報導記者／涂志豪

生產基地多元化、利基製程布局完整，營收成長動能強
台北報導
晶圓專工大廠聯電去年完成日本廠Fab 12M（USJC）收購後，在台灣、大陸、日本、新加坡等地都擁有8吋或12吋廠生產據點，已完成多元化戰略布局。聯電雖已不再與同業在7奈米及更先進製程市場競爭，但14奈米已進入量產，成熟利基製程布局完整。法人看好，聯電在全球地緣政治競爭下將穩固基本盤，今年營收可望創下歷史新高。
聯電今年上半年接單強勁，產能利用率維持高檔，4月合併營收月增3.4％達150.59億元，創下單月營收歷史新高，年增24.6％。累計前四月合併營收達573.27億元，較去年同期成長28.4％，同樣改寫歷年同期歷史新高紀錄。聯電第二季晶圓代工需求及晶圓平均美元價格同步回溫，法人預估第二季合併營收將季增5％以內，續創季度營收歷史新高。
聯電不再與同業在先進製程上進行軍備競賽，但看好未來半導體科技運用將以人工智慧、物聯網、5G 通訊、汽車電子為主，將有大量的晶片需求，且多為聯電所專精的技術及特殊製程，因此成為聯電持續投資策略重點。聯電為領先布局晶圓廠生產基地多元化，去年完日本廠Fab 12M（USJC）收購並增加具成本效益的產能，將可提供長期成長所需。
在先進製程布局上，聯電14奈米14FFC製程已成功的導入5G及網通等應用，良率達業界量產水準。22奈米超低功耗22ULP及超低漏電流22ULL製程平台已完成客戶產品驗證，28奈米高效能運算28HPC+製程應用於影像信號處理器（ISP）今年導入量產，28奈米毫米波（mmWave）製程將可提供低功耗的CMOS 解決方案。
在特殊製程布局上，聯電40奈米高壓製程是業界第一個領先開發並量產OLED面板驅動IC，28奈米高壓製程也已進入量產階段。聯電亦提供射頻絕緣半導體（RFSOI）技術，可滿足所有4G/5G手機對射頻開關的嚴格要求。