本輪中美談判完鬆口氣…消弭捲入貿易戰的疑慮，Q2業績添柴火

台北報導
中興通訊遭美方封殺後，聯發科也不得不暫時停止對中興出貨。不過，在中美本輪貿易談判落幕後，聯發科昨（4）對外證實，已取得經濟部國貿局出貨許可，恢復對中興出貨。法人表示，這將消弭聯發科捲入中美貿易戰的疑慮，為今年第二季業績添上柴火。
市場原評估聯發科將因此受惠，但該公司執行長蔡力行在之前舉行的法說會上坦言，「已經暫時停止對中興出貨，必須向國貿局申請出貨許可，尚可重新對中興出貨」，使聯發科反成受累者。而據了解，聯發科4月23日收到國貿局公文後，本月1日即遞件申請，國貿局在最短時間的3天內，火速通過聯發科申請。事實上，聯發科本次暫停出貨狀況，純屬國貿局為避免國內廠商可能因失誤而出售軍武、國防等級產品遭到美方制裁，所做出的「保護措施」，經申請清查無疑，皆可重新出貨。
對此，國貿局副局長徐大衛昨日則表示，近期聯發科等3家業者所提7件出口中興通訊的申請案，經審查都沒問題，已發給輸出許可證。他說，依規定只要屬於「戰略性高科技貨品列管清單」裡的產品，不論輸往哪個國家，都得申請輸出許可，經審查通過後才能出口。日前國貿局發布新聞提醒出口對象為中興通訊者要申請輸出許可，並非新增什麼特別的管制。
他表示，只要屬於「戰略性高科技貨品列管清單」的產品，業者在出口前都要申請輸出許可，載明「出口貨品」及「出口對象」。貨品若涉核子、生化及飛彈相關產品，就會送工業局、工研院認定，予以嚴格審查，另外，出口對象（賣給誰，最終使用者）若屬於國際管制名單者，則要請國安會表達意見。
徐大衛強調，要求業者申請輸出許可，是貿易管理的一種方式，只要不涉敏感性產品，即使輸往伊朗，經審查認定沒問題，一樣可以取得輸出許可。

聯手厚安創新基金並放棄控制權，為ARM mini China在A股IPO鋪路
綜合報導
日本軟銀旗下知名半導體設計業者安謀（ARM）或將成為大陸A股中的新軍。日媒披露，安謀放棄與陸資在大陸的合資公司控制權，僅持股49％。有市場人士認為，安謀此舉是為使該公司在大陸IPO，更加順利登陸A股。
日經亞洲評論報導，安謀在大陸深圳所設立的合資公司名為ARM mini China，今年4月底剛開始營運，負責安謀在大陸市場包括專利授權、版稅等業務，其中安謀持股49％，大陸投資者占51％股份。
市場人士指出，此舉可能是在為Arm mini China登陸大陸A股市場而鋪路。4月初曾有安謀的大陸合資公司最快會在年內登陸A股的消息，另外也有消息指出，安謀或許在2021年進行該IPO計畫。
當前大陸政府正積極開放、拉攏具有潛力的新興行業公司、獨角獸進入滬深交易所掛牌。日前富士康旗下FII走綠色通道，迅速通過大陸監管單位審批的案例，僅花36天就成功上市，被大陸業界稱為「光速上市」，促使不少高端科技業者開始考慮大陸資本市場。
報導稱，另一方面，在日前發生中興通訊遭美國政府懲罰的案例後，在大陸引發一股要在半導體、晶片產業降低對外國依賴、自立自強的議論，不少人士呼籲要正視晶片等產業落後他國的緊迫性，鼓吹大力發展「中國芯」。而此次安謀在大陸設立合資公司，有專業人士認為將是一大利多。
去年5月中旬，安謀便和厚安創新基金共同簽署協議，在深圳成立由陸方控股的合資公司，由安謀提供晶片設計所需要的智財權、技術與培訓。分析人士稱，安謀在大陸設立的合資公司，也是大陸在發展晶片產業上的一大突破。
36氪指出，安謀對大陸市場青睞而設立合資公司，某種程度能夠透過其技術扶持大陸其他晶片業者，利於大陸相關業者技術升級，合資公司也有望研發大陸本地客製化產品，或借助安謀管道拓展國際其他市場或企業合作。
此外，關於大陸市場對安謀的吸引力，新浪科技引述分析師估算，安謀約有25％的營收來自大陸，此前安謀執行副總裁Rene Haas也曾表示，安謀在大陸市場的業務增速快過其他國家，大陸5年內有望成為安謀最大市場。

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高科技是中美貿易爭端的關鍵之一，半導體業及其前瞻技術尤是。法國外貿銀行環球市場研究部門指出，中國大陸對半導體產業的「好胃口」早已不是秘密，近期動用國營事業投入2,000億元人民幣（下同）用作積體電路大基金第二期，同時調降相關企業稅至11％，創造相關資金成本極低的2.2％水位，加速邁向2025年達到75％半導體產量境內生產的野心目標，估計中方會祭出更多對策，包括從歐洲取得技術支援、避免與美商往來等。
法國外貿銀行亞太區首席經濟學家艾西亞（Alicia Garcia Herrero）說，大陸扶植半導體產業可用「錢如雨下」來形容。目前已知財政部出資520億、占比44％；國開金融公司（CDB Capital）420億、占35％；中國國家開發投資集團（SDIC）出100億元。連和科技業完全沒有相關的中國菸草專賣局也拿出50億元。
積體電路大基金第一期啟自2014年，台經院副研究員劉佩真估算已投入1,387億元，累計有效決策62個專案，涉及46家企業，對製造、設計、封測、裝備材料等產業鏈各環節全面覆蓋。對於第二期的投資金額，目前公開約2,000億元。法國外貿銀行推估，大約是三星半導體2017年資本支出，或等同全球半導體產業全年投資總規模的三分之一，此外再提供企業低稅率的輔助，也能折抵半導體投資的資金成本。
艾西亞指出，大陸官方如此熱衷半導體產業，主因為大陸是半導體產業的最大市場，主要供應商都是外國企業，特別是製程愈先進的部份愈是明顯。像晶圓供應，晶圓代工部份中國只有7～8％的市場，沒有一家陸企能夠進入前10名，多數大陸製造商只能在產業鏈的偏低階部份，即外包組裝和測試（OSAT）才看的到較高的市佔率，唯有透過官方資金大量挹注，才可能改變目前的產業生態。
至於大基金第二期的未來用途，法銀經濟研究團隊估計，應會用於直接購併技術前緣的外商企業，最可能目標市場是歐洲，日本也是另一個找尋合作技術的來源。

新設的半導體企業或專案，可享「兩免三減半」或「五免五減半」

綜合報導
大陸扶持半導體產業利多一波波，繼資金、人才政策後，再祭出稅負大優惠。中國財政部昨（30）日宣布，今年1月1日起，新設的半導體企業或專案可依製程先進程度、經營期、投資金額等條件，在企業所得稅上分別享有「兩免三減半」、「五免五減半」的優惠。
由於今年3月初市場已傳出「國家集成電路產業投資基金」（大基金）開始進行第2期募資，如今為鼓勵半導體業者加大投入及提升技術水平，昨進一步實施誘人的稅負優惠，大陸官方決心可見一斑。
中國財政部昨在官網公布，今年1月1日後，投資新設的積體電路製程小於130奈米，且經營期在10年以上的積體電路生產企業或專案，前2年可免徵企業所得稅，第3年至第5年按照25％的法定稅率，減半徵收企業所得稅，並享受至期滿為止。
此外，今年1月1日後，投資新設的積體電路製程小於65奈米或投資額超過150億元人民幣（下同），且經營期在15年以上的積體電路生產企業或專案，前5年免徵企業所得稅，第6年至第10年按照25％的法定稅率，減半徵收企業所得稅。
對於可享用優惠稅收政策的積體電路生產企業，優惠期自企業獲利年度起計算；對於可享受上述優惠的積體電路生產項目，優惠期自項目取得第一筆生產經營收入所屬納稅年度起計算。
為避免過度依賴進口，近年大陸積極推動本土半導體產業發展，相關利多政策迭出，包括在2014年底成立規模達1,300億元人民幣（下同）的「大基金」。
今年3月份，大陸全國「兩會」（人大、政協會議）政府工作報告中，明確提出今年要推動多項戰略性產業發展，而排在首位的就是積體電路。有分析人士指出，可見官方對半導體業的重視，預料不久會有相關政策推出。
另在3月初，市場傳出「大基金」第2期已開始募資，規模超過1,500億元。與1期不同的是，第2期的資金更多投向晶片設計領域，若按照1：3的撬動比率計算，預估2期可帶動的社會資金規模約在4,500億～6,000億元。

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根據市調機構集邦科技最新報告，大陸高資本支出的晶圓廠建設專案備受業界關注，尤其是近期士蘭微、粵芯等新一批晶圓製造專案的出現，將使得產業競爭升溫，並且帶動產能擴增，預估至2018年底中國大陸12吋晶圓製造月產能將接近70萬片，較2017年底成長42.2％，2018年產值將達人民幣1,767億元，年成長率為27.1％。
根據集邦科技最新統計資料，至2017年底的2年當中，大陸新建及規畫中的8吋和12吋晶圓廠共計約28座，其中12吋有20座，8吋則為8座，多數投產時間將落在今年。目前中國積體電路製造產業是內資、外資、合資等3種方式並存模式，其中合資及外資部分幾乎占去一半以上的產能，並且在先進技術對比方面，外資廠商也占有絕對優勢。
觀察廠商布局動態，以中芯國際為首的本土晶圓廠最先進量產制程目前仍處於28奈米多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）製程階段，雖然在28奈米營收占比、28奈米高介電金屬閘極（HKMG）量產推進、及14奈米研發方面皆取得不錯的成績，但台積電南京廠、聯電廈門廠聯芯、格羅方德成都廠格芯等外資廠商的同步登陸布局，也進一步加劇與本土廠商在先進製程的競爭。
同樣，在國際巨頭長期壟斷的記憶體產業領域下，作為新進者的長江存儲、晉華集成、長鑫存儲等本土3家廠商，未來也會長期受到來自國際巨頭廠商在技術專利及價格等多方面的挑戰。
另從官方透過產業基金推動半導體發展策略來看，集邦預估，未來包含一期與二期在內大基金，與地方投入資本總額，將逼近人民幣1兆規模。大基金目前在晶圓製造端投資，包含企業及專案部分有中芯國際、華虹宏力、華力微電子、長江存儲、士蘭微、耐威科技等，還有一些重點專案仍在積極對接中。
相較於地方資本，大基金參與或是準備參與的新建重點晶圓製造專案，具備更高的避險能力。集邦指出，對於地方資本，目前真正能落實的資金相對有限，而晶圓製造專案對資本的連續性投入要求最為嚴苛，需要同時考慮初期設廠的大規模投資，以及投產中可能存在的產能利用率不高的潛在風險，再加上地方政府換屆時對當地重點專案傳承性影響的不確定因素。

晉華電子、合肥長鑫、紫光集團搶進，瞄準利基型DRAM及NAND Flash
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中國半導體發展風起雲湧，在市場、國安等考量下，記憶體成為中國重點發展項目。根據市場研究機構集邦科技最新報告指出，隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域，包含晉華電子、合肥長鑫、紫光集團在內的三大陣營已成形，利基型DRAM及NAND Flash是布局重點。
集邦表示，紫光透過併購或爭取技術母廠授權的策略多失敗收場，但中國大陸積極吸收專業人才，無論是台灣地區的建廠人才，或是日韓的技術人才等，皆為大陸半導體廠的目標，並且從技術授權轉為自主研發，處處可見大陸進軍記憶體的強烈決心。
大陸DRAM產業目前已有晉華電子、合肥長鑫等兩大陣營。晉華電子專注利基型DRAM的開發，主攻消費型電子市場，技術合作夥伴是聯電，希望憑藉著大陸本有的龐大內需市場壯大自身產能，甚至在補貼政策下，預估最快2018年底可能將擾亂國際大廠在中國市場的銷售策略，並且有機會取得技術矽智財（IP）走向國際市場。
相較於晉華電子避開國際大廠的主力產品，合肥長鑫直搗國際大廠最核心的行動式DRAM產品。行動式DRAM已是記憶體類別中占比最高的產品，其省電技術要求極高，開發難度相當高。然而，中國品牌手機出貨已占全球逾4成，倘若LPDDR4能順利量產並配合補貼政策，大陸官方進口取代的策略即可完成部分階段性任務。
觀察大陸在NAND Flash領域的發展，以紫光集團旗下的長江存儲為最快成軍的開發廠商，初期也將以大陸內需市場的布局為主。由於長江存儲開發早期技術力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層才有機會進軍固態硬碟（SSD）市場，但此市場技術競爭相當激烈，沒有中國政府的支持，短期會難以在成本上取得優勢，利用中國內需市場壯大自己將是紫光集團未來可行的策略。
而武漢新芯隨著長江存儲的成立後，將專注於NOR Flash的開發，雖然長江存儲的NAND Flash試產線暫放在武漢新芯，但隨著長江存儲於武漢未來城基地建構完成後，未來也將各自獨立。
集邦指出，以目前現況來看，中國發展記憶體的策略能否成功，未來的3～5年將是極其重要的關鍵期，特別是強化矽智財的布局，中國政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力，以及具國際水準的產能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球並占有一席之地。

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根據市調機構集邦科技研究指出，2016年後在大陸當地規畫新建的晶圓廠共有17座，其中，12吋晶圓廠有12座，8吋晶圓廠有5座。從成本結構來看，新廠折舊成本高昂，加上高薪挖角導致人力成本的提升，以及近來因空白矽晶圓供不應求導致的材料價格飆升，短、中期面臨虧損壓力。

從半導體廠的成本結構來看，可拆分成折舊、間接人員、材料及直接人員等項目，根據集邦科技調查顯示，以1座初期月產能約1萬片的28奈米新12吋晶圓廠作為假設基礎，其折舊成本占整體營收約為49％，相較於晶圓代工一線廠折舊成本占比約23.6％，以及二線廠的25％，新廠折舊成本高出近一倍。

觀察間接人員成本，由於新廠的關鍵技術人力不足，必須仰賴至少高於市場行情2～3倍的薪資吸引專業技術人才，藉此提升客戶關係，及縮短產品量產的學習曲線。集邦科技估算，新廠的間接人員成本比重達34％，遠高於一線廠與二線廠的10.2％與17.5％。

另外，從材料的角度來看，占晶圓代工廠材料成本達約3成的空白矽晶圓，今年供不應求的狀況預計持續，供應鏈傳出，大陸新廠以高於一、二線大廠20％的價格，確保空白矽晶圓供貨無虞，加上產線人員經驗不足，也會造成晶圓廠材料成本增加。至於材料成本與企業的議價能力呈現正相關，因此新晶圓廠的直接人員及材料成本皆高於一、二線廠。

集邦科技指出，為了在同樣的製程節點下與既有的領先廠商競爭，必須以較優惠的價格吸引客戶投單，以致於不僅製造成本高，對客戶的議價能力也受限，造成投入的成本回收困難，短、中期恐面臨虧損風險。這也是大陸官方成立大基金的目地，期能達到培育出大陸當地自主的半導體產業鏈。