預期韓廠將降低產能利用率，DRAM及NAND Flash平均上漲約1成；合約價也出現止跌

台北報導
日本在7月初開始管控向韓國出口3種生產半導體及面板所需關鍵材料，造成記憶體模組廠出現提高報價狀況。隨著近期日本及韓國之間協商毫無共識，日本經產省又在安全保障貿易管理中將韓國列為最不能信賴國家，日韓貿易紛爭持續惡化，在預期韓國記憶體廠恐將開始降低產能利用率情況下，DRAM及NAND Flash現貨價平均上漲約1成，部份貨源較少產品更一口氣大漲逾2成。
■南亞科、群聯等受惠
隨著DRAM及NAND Flash現貨價持續上漲，7月合約價也出現跌幅明顯縮小或持平止跌現象。由於第三季是傳統旺季，法人看好南亞科、華邦電、群聯等業者本季營收及獲利將明顯優於第二季。
日本對韓國發布關鍵面板及半導體材料限制出口禁令後，韓國記憶體大廠三星電子及SK海力士手中的光阻劑及高純度氟氫酸庫存水位急降，兩家業者雖然積極向外尋求新供應商，但至今仍無法取得足夠材料貨源。同時，韓國業者雖表示已向日本供應商海外工廠調貨，不過日本官方說明若是最終使用者是韓國業者仍受到出口禁令管制。
目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上並非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長且需確定最終使用者一定要是半導體廠，所以短期結構性供需反轉的可能性低。但業者表示，光阻劑及高純度氟氫酸保存期限短，日本將申請時間大幅拉長，且每次採購都需申請，會導致韓國業者出現材料供給缺口，造成晶圓廠產能利用率明顯下滑，將可加速DRAM及NAND Flash庫存去化速度。
因為日韓紛爭短期內無法達成共識，加上傳統出貨旺季到來，模組廠順利調漲現貨價格。根據集邦報價，8Gb DDR4現貨均價已漲至3.7美元左右，最高成交價達4.0美元，7月以來漲幅約10％，供貨較少的4Gb DDR3已漲至1.7美元，7月以來漲幅逾15％。
NAND Flash現貨價漲幅更大，因為日本東芝記憶體四日市廠區發生停電後導致第三季產出大幅減少，且智慧型手機最高搭載容量今年拉高至512GB，日韓紛爭可能導致韓系業者供應量下滑，NAND晶圓（wafer）現貨價因此大漲，512Gb TLC晶片價格漲至3.9美元，供貨量少的128Gb TLC晶片價格更大漲33％達1.6美元。
■業界預估至少漲到月底
模組業者表示，韓國三星及SK海力士的庫存已開始下滑，DRAM及NAND Flash現貨價預期至少會漲到月底，7月漲幅預估會達2～3成，若日韓紛爭延續到日本參議院大選後仍然未解，8月現貨價格續漲機率大增，合約價有機會反轉開始上漲。法人認為價格上漲有助於群聯、南亞科、華邦電等記憶體廠第三季營運表現。

強化全球布局、擴充12吋晶圓產能
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晶圓代工廠聯電昨（29）日宣布，將以不超過576.3億元日圓（約新台幣160億元）的金額，完全收購已持有15.9％股權的日本三重富士通半導體（Mie Fujitsu Semiconductor，MIFS），預計2019年1月1日完成股權轉讓，除了能夠擴充聯電12吋晶圓廠產能，更能達到強化全球布局的地位。
聯電目前已持有日本三重富士通半導體15.9％的股權，此次則是要增持其餘的84.1％股權。據了解，日本三重富士通半導體的月產能為3.6萬片12吋晶圓，主要應用在車用、物聯網（IoT）等，並以40、65奈米製程等成熟製程為生產的主力。
聯電財務長劉啟東表示，聯電於2014年參與日本三重富士通半導體增資、並取得15.9％股權及1席董事，並由聯電授權40奈米技術。不過，由於該投資的閉鎖期規定為2.5年，雙方在去年中開始密切接觸，最終決議聯電將百分百收購日本三重富士通半導體股權，取得12吋晶圓廠產能。
聯電表示，日本三重富士通半導體在成為聯電集團的成員後，公司名稱和營運銷售細節將於股權轉讓後儘速決定，在這段期間日本三重富士通半導體仍將維持其現有的客戶銷售管道，繼續為客戶提供高品質的晶圓專工服務。
據了解，日本三重富士通半導體去年總營收約為709億日圓（約為新台幣195億元），全年稅後淨利約29億日圓（約新台幣8億元）。這也意味著，就算三重富士通半導體明年營運維持現狀，仍可推升營收出現雙位數成長。
聯電共同總經理王石表示，聯電正面臨12吋成熟製程需求量的激增，隨著5G、物聯網、汽車和人工智慧等領域新應用的爆發，預估未來市場需求力道將持續推升。他強調，以此收購案來看，可立即取得合格且設備齊全的量產12吋晶圓廠，相較於花費數十億美元和數年時間從頭開始建置新的晶圓廠，不論是時效和投資報酬率都更具優勢。
聯電在取得日本三重富士通半導體12吋晶圓廠產能後，加上現有台灣、中國大陸及新加坡的12吋晶圓廠，可望透過全球化布局，分散生產製造風險。聯電表示，利用公司數十年的世界級IC生產經驗，結合日本當地人才和世界知名的品質標準，提供日本和國際客戶更佳的服務。