產業新訊

新聞日期:2017/09/08  | 新聞來源:工商時報

聯發科回神 Q3營收超標可期

台北報導

 IC設計龍頭聯發科昨(7)日公告8月合併營收224.96億元,月增18.6%並優於市場預期。由於大陸智慧手機市場庫存去化結束,新機進入拉貨階段,聯發科9月營收只要維持8月相同水準,就可達到第3季財報高標。以目前大陸智慧型手機銷售動能來看,法人樂觀看待聯發科第3季營收超標機率大增。
 受惠於手機晶片出貨明顯成長,聯發科8月合併營收達224.96億元,與7月189.69億元營收相較明顯成長18.6%,但與去年同期的258.70億元相較仍下滑13.0%。累計今年前8個月合併營收達1,556.27億元,較去年同期的1,791.22億元下滑13.1%。
 聯發科第2季合併營收580.79億元,歸屬母公司稅後淨利約22.1億元,每股淨利1.51元。聯發科第3季簡式財測也已公告,合併營收將介於592~639億元,較第2季成長2~10%,每股淨利預估介於2.11~2.57億元。
 以聯發科7月及8月合併營收來看,聯發科9月營收只要維持8月水準,就可達到營收預估值的上緣639億元。由於近期聯發科手機晶片銷售動能明顯回溫,轉投資子公司如立錡、奕力等亦進入出貨旺季,法人因此看好聯發科第3季營運表現將優於先前預估,等於季度營收超標機率已大增。
 聯發科第3季因為手機市場受到庫存調整及零組件漲價的影響,市況旺季不旺,不過,成長型及成熟型產品需求則見提升,隨著大陸中低階智慧型手機銷售動能在近期回溫,預期聯發科第3季行動運算平台出貨量可望上看1.2億套,達到原先出貨目標的高標。
 在手機產品線上,聯發科第2季已陸續推出搭載Helio P20的幾款手機上市,8月底正式發表採用16奈米的Helio P23及P30等2款手機晶片,並已打進中國移動雙卡雙VoLTE平台,並預計下半年全產品支持雙VoLTE平台。對聯發科來說,採用新數據機(Modem)的成本優化Helio P系列手機晶片,已順利導入多家品牌商,入門款產品將在第四季量產,明年還會有2個新P系列的產品推出。以中長期來說,聯發科在智慧型手機策略,將以改善毛利率及提升市占為首要目標。

新聞日期:2017/09/07  | 新聞來源:工商時報

美光啟動 在台大投資

未來3~5年,每年再投資20億美元,未來18個月內還要再召募1,500名員工。
台中報導

 美光決定加碼投資台灣,將台灣據點定位為全球DRAM生產重鎮,有三分之二產能會在台灣生產。美光全球製造資深副總裁Wayne Allan昨(6)日表示,美光在台投資已逾120億美元,未來3~5年將每年再投資20億美元,用來提升製程技術及興建封測廠,未來18個月內還要再召募1,500名員工。
 Wayne Allan表示,看好未來2季度的DRAM市況,且將與上季一樣需求強勁且供貨吃緊,美光的DRAM策略是在維持產能不變情況下,提高生產效率來拉高位元成長率,近期內並無興建新晶圓廠擴產計畫。
 美光的全球晶圓廠佈局中,NAND Flash產能集中在新加坡及馬來西亞,DRAM產能則集中在台灣及日本,與英特爾合作開發的3D XPoint記憶體生產據點位於美國。至於原本生產NOR Flash的新加坡8吋廠將在18個月後關閉,不過美光位於美國維吉尼亞的12吋廠已經開始量產,會維持NOR Flash產能不變。
 美光十分重視台灣DRAM生產鏈的投資,日前在台宣布成立DRAM卓越製造中心,就是要把台中廠(原瑞晶)及桃園廠(原華亞科)的技術及產能進行整合,並且在台中廠對面興建新的封測廠,在台灣打造DRAM完整生產鏈。
台中廠已開始以1x奈米製程量產,桃園廠將在明年跟進,之後還會進行投資升級製程至1y/1z奈米。
 由於今年以來DRAM市場持續缺貨,價格一路調漲,Wayne Allan表示,截至上個月底的2017年會計年度第四季是個強勁的季度,營收將達57~61億美元符合原先預期,而整個產業來看,DRAM廠都沒有興建新晶圓廠的計畫,預期未來2個季度的市況將與上季相當。也就是說,DRAM的好光景還可維持到明年。
 Wayne Allan表示,由於客戶需求強勁,美光在DRAM產能配置上,會把台中廠及桃園廠內的晶圓測試產能,移至台中廠對面的封測廠廠區,8月底向TPK(宸鴻)買下的大鴻先進的廠區,就會用來建立晶圓測試廠。而將晶圓測試產能移出後,台中廠及桃園廠就還有空間可以增加投片量。美光的策略是在維持產能不變情況下,提高生產效率來拉高位元成長率,並且維持目前市占率。
 Wayne Allan表示,美光DRAM生產線已經開始採用智慧製造及大數據,利用在每個機台設備上搭載的感測器來收集資料,進一步分析後提升設備生產效能,如此一來就可以有效提高位元出貨量,如與一年前相比,整個晶圓廠的前置時間縮短了25%,過去18個月內生產效能已提升20%以上。

新聞日期:2017/09/06  | 新聞來源:工商時報

聚焦20奈米 DRAM 華邦電啟動建廠計畫

台北報導

 記憶體大廠華邦電今年下半年DRAM及NAND/NOR Flash產能全開,但仍不能滿足客戶強勁需求。華邦電原本計畫在台灣及新加坡兩地擇一興建新12吋晶圓廠,如今確定將落腳台灣,選擇在南科高雄園區興建新廠。華邦電新廠主要是為了因應2020年之後需求,生產線將以20奈米世代製程DRAM為主體,也可望建置3x奈米NAND/NOR Flash產能。
 華邦電董事長焦佑鈞在今年股東常會中表示,今年記憶體需求強勁且產能供不應求,華邦電計畫興建新廠因應2020年後需求,至於新廠設廠地點將以台灣優先。而華邦電昨日宣布,新12吋晶圓廠將落腳在台灣,設廠地點在南科高雄園區,將依未來董事會通過時程,公告建廠及產能規劃相關事宜。
 焦佑鈞日前表示,因為建築業目前很缺土木人工,新12吋廠的建廠時間恐要由1年拉長到20個月,加上裝機與試機的時間,從建廠到量產時間需以3年計算,預計第三季決定設廠計畫。華邦電已去南科的高雄路竹基地看過,6月向南科管理局補提計畫,需地約25公頃。
 華邦電今年將全力擴充NOR Flash產能,希望一年內可以把供給缺口補起來,中科廠現在月產能達4.3~4.4萬片,預計年底可達4.8萬片,明年下半年達5.3萬片,但台中廠房空間最多只能擴充到5.5~5.6萬片。然以長期來看,華邦電需要興建新廠來推升業績成長,同時也能把DRAM產能限制移除。
 華邦電總經理詹東義日前指出,台中廠產能不足且Flash需求強勁,DRAM及Flash的生產設備不同,今年擴產都以Flash為主,目前台中廠DRAM製程已可支援3x/2x奈米,但投資金額很大,反而是擴充Flash產能的投資效益較好,台中廠的擴產以投資報酬率(ROI)最大化為主軸。但長期來看,華邦電需要興建新晶圓廠,DRAM產能限制才能移除。
 華邦電的DRAM製程下半年將開始導入38奈米,低容量 NAND Flash目前採用46奈米生產1~2Gb容量晶片,後續進行製程微縮後可望進入32奈米世代,至於NOR Flash製程以46/58奈米為主。設備業者預期,華邦電新廠應可在2020年進入量產,以製程推進來看,新廠將會以20奈米世代製程DRAM產線為主軸,NAND/NOR Flash則會建置3x奈米產能,後續再視情況建置2x奈米生產線。

新聞日期:2017/09/04  | 新聞來源:工商時報

聯電傳吃聯發科大單 Q4大進補

可望打進亞馬遜Echo Dot供應鏈,衝刺物聯網市場,昨股價登9年多來新高
台北報導
 晶圓代工二哥聯電(2303)昨(1)日股價收盤衝上2008年6月以來新高。市場盛傳,聯電獲得聯發科(2454)亞馬遜物聯網晶片大單,並將於第4季開始投片量產出貨,讓聯電第4季業績可望明顯增加。
 聯電先前在法說會上預估,本季將受到28奈米高介電金屬閘極(HKMG)產能微幅下修,但是成熟半導體製程需求仍呈現穩定,因此本季合併營收可能與上季持平。
 即便如此,聯電近3個月股價卻已經上漲29.4%,外資更已經買超110萬4,878張,占聯電股本已經達到8.75%。原因在於,市場上盛傳,聯發科在共同執行長蔡力行上任後,決議重新調整晶圓代工廠投片比例,藉以增加毛利率表現,目前最為顯著的更動就先從物聯網晶片開始做起。
 法人表示,聯發科已經決議將原先在台積電投片28奈米製程的亞馬遜Echo Dot晶片,全數轉向聯電,將可望讓聯電業績從今年底起開始出現明顯回升,聯電先前也宣布,把全年資本支出從原先規畫的20億美元降至17億美元,為的就是提升28奈米製程效率及良率提升,將攜手聯發科一同衝刺物聯網市場。
 市場也傳出,聯發科委由聯電生產的28奈米晶片,將先由聯電台灣廠開始生產,明年起將移至聯電廈門廠投片量產,這也代表聯電廈門產能利用率及良率都已經獲得顯著提升,優於當地對手,對於聯電在中國大陸市場站穩地位極有幫助。
 聯電昨(1)日股價收盤價達16.05元,站回2008年6月以來水準,單日漲幅達6.64%,漲勢為半年以來次高表現,三大法人一共買超52,712張,外資共買超37,674張,其次是自營商買超10,825張。

新聞日期:2017/09/04  | 新聞來源:工商時報

半導體資本支出 DRAM廠增幅最多

台北報導
 研調機構IC Insights預估,今年半導體產業資本支出可望高達809億美元,創下歷史新高紀錄,年增幅達20%,優於研調機構預期。其中,資本支出成長幅度最高的為DRAM領域,年增幅高達53%。
 IC Insights原先預估,全年半導體產業資本支出為756億美元、年增12%,不過由於記憶體產業紛紛進行擴產及技術設備升級,使IC Insight調高今年資本支出。DRAM大廠SK海力士近期指出,已無法單靠製程升級增加獲利,必須加大產能,因此加碼今年資本支出預算。
 IC Insights表示,雖然DRAM資本支出成為今年半導體產業中的成長王,但Flash領域也不遑多讓,Flash產業今年預估將投入190億美元資本支出,高於DRAM產業的130億美元。Flash產業投入資本支出原因不外乎研發3D NAND Flash製程,記憶體龍頭三星於今年6月量產的平澤廠便是案例之一。
 不過,IC Insight也示警,觀察歷史經驗,全球NAND Flash大廠瘋狂投入資本支出可能將導致產能過剩,進而引發價格崩跌,從目前狀況看來,三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝及武漢新芯等都計畫在未來幾年拉升3D NAND產能,因此未來3D NAND市場可能會出現價格走跌的風險。
 至於晶圓代工仍是半導體產業資本支出冠軍,IC Insights預估,晶圓代工領域今年將投入228億美元、年增幅達4%,占所有領域比重為28%。晶圓代工龍頭台積電的5奈米新廠將於本月在南科動工,總投資金額將高達2,000億元。
 法人表示,半導體產業持續擴張,代表各大廠對後市景氣保持樂觀態度,其中又以DRAM產業成長最為快速,雖然IC Insight認為積極擴產恐導致價格衰退,不過以目前狀況看來,物聯網、汽車及伺服器對於記憶體需求不減反升,因此價格全面衰退與否仍需觀察。

新聞日期:2017/09/01  | 新聞來源:工商時報

雙利多加持 欣銓下半年業績旺

車電/布局有成,產品開始量產 智慧機/積極開拓物聯網市場,效益將顯現

台北報導
 測試大廠欣銓(3264)布局已久的車電市場即將開花結果,手握數家歐美IDM廠大單,加上智慧手機市場在下半年逐步回溫,讓先前併購的射頻(RF)IC測試場全智科業績將全力助攻欣銓。欣銓總經理張季明表示,看好半導體產業下半年景氣。
 欣銓昨(31)日召開線上法說會,張季明指出,欣銓進攻車用電子市場已經布局多年,且與歐美主要IDM廠商合作關係密切,在車電市場逐步發酵帶動下,上半年已開花結果,近2年也打入日本市場,再納入IDM大廠為客戶,於車電產品領域已經進入量產階段。
 事實上,德州儀器、英飛凌、恩智浦、飛思卡爾以及日商瑞薩等欣銓主要客戶,在車電市場業績都出現顯著成長,使欣銓相關業績表現不俗,且下半年汽車市場進入出貨旺季,汽車廠零組件供應商拉貨相當積極,欣銓自然受惠。
 此外,欣銓原先就是微控制器(MCU)全球前三大測試廠,現在納入全智科的RFIC測試領域,將可望全力進攻物聯網市場。張季明表示,全智科目前產品布局著重在智慧手機市場,但今年上半年手機市場表現平淡,導致業績並未有突出表現,因此未來欣銓將結合MCU及RFIC領域共拓物聯網市場,預期在未來1~2年內將可望見到綜效。
 至於欣銓於南京設立的子公司也於本月完成上梁典禮,預期今年底前將可望完工。張季明指出,欣銓南京子公司為百分之百獨資設立,預計今年12月或明年1月將開始進駐設備,最快明年上半年就可望開始量產。
 智慧手機市場目前已經開始逐步回溫,預期在今年第四季將可望見到拉貨高峰潮。法人看好,全智科業績將可望於今年下半年起逐月走高,且由於欣銓將可百分之百認列全智科營收,因此看好欣銓下半年逐季將創新高,全年業績也將再締新猷。

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