記憶體價格持續向上，伺服器、手機、筆電等相關出貨都成長，下半年業績將逐季好轉
台北報導
　南亞科29日舉行股東常會，董事長吳嘉昭及總經理李培瑛雙雙按讚AI應用，將帶動記憶體容量大增，將帶動產業市況及南亞科業績逐季好轉。
　吳嘉昭在致詞時指出，2023年的DRAM市場，因全球經濟景氣循環、地緣政治、中美貿易衝突等影響，短期間成長受阻，但DRAM是人類進入智慧世代，使所有電子產品智慧化的關鍵零組件，隨著5G及AI的發展，將持續帶動DRAM的增長。
　他預期，2024年DRAM出貨到伺服器、手機與筆電等終端應用市場，都將呈現成長。
　李培瑛在股東會後受訪時則表示，生成式AI帶動高頻寬記憶體（HBM）高速成長，三星、SK海力士及美光三大原廠，集中資源轉進HBM領域，但因HBM良率不高，排擠到一般型DRAM產能。
　因此，在DRAM供給有限，市場需求回溫下，帶動DRAM價格，自2023年第四季起持續往上，記憶體整體產業往正面發展，李培瑛樂觀看待南亞科2024下半年業績將會逐季改善。
　南亞科2024年的重點，是陸續推出以10奈米第二世代（1B）製程技術，量產的三顆新產品，目前正在試產，以擴大產品線、貢獻營收。
■高容量模組 瞄準伺服器需求
　另設計開發中的則有四顆產品，包括16Gb DDR5的微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5及4Gb DDR3，將逐步進入試產。
　此外，2024年南亞科將同步開發矽穿孔（TSV）製程技術，未來結合DDR5微縮版與TSV製程，做成高容量DRAM模組，以供應伺服器市場需求。
　而使用10奈米第三世代（1C）製程技術的第一顆產品16Gb DDR5，預計在2024年底完成設計，2025年初進入試產，南亞科新品將密集上市，迎來AI新商機。
　南亞科另與比利時研發中心（IMEC）合作開發極紫外光（EUV）製程，為更先進的製程預做準備。
　惟4月3日台灣發生七級大地震，扣除保險後，南亞科仍受到晶圓報廢、設備維修及停產等造成額外費用的影響，預期第二季財務績效仍有壓力，本業在第三季較有機會獲利。

亞太區獲獎紀錄最多研發單位 加上鴻海、台積等共11家入榜 名列全球第三 凸顯台灣雄厚實力
【台北報導】
科睿唯安（Clarivate）昨（15）日頒發「2024全球百大創新機構獎」予台灣11家機構，其中工研院八度獲此殊榮，是台灣獲獎次數最高的機構。也是亞太地區獲獎紀錄最多的研發機構。

此次得獎者除工研院外，還包括鴻海、聯發科、友達光電、台達電、瑞昱半導體、台積電、緯創資通、南亞科技與華邦電子，以及首度入榜的中強光電。此次台灣獲獎家數再度名列全球第三，在上榜率僅萬分之一情形下，能從全球110萬家機構中脫穎而出，足證台灣企業的實力雄厚。

工研院在經濟部支持下，持續提升跨技術領域的研發優勢，成為亞太地區獲獎紀錄最多的研發機構，工研院為我國產業創新注入活水，發揮影響力。工研院院長劉文雄致詞時向與會者發下豪語：「明年再見」。

經濟部長王美花表示，台灣獲獎家數再度名列全球第三，凸顯出台灣創新研發的堅強實力。11家獲獎機構專注投入研發，專利組合涵蓋人工智慧（AI）、數位化及減碳趨勢，這也是政府積極投入科專預算，布局專利的範疇。經濟部將持續推動台灣產業數位化及淨零轉型，擴大綠色科技與AI的應用研發，強化人才培養計畫及創新環境，提升台灣產業全球競爭力。

她指出，今年全球100家獲獎機構絕大多數為企業，在每年非常激烈競爭情況下，全球只有三家研發機構榮登榜單，工研院八度獲獎，是亞太地區獲得最多獎項的研究機構，顯示工研院科研創新能力備受國際肯定，扮演支持台灣產業轉型升級的關鍵角色。

科睿唯安副總裁暨全球智權策略長 Vasheharan Kanesarajah 表示，工研院憑藉獨特的想法和全球影響力，體現卓越的創新精神。在現今快速發展的商業環境中，保有競爭優勢已成為具有挑戰性的任務，工研院不僅回應變化，更積極重新定義並推動其所屬領域、產業乃至更廣泛範疇的革新。

劉文雄強調，智慧財產權攸關各國科技優勢與產業競爭力。

近年來智財經營思維轉變，專利不再只是被動防禦的工具，更成為企業競逐國際市場的核心資產。工研院以2035技術策略與藍圖，聚焦智慧生活、健康樂活、永續環境、韌性社會及智慧化致能技術等領域，積極展開前瞻布局。

【2024-04-16/經濟日報/A11版/產業】

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　南亞科總經理李培瑛指出，2024年DRAM需求將逐季好轉，南亞科1B製程技術8Gb DDR4與16Gb DDR5產品將正式導入生產。南亞科以3D堆疊技術開發的高密度RDIMM，也將於2025年上市，目標衝刺雲端伺服器市場。
　李培瑛攜經營團隊於23日舉行新春媒體茶敘，帶來記憶體產業好轉的消息，他指出，AI應用帶動高頻寬記憶體（HBM）需求，加上DDR4轉換DDR5，2024年DRAM市場需求將逐季改善。
　HBM及DDR5將是2024年主要的DRAM成長產品，具有更大的晶片尺寸和消耗更多產能，三星、SK海力士及美光等三大廠產能轉移至DDR5、HBM製造，應該有助於解決DDR4庫存過剩問題，預期2024年記憶體市場將恢復供需平衡。就DRAM價格部分，李培瑛也預期，2024年價格將持續改善，呈現逐季上漲趨勢，第一到第二季上漲機率高，下半年也有上漲機會。
　從應用面來看，AI伺服器在雲端領域掀起需求效應，美國雲端企業的IT支出是觀察重點，而AI PC、AI手機將提升平均DRAM搭載量，消費型市場需求相對健康，2024年有機會穩定成長。
　在新產品部分，南亞科將推出1B製程技術的8Gb DDR4和16Gb DDR5，預期2025年底1B月產能有機會推展到1.6～2萬片。

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　DRAM市況於第三季復甦，全球產業營收季增18％，第四季因原廠漲價態度明確，第四季合約價漲勢確定，預估仍將上漲13％～18％，惟需求方面回溫程度，則不如過往旺季；整體而言，買方雖有備貨需求，但以目前來說，伺服器領域因庫存水位仍高，拉貨態度仍顯被動，預估第四季DRAM產業出貨成長幅度有限。
　TrendForce表示，第三季三大原廠營收皆有所成長，由於AI話題延燒，對高容量產品需求維持穩定，加上1 alpha nm DDR5量產後，量價齊升，帶動三星第三季DRAM營收季增幅度約15.9％，約52.5億美元。
　SK海力士受惠HBM、DDR5產品需求，出貨量連三季度成長，加上平均銷售單價季增約10％，營收約46.26億美元，季增幅度達34.4％，是原廠中成長最顯著的業者，與三星的市占率差距縮小至不及5個百分點。
　美光平均銷售單價小幅下跌，然因需求回溫，出貨量增加，支撐營收季增幅度約4.2％，達30.75億美元。
　產能規劃方面，三星針對庫存偏高的DDR4產品擴大減產，第四季減產幅度會擴大至30％，且認為旺季須待2024下半年，投片將於2024年第二季開始提升。SK海力士投片則率先於2023年底上升，搭配2024年DDR5滲透率提升，預期總投片量將逐季上升。美光庫存相對健康，2023年第四季投片已開始回升， 2024年投片量估仍會小幅上升，產能重心落在製程轉進。
　台廠方面的南亞科主流DDR3、DDR4產品需求相對疲乏，價格仍呈下滑走勢，限縮其營收漲幅，營收達2.44億美元。
　華邦電則在定價策略上較為積極，為拓展其DDR3業務，去化高雄廠新增產能，議價彈性大，故出貨有所成長，第三季營收上升至1.12億元。
　力積電營收計算為其自身生產的消費性DRAM，不包含DRAM代工業務，受惠現貨價格上漲，使得需求小幅上升，帶動DRAM營收季增4.4％。

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　記憶體大廠減產保價策略奏效，第四季合約價報價優於市場預期，DDR5上漲15～20％，DDR4上漲10～15％，DDR3上漲10％，漲幅優於原先預估的5～10％；NAND每家平均漲至少20～25％，漲幅更大。
　另據了解，第一大原廠三星對DRAM正常報價，但在NAND部分，暫停報價，也不出貨，最新報價仍待觀察。
　台系記憶體製造廠南亞科、華邦電、旺宏，模組廠威剛、十銓、創見、宜鼎、宇瞻、點序、群聯等，有望跟著拉升報價。
　業者分析，記憶體合約價的調漲，主要原因有四：一是反映華為Mate 60新機銷售暢旺，帶動Android手機業者提前推出新機，帶動行動DRAM需求；二是三星（Samsung）控制出貨量，造成PC業者補庫存時長延長。
　三是因應手機需求上修，DRAM業者將2023年第四季到2024年第一季的伺服器DRAM投片，調整至行動及PC DRAM投片，伺服器DRAM的供給壓力緩解；四是網路攝影機、網通等利基型應用業者因應漲價預期，啟動記憶體庫存回補。
　市場法人分析，2023年記憶體大廠紛紛採取減產保價策略，促使記憶體報價止穩反彈，預期隨著各大廠減產幅度收歛、稼動率提升，2024年記憶體產業將走向價量齊揚。
　至第四季，美光（Micron）已將DRAM庫存去化至8周、完成庫存去化，並將DRAM工廠減產幅度，自第三季的31％，收斂至第四季的17％、並預計在2024年第一季至第四季維持減產幅度。
　三星及SK海力士的減產及去庫存時間，皆落後美光一季，預計將減產幅度自第四季的18～40％，收斂至2024年第一季的15～34％、並預計在第二至第四季逐步收斂減產幅度。
　業者認為，考量終端需求預計自第二季起回溫、加上龍頭製造商皆預計維持「以銷定產」的紀律性增產節奏，預估2024年第一季至第四季期間DRAM合約價將維持漲勢。由於庫存仍處15～18周高水準，NAND Flash仍可望持續減產。 市場產業分析師認為，第三季至第四季記憶體模組廠的獲利及評價表現較佳，主要反映模組廠可即時享有庫存利益、而不須負擔產能閒置損失。
　但自2024年第一季起，記憶體製造廠的獲利及評價表現將改善，主要考量製造廠工廠逐步升載下，產能閒置損失的收斂，有望挹注獲利。

法人預期，華邦電、南亞科、威剛等台記憶體廠將受惠

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　TrendForce研究顯示，第四季起DRAM與NAND Flash均價開始全面上漲，以DRAM來看，預估第四季合約價季漲幅約3％～8％。法人預期，華邦電、南亞科、威剛、群聯等台系記憶體廠商有望受惠。
　TrendForce預估，在PC DRAM方面，多數原廠均因DRAM產品出現負毛利，而不願意再讓價，預測第四季DDR4價格季增0～5％，DDR5價格季增約3～8％，預估第四季PC DRAM合約價季漲幅約3～8％。
　Server DRAM方面，DDR5買方庫存占比，已較第二季的20％，提升至30～35％，但第三季實際Server上機使用率僅為15％，市場需求似乎沒有預期中的好。
　三星擴大減產，限縮DDR4的投片規模，供應端的Server DDR4庫存降低，Server DDR4報價沒有再下跌的空間。
　Server DDR4第四季均價預估持平，而Server DDR5仍會走跌，伴隨DDR5出貨比重增加，加上DDR4與DDR5之間價差約50～60％，仍會拉升綜合產品的平均零售價，第四季Server DRAM的合約價預估季增3％～8％。
　Mobile DRAM方面，由於Mobile DRAM庫存相較其它應用更早回到健康水位，加上價格彈性帶動單機搭載容量上升，下半年買氣轉趨活絡。第四季智慧型手機產量季增逾10％，支撐Mobile DRAM需求。
　原廠庫存仍高，短時間內無法改變供過於求的市況，但堅持拉抬價格，目前原廠庫存較多的LPDDR4X或舊製程產品，預估合約價季漲幅約3～8％；LPDDR5（X）則略顯供貨緊張，預估合約價季漲幅5％～10％。
　Graphics DRAM方面，由於Graphics DRAM為淺碟市場，加上買方心態，已轉為可接受價格上漲，預期採購端將持續準備主流規格GDDR6 16Gb，以應對2024年的漲勢。

三星、SK海力士、美光續減產及力守報價，預期2024年需求位元年增雙位數
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　國際記憶體大廠包括三星、SK海力士、美光等持續減產，TrendForce預估，2024年各廠減產策略仍將持續；惟隨著消費性電子產品需求回升，2024年DRAM、NAND Flash需求位元將年增13％及16％。
　台系記憶體廠如南亞科、旺宏、華邦電、群聯、威剛、宜鼎等，有望同步受惠。
　記憶體族群30日漲勢轉強，旺宏、威剛領漲同族群，漲幅逾7％，群聯、點序、宜鼎及十詮漲幅亦在5％～6％。
　業界人士指出，記憶體第三季合約談判已完成，DDR4合約價季減低個位數，DDR5合約價季增低個位數，而龍頭廠之間無顯著價差。
　主要是龍頭廠的1Ynm以上製程持續處現金流出下，各大廠減產幅度擴大，力守報價，以期營運止血，且積極去化庫存下，庫存水位自6月底的12～14周，進一步去化至9月底的10～12周。
　展望第四季報價，業界人士預估，DRAM合約價將上漲5％，帶動現貨價上漲，且漲勢將延續至2024年。
　NAND部分，因三星先前下令暫停低價報價，中系模組廠也配合三星調漲報價，主流產品512Gb現貨價在8月下旬，已從1.48美元，調升至1.62美元～1.65美元，漲幅約10％，其他大廠紛紛跟進，NAND現貨價格也見到止跌。
　業界人士預期，記憶體廠庫存在2024年第一季，將降至8周以下水準，大廠漲價態度於2023年下半年逐步轉趨明確，預估DRAM及NAND合約價於2024年上半年，全面進入上升周期。
　惟TrendForce預估，2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，加上通用型伺服器的資本支出，仍受到AI伺服器排擠，而顯得相對需求疲弱。
　但有鑑於2023年基期已低，加上部分記憶體產品價格已來到相對低點，預估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13％及16％。
　儘管需求位元有回升，2024年若要有效去化庫存，並回到供需平衡狀態，重點還是仰賴供應商對於產能有所節制，若供應商產能控制得宜，記憶體均價將有機會反彈。

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　南亞科（2408）10日舉行法說會，總經理李培瑛指出，DRAM市場在第二季已見築底，下半年手機、電視需求將逐步改善，DRAM供需狀況有望趨於平衡。
展望第三季，李培瑛表示，產業市況在第二季已築底，2023下半年有機會需求逐步改善，供需狀況有望在第四季趨於平衡，但仍需觀察大陸內需市場、美國雲端市場及全球經濟景氣的復甦力道。
就產品類別而言，伺服器部分，AI伺服器激勵雲端需求，但企業IT支出仍保守，美國雲端業者復甦力道將是觀察重點。
在手機部分，下半年新機上市，平均DRAM搭載量增加，中國大陸區手機銷售復甦力道，將是指標之一。
在PC部分，由於庫存逐步修正回到正常水準，下半年出貨可望優於上半年。消費型電子終端產品如電視、IP CAM、網通、工控及車用需求相對健康，下半年消費型電子產品有機會逐漸開始回溫。
南亞科技第二代的10奈米級製程前導產品與第三代的10奈米級製程測試產品，均依照原先進度試產中。
該公司因應市況變化，2023年資本支出預計由原先的185億元調降至150億元，相較去年減少28％，其中，生產設備資本支出約占五成。但研發腳步不停歇，預計明年中推出16GB的DDR5上市。
南亞科同日公布自結合併財務報告，第二季營業收入為70.27億元，較上季增加9.4％。該公司第二季DRAM平均售價季減中個位數百分比，銷售量季增中十位數百分比，量增價減。
第二季營業毛損為7.88億元，毛利率為負11.2％，較上季減少2.6個百分點，主要是平均銷售單價降低。
營業淨損為31.85億元，營業利益率為負45.3％，較上季減少0.4個百分點，營業外收入12.64億元，稅後淨損為7.71億元，淨利率為負11.0％。
南亞科單季每股虧損0.25元（每股盈餘依加權平均流通在外股數30.98億股計算）。截至6月30日，每股淨值55.72元。

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　記憶體大廠旺宏（2337）、華邦電（2344）7日雙雙公告6月合併營收，旺宏6月營收21.4億元，月減6.2％；華邦電6月營收69.89億元，則較上個月增加13.86％。
　稍早南亞科已公告6月營收24.58億元，月增6.45％，年減53.05％，連續四個月成長，並創今年新高。
　法人認為，由三大記憶體廠商的營收數字顯示，記憶體的庫存正在逐漸去化中，終端需求也正在緩步提升。
　預期在伺服器新平台將帶動伺服器DRAM／Enterprise SSD拉貨回升、傳統消費性電子旺季帶動PC／手機拉貨回升、大廠仍將維持低稼動率，庫存金額將持續下降等三大因素帶動下，記憶體基本面將轉趨正向。
　旺宏6月營收21.4億元，較上月合併營收22.81億元，減少6.2％，較2022年同期合併營收39.12億元，減少45.3％。
　累計1月至6月合併營收為145.33億元，較2022年同期229.38億元，減少36.6％。
　華邦電則指出，華邦含新唐科技等子公司，6月份合併營收為69.89億元，較上個月增加13.86％，較去年同期減少21.50％，。
　累計1至6月合併營收為363.27億元，較去年同期減少31.67％。

DRAM／Enterprise SSD需求爬升、庫存金額續下降，南亞科、旺宏等營收拚雙位數季增
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　伺服器新平台上市後，將帶動伺服器DRAM／Enterprise SSD需求爬升，搭配傳統消費電子旺季來臨及大廠維持低稼動率，庫存金額持續下降等有利因素，機構法人預估，記憶體族群第三季有雙位數季增機會。
　記憶體產業從去年至今，已度過最激烈的修正期，第二至第三季將持續消化庫存，出貨量回升，有望帶動營運改善。
　記憶體族群12日股價漲勢整齊，法人近五日買盤集中在華邦電、南亞科、鈺創、聯陽、晶豪科、威剛、群聯、廣穎、創見，有千張以上買超。
　其中，南亞科5月營收23.1億元，月增2％，年減少63％，第二季營收達成率65.5％，符合法人預期。
　第二季南亞科利基型記憶體需求小幅回升，反映中國大陸部分消費性電子重啟拉貨，下游廠商擔憂DRAM現貨價於下半年反轉，而提前拉貨，惟PC及手機需求未明顯復甦下，第三季DRAM現貨價將持或微幅上升，合約價回升則待第四季及2024年上半年。
　旺宏5月營收22.8億元，月減24％，年減36％，第二季營收達成率71％，略優於法人預期，5月營收月減24％，主要是因日系ROM（唯讀記憶體）客戶提前備貨，使基期較高，NOR型快閃記憶體拉貨仍處低檔，未見明顯回溫，預估第二季營收季增約中個位數，季增5～7％。
　目前NOR產業仍處於庫存去化階段，PC及手機業務未見回溫跡象，因此多以急單為主，惟NOR／NAND／FBG（foundry business group）業務最壞時刻已過，下半年將逐步復甦。
　群聯5月營收32億元，月減4.9％，年減37％，第二季營收達成長62％，略低於法人預期，反映NAND終端及通路端庫仍處於高檔，使拉貨較DRAM疲弱。
　然而，NAND價格已跌至現金成本以下，5月NAND位元出貨量年成長30％，因工控及車用等高獲利業務比重已達60％，未來亦將持續切入企業及市場。