更高，所減少的功率耗損達50%。

台亞積極加速衝刺第三類半導體布局，台亞先前指出，公司運用6吋氮化鎵產品現有產能擴大搶市，看好隨著AI PC逐漸放量，加上快充滲透率持續提升，都會帶動市場對氮化鎵的需求。

台亞旗下積亞半導體生產的SiC元件，主要聚焦製造基本家電、雲端伺服器電源供應器（server PSU）、太陽光電逆變器（PV inverter）等相關功率元件市場，中長期目標為取得車用認證，進入車載充電器（OBC）、車用逆變器等車載元件市場，躋身國際電動車供應鏈。

整體來看，由於氮化鎵產品和碳化矽不一樣，氮化鎵的市場較不集中，客戶分布廣散，目前主流是快充頭、手機等，可是氮化鎵所能導入的應用相當多，台亞正向看待，以近來市場正夯的AI伺服器和AI PC來說，電源供應需高效率、省電等，很適合氮化鎵元件，看好該產品線未來業績可期。

【2024-07-04/經濟日報/C4版/上市櫃公司】

董座徐秀蘭透露客戶拉貨不如預期 化合物半導體業務成長降至五成 矽晶圓可能明年回溫
【台北報導】
全球第三大、台灣最大半導體矽晶圓廠環球晶董座徐秀蘭昨（18）日表示，客戶需求比預期緩，拉貨意願持續保守，下半年逐步提升中，但沒預期好，較上半年增幅有限，原估計今年會成長二至三倍的化合物半導體業務也難逃價格壓力，成長幅度將降至五成。環球晶仍力拚今年營運「季季高」，但增幅可能比原預期少。

環球晶昨天舉行股東常會，徐秀蘭受訪並釋出以上訊息。

她坦言，受汽車、手機及工業市場需求疲弱影響，市況回升幅度較預期緩和，未能如原先預期出現「V型反彈」，評估矽晶圓端明顯回溫時點可能會落在明年。

隨著時序已近第2季底，徐秀蘭說，如果近期駭客事件最終沒有對於第2季出貨造成太多影響，第2、3、4季營收應當都會往上走。只是她也不諱言，上升趨勢比估計慢很多，導致增幅可能少於原先預期。

徐秀蘭認為，市場上高效能運算（HPC）與記憶體應用需求都好，但汽車、工業應用疲軟，手機應用最近才逐漸上來，客戶端營收已經上升，但持續去化存貨，並評估庫存水位還不算健康，因此導致其拉貨態度相對保守。所以下半年的情況評估確實在提升中，但沒有預期好，比上半年增加的幅度可能有限。

徐秀蘭提到，經過與客戶討論，評估矽晶圓端明顯回溫的時點可能會落在明年。目前12吋產品的需求高於其他尺寸產品，尤其是拋光片產能仍滿載，環球晶相關產能陸續擴充，應可滿足客戶需求。

值得注意的是，徐秀蘭指出，本來預期去年化合物半導體相關表現成長十倍之後，今年會繼續成長兩到三倍，但現在看來，出貨量陸續增加，惟市場價格跌很多，主要是電動車需求疲軟，中國大陸同業新產能又開出，導致市場價格就被壓制很多，因此若想拿訂單，在價格方面就得放軟。

徐秀蘭說，環球晶在碳化矽晶圓方面，是非陸廠當中性價比最好的供應商，但是這波也受到很多價格壓力，估計今年化合物半導體成長幅度將比原預期低，由原估增加二至三倍，降為成長五成。

展望整體矽晶圓市況，徐秀蘭評估，明年由於需求評估轉強，客戶端庫存調整也結束，價格應當會往上。AI浪潮不會停，而且還會有換機潮，記憶體需求增加，導入先進封裝對於矽晶圓需求也會提高。

另外，關於近期駭客事件造成的影響，徐秀蘭表示，生產已大致恢復，而各廠區的出貨復原速度稍有差異，應該在這兩、三天可完全解決，後續會進行詳細調查，並將加固資安系統。

【2024-06-19/經濟日報/A6版/焦點】

【台北報導】
晶圓代工廠漢磊（3707）目前以6吋晶圓相關業務為主軸，先前傳出規劃朝8吋晶圓相關應用邁進，供應鏈透露，漢磊已與具備8吋晶圓代工能力的業者展開合作，雙方將成立新的公司，衝刺第三代半導體應用。對於相關消息，漢磊不予置評。

業界人士指出，第三代半導體成長趨勢明確，根據研調機構Yole、集邦科技（TrendForce）報告，至2027年，全球碳化矽（SiC）功率半導體市場規模將由2021年的10.90億美元成長至 62.97億美元，年複合成長率為34%，其中，汽車應用將主導碳化矽市場，占比約75%以上；氮化鎵（GaN）方面，滲透率2023年估達1%，總計第三代半導體滲透率約4.75%。

業界分析，第三代半導體前景可期，成為國際整合元件大廠（IDM）重點發展項目，並積極朝8吋晶圓前進，主因8吋晶圓生產晶粒數量為6吋晶圓的1.8倍，更具經濟規模，若漢磊從既有的6吋晶圓延伸至8吋晶圓，將是一大突破，也是業界一項創舉。

供應鏈透露，漢磊具備第三代半導體技術，早已規劃朝8吋晶圓生產前進。

【2024-06-11/經濟日報/C3版/市場焦點】

高雄報導
　國立中山大學晶體研究中心率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材，今年7月起技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團，簽訂5年5千萬元技術移轉案，助攻台灣次世代半導體材料優勢。
　中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇19日指出，研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業，除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級，今年7月起更技轉台灣應用晶體集團。第三類（次世代）半導體材料碳化矽（SiC）具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性，但晶體生長的技術門檻高。
　周明奇強調，碳化矽晶體是國家重要戰略物資，可多元應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域，中山大學團隊創全國學研單位之先，已取得晶體生長關鍵突破，成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。而除了第三類半導體材料碳化矽晶體的優勢，中山大學同步研發第四類半導體氧化鎵（Ga2O3）的單晶塊材（Bulk Crystal）。
　周明奇表示，中山大學團隊攜手台灣企業共同創新，例如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體100％MIT，長晶爐是由中山大學創新育成中心孵化的企業所打造，坩堝（存放碳化矽原物料的容器）及石墨等隔熱材料更有賴高雄在地企業的應援。他說，特別感謝包括中鋼與中碳的專業支援，提供許多協助。

董座徐建華：擴大GaN及SiC第三代半導體營業規模；訂單看到明年上半年
台北報導
　晶圓代工廠漢磊（3707）及轉投資磊晶廠嘉晶（3016）積極擴建氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代寬能隙半導體產能，在手訂單能見度已看到明年上半年。
　漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示，漢磊是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠，嘉晶是台灣唯一擁有GaN及SiC量產磊晶供應商，今年將積極擴大產能以迎接產業爆發性成長商機。
　漢磊及嘉晶受惠於國際IDM大廠擴大委外，加上今年價格再度調漲，4月營收同創歷史新高，第二季維持樂觀展望。漢磊4月合併營收月增0.4％達7.38億元，較去年同期成長29.8％，累計前四個月合併營收28.45億元，較去年同期成長29.8％。嘉晶公告4月合併營收月增0.7％達5.06億元，較去年同期成長28.0％，累計前四個月合併營收19.79億元，較去年同期成長31.0％。
　漢磊及嘉晶在致股東營運報告書中，說明將全力擴大布局GaN及SiC等第三代半導體相關產品的營業規模，以掌握半導體綠能及車用市場領域商機。徐建華在報告書中指出，漢磊去年營運轉型成功，全年度轉虧為盈，今年將在此基礎上持續強化營運效率及導入高附加價值產品線，投資重點鎖定在進入爆發成長的第三代半導體。
　漢磊因IDM廠擴大下單包產能，功率半導體晶圓代工產線滿載到年底，包括GaN及SiC晶圓代工訂單能見度更已看到明年上半年。漢磊4吋及6吋SiC晶圓代工均已量產，合計月產能達1,000片6吋約當晶圓，今年將以6吋為擴產重點項目，希望今年內可擴增一倍至2,000片。至於6吋GaN晶圓代工接單滿載，月產能將在今年增加一倍至2,000片。
　嘉晶4～8吋磊晶矽晶圓月產能合計40萬片，在供不應求情況下價格將逐季調漲。嘉晶去年底GaN磊晶片月產能約2,000片，SiC磊晶片月產能約600片，而嘉晶將投入4,000～5,000萬美元擴產，2～3年內SiC磊晶片產能要增加7～8倍，GaN磊晶片產能要增加2～2.5倍。
　徐建華表示，漢磊6吋SiC產線將快速進入量產並擴大產能，並且是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠，在全球客源開發上占有極佳優勢，並持續擴大車用領域布局。嘉晶在化合物半導體相關應用深耕多年，是目前國內唯一一家擁有SiC與GaN量產的磊晶供應商。漢磊及嘉晶將積極擴產以迎接產業爆發性成長商機，期許未來幾年營運持續成長。

打造全台最大GaN及SiC晶圓代工生產鏈，訂單能見度看到下半年

台北報導
　隨著電動車及再生能源等新應用開始大量導入寬能隙（WBG）半導體技術，在第三代寬能隙半導體材料碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）布局逾10年的漢磊（3707）及轉投資矽晶圓廠嘉晶（3016），已成功打造全台最大GaN及SiC晶圓代工生產鏈，且訂單能見度已看到下半年。
　法人看好漢磊及嘉晶今年營收續創歷史新高，年度獲利將較去年倍數成長。
　漢磊因晶圓代工產能全線滿載，同時順利調漲價格，去年第四季合併營收年增29.6％達19.68億元，去年合併營收年增26.6％達72.69億元，季度及年度營收同創歷史新高。嘉晶受惠於磊晶矽晶圓出貨暢旺且價格調漲，去年第四季合併營收年增29.9％達13.46億元，為季度營收歷史次高，去年合併營收50.43億元，較前年成長24.9％並創下新高紀錄。
　漢磊2008年就已展開第三代半導體技術研發及建構生產鏈，隨著電動車及太陽能再生能源自2020年後開始導入GaN及SiC元件，營收進入高速成長階段，加上6吋晶圓代工接單滿載及磊晶出貨暢旺，2021年可望順利由虧轉盈。而隨著中國官方積極扶植第三代半導體產業，電動車及太陽能系統加快導入GaN及SiC元件，漢磊及嘉晶在手訂單能見度已看到下半年。
　漢磊及嘉晶去年成功打造全台最大GaN及SiC晶圓代工生產鏈，合計將投入約1.2～1.5億美元積極擴產以因應市場強勁需求。漢磊去年6吋GaN及SiC晶圓代工月產能各約1,000片，今年月產能預估將倍增，其中，漢磊6吋SiC產能已獲15家客戶採用，完成逾50款晶片設計定案，預計2年內將把月產能擴增到5,000片以上，同時已啟動8吋SiC製程研發。
　至於嘉晶將以擴大投資建置新產能方式，擴大SiC及GaN基板產能，目標是將SiC基板產能擴增7～8倍，GaN基板產能擴增2～2.5倍，預期今年產能逐步開出後，第三代半導體相關營收貢獻可望較去年同期增加五成以上。
　雖然第三代半導體市場仍在成長初期階段，而且電動車及再生能源系統的認證期較長，但漢磊及嘉晶較競爭同業提早投入，且布局時間逾10年，先期投入市場的領先優勢可望帶來更多訂單。法人對漢磊及嘉晶今年營運抱持樂觀看法，預估年度營收及獲利可望續締新猷。

大秀氮化鎵、碳化矽、砷化鎵應用，提供5G、電動車、能源管理關鍵技術

　台北報導
　由國際半導體產業協會（SEMI）主辦的台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）28日登場，共涵蓋逾2,150個展位，其中化合物半導體特展更為全台規模最大，攤位數量相較去年成長11％。
　SEMI表示，透過完整展示氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、砷化鎵（GaAs）創新材料應用，化合物半導體特展提供全方位掌握實現5G、電動車、能源管理等關鍵技術最佳平台。
　半導體展開幕首日舉辦「SEMI Talks領袖對談」，邀請聯穎光電、GaN Systems、聯電、漢磊等業者，針對台灣在寬能隙化合物半導體的競爭優勢提出看法。
　SEMI表示，在新興應用科技快速普及的驅動下，功率暨化合物半導體需求蓬勃發展，各國也將其視為國家戰略重點。自2017年起，SEMI即密切關注到化合物半導體的市場需求，透過成立SEMI功率暨化合物半導體委員會，進一步強化整體產業鏈生態系統，促進合作並且引進優秀技術人才，全方位推動台灣產業布局。
　SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸指出，全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在5G通訊、再生能源及電動車等應用的帶動下，近幾年呈現快速擴張，相關投資將在2021年增長約20％至70億美元並創歷史新高，2022年也預計將再增長至約85億美元。
　在此態勢之下，SEMI也將持續串聯產、官、學、研界，透過建立溝通平台推動跨區域資源媒合，期盼台灣繼矽基礎晶圓領先全球後，化合物半導體領域也能再次成為世界焦點。
　聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan功率化合物半導體委員會副主席林嘉孚表示，過去幾十年來，矽一直是首選的半導體材料。但隨著新興應用科技對於高效能、低能耗的需求越來越高，SiC和GaN等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角，在此主流發展趨勢下，相關商機備受期待。
　聯電協理鄭子銘表示，台灣在化合物半導體人才培育領域因產業界與學術界已建立了良好關係，故相當具有優勢。在技術方面，聯電近年積極投入化合物半導體氮化鎵功率元件、射頻元件製程，鎖定高效電源功率元件及5G射頻元件，全方位鎖定最新市場商機。
　漢磊副總張載良指出，寬能隙半導體材料是全球未來發展的重要科技之一，漢磊看好未來寬能隙半導體市場，積極投入SiC、GaN等材料製程技術開發，更具備4吋、6吋SiC及6吋GaN技術能量。展望未來，將繼續推動台灣寬能隙製造市場發展，鞏固如在矽半導體產業的優勢。

前三季每股獲利22.21元；明年可望搭上碳化矽、氮化鎵等新商機

台北報導
半導體矽晶圓廠環球晶公告第三季稅後淨利33.88億元，維持在30億元高檔水準。對於未來展望，環球晶看好，第四季合併營收將有望持續成長，且公司在2021年將有望搭上碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等新技術商機。
環球晶召開董事會並通過2020年第三季財報，單季合併營收140.06億元、季增2.2％，毛利率37.2％、季減1.4個百分點，稅後淨利33.88億元，表現幾乎與第二季持平，並維持在30億元以上高檔，每股淨利7.78元。
此外，SEMI（國際半導體產業協會）也於3日公布旗下矽產品製造商組織（SMG）發佈的最新一季晶圓產業分析報告，2020年第三季全球矽晶圓出貨面積達3,135百萬平方英吋，雖較上一季萎縮0.5％，但相比去年同期2,932百萬平方英吋有明顯進展，增長幅度達6.9％。
環球晶指出，全球經濟受新冠病毒疫情影響進入衰退，而半導體產業在遠距商機及5G等需求推動下，表現依然熱絡，在如此狀況下，環球晶8吋半導體矽晶圓產能利用率逐步提升，絕緣層上覆矽（SOI）晶圓產能利用率也開始回升，其中12吋矽晶圓需求在先進晶圓需求效應下，表現相當良好，成為第三季業績的營運動能。
另外，環球晶表示，各國視5G為刺激受創經濟的紓困措施之一並加速布建，成為維持半導體穩定成長的動能。環球晶圓前三季出貨與營收逐季成長，仍維持一貫平穩表現，營收及獲利方面皆交出亮眼成績。
累計前三季合併營收為412.22億元年減7.5％，稅後淨利為96.66億元、年減9.96％，寫下歷史同期第三高水準，稅後每股淨利為22.21元，較去年同期下降2.46元。
對於未來展望，環球晶看好第四季業績將有望持續回升。且進入2021年後，由於未來車用、消費品需求將會加大力道採用SiC、GaN等新技術，環球晶將有望搭上SiC、GaN市場興起，推動業績成長。