總經理呂紹萍：首季每股淨利2.68元，將續擴增車用CIS封測產能 台北報導CMOS影像感測器（CIS）封測廠同欣電（6271）23日召開法人說明會，總經理呂紹萍表示，CIS封測營運維持高檔，隨著陶瓷基板及射頻（RF）模組需求回升，第二季營收可望季增個位數百分比續創新高，陶瓷基板價格改善亦可望帶動毛利率回升。同欣電看好今年車用CIS市場成長動能，今年大多數設備支出都將用於擴增車用CIS封測產能。同欣電第一季合併營收31.41億元，歸屬母公司稅後淨利達4.79億元，每股淨利2.68元優於預期。同欣電第一季四大產品線營收來看，影像產品業績季減5.1％達16.56億元，年增率達1.34倍；陶瓷基板季增10.5％達7.37億元，年增率達30.9％；混合模組季減8.7％達5.83億元，年增率達26.6％；RF模組季減26.9％達1.21億元表現較弱，年減率達32.0％。呂紹萍表示，影像產品的CIS晶圓重組（RW）產能無虞，端看客戶提供的晶圓量而定，同欣電併購勝麗後，勝麗新竹廠組裝需求有所成長。混合模組除了季節性因素外，主因超音波感測頭客戶去年第四季下單較多，今年首季訂單恢復去年初狀況。同欣電第一季RF模組營收明顯下滑，主要是客戶受晶片供不應求影響，目前狀況已解決，第二季營收可望回升。陶瓷基板需求自去年第四季起持續回升，受惠電動車的車用LED頭燈、植物照明等新應用需求提升帶動，熱電轉換器需求成長加快，先前需求稍緩的高功率模組亦逐步回溫。呂紹萍指出，陶瓷基板近4～5年需求持續下滑、面臨價格壓力，同欣電因此封存部分設備。隨著需求回升，客戶有要求重啟增加產能，同欣電已向客戶反應以目前價格將無法支撐，敲定本季將調整價格，若要求增產會爭取較合理報價，預期將有助同欣電營運表現。同欣電八德新廠目前預期明年首季末完工，考量設備遷入及客戶驗證時程，預期到明年底才會正式投產並開始貢獻營收。呂紹萍表示，已確定會將混合模組及RF模組生產線轉移至八德廠，原勝麗的新竹廠若空間不足，亦可能新增車用CIS後段封測產能。

需求遠超乎預期，調幅至少兩成以上，業績大進補 台北報導NAND Flash控制IC廠群聯（8299）宣布，因應半導體製造成本大幅提升，公司將全面調漲NAND Flash控制IC及模組訂單價格，且以八吋晶圓投片的漲價幅度最高。法人預期，群聯產品調幅至少在兩成以上，對於公司後續業績可望帶來明顯增幅。群聯股價23日攻上漲停、收561元，成交量由前一日的7,179張放大至11,516張。晶圓代工、封測等半導體製造供應鏈報價大漲，連帶讓IC設計廠投片成本大增，為了轉嫁明顯增加成本，群聯23日對客戶發出漲價信函當中指出，近期整體半導體供應鏈需求強勁造成各種原物料供不應求價格上漲，上下游供應鏈包括晶圓廠與封測廠等產能滿載，並持續取消折讓或漲價。群聯表示，且各類型控制IC需求遠超乎預期、再加上群聯持續增加研發先進控制IC投資以滿足全球夥伴與客戶新技術的需求，經審慎考慮整體營運狀況並為確保長期穩定供給夥伴與客戶之需求，本公司決定依照各產品線的供需狀況進行產品價格調整。針對漲價計畫，群聯指出，產品線包含公司旗下全系列NAND Flash控制IC及記憶體模組，漲價幅度部分，各產品線幅度不一，不過電源管理IC或其他使用八吋晶圓廠製程之產品，漲價幅度將較高，且自23日起開始生效新價格，在此之前已接單但尚未交付完的訂單，將個案討論漲價幅度。群聯表示，已經竭盡所能吸收供應鏈漲價對所有客戶的影響，然而為確保後續供應充足，接受各半導體晶圓廠封裝廠與各項原物料價格上漲已是難免，請貴客戶提早預估年度需求以確保供應無虞。群聯3月合併營收為51.73億元、月成長41.5％，創下單月歷史次高，累計2021年第一季合併營收達128.88億元、年增0.2％。法人推估，群聯本次漲價幅度至少兩成以上，部分原先較低單價產品漲價幅度甚至已經達到五成，由於群聯2021年以來已二度調漲報價，預期第二季營收可望挑戰歷史新高。

台灣半導體優勢得來不易，政府、社會及台積電都要努力守住台北報導台積電創辦人張忠謀21日表示，半導體是台灣第一個在世界競爭裡得到相當優勢的行業，這優勢得來不易，守住也不易，因此他呼籲政府、社會、及台積電都要努力守住，而且「要找到下一個護國神山很難」。再者，張忠謀認為，中國現在還不是對手，半導體製造落後台積電五年以上，三星則成為台積電的強勁對手。陸半導體製造 落後五年以上張忠謀表示，尋找台灣下一個護國神山並不容易，假如護國神山的定義包括了對全世界重要、且又有高市場占有率的行業，其次是要有創新產品或商業模式，以及多年經營及努力，現在要在台灣找到能滿足這些條件的下一個護國神山確實很難。對張忠謀的說法，經濟部回應表示，半導體產業成果，的確是長期努力的成果，包括台灣整體環境、技術、人才及水電等支持下，業者與政府共同努力，鞏固並深化台灣在全球半導體版圖關鍵地位，未來政府仍會持續與產業緊密合作，維持台灣半導體產業技術優勢及國際競爭力。經部：發展特色護國群山經濟部也認為，「護國群山」不必每座都像玉山是最高峰，而是各有特色與優勢，讓台灣成為國際供應鏈不可或缺的關鍵一員，因此政府要切入5G、電動車、AI等各項新興產業應用發展，鼓勵並支持產業技術不斷創新，帶動相關產業鏈蓬勃發展。張忠謀說，從飛彈導航相關的國防、工商業都應用到的電腦、到日常生活的手機等，都需要半導體，尤其疫情加速全球數位轉型，更凸顯半導體的重要性。目前在已開發世界約25億人口，幾乎每個人生活或工作上都會用到台積電製造的半導體產品。對於晶圓製造地緣政治的競爭，張忠謀表示，中國經過過去20年政府數百億美元補貼後，半導體製造仍落後台積電5年以上，邏輯半導體設計落後美國及台灣1～2年，所以中國現在還不是對手。但反觀三星，因韓國在晶圓製造方面優勢與台灣相近，使三星成為台積電的強勁對手。張忠謀表示，要成為世界企業，專業經理人是比較好的模式。台積電的成功是12萬台積電之前與現在員工的努力，30多年下來，政府與社會的支持也是，希望各界繼續支持台積電在台灣。雖然台積電已宣布赴美設廠，美國總統拜登也強調美國製造優先政策，但張忠謀表示，美國製造業幾十年前就不紅了，因此有相當多人投入研發、金融業、創投或是行銷等領域，這些都比製造業吃香，再加上美國的工程師敬業程度不如台灣，言下之意對台灣的製造業充滿信心。張忠謀表示，台灣在晶圓製造具有三大競爭優勢。一是在人才面，台灣擁有大量優秀敬業的工程師，這是美國比不上的，還有技工、作業員都願意投入晶圓製造。二是經理人都是台灣人，在台灣一流，不過去國外就未必是一流。三是高鐵與高速公路交通方便，適合大規模製造業的人員調動，像台積電在竹科、中科、南科的三個製造中心，逾千名工程師都不必搬家就可北中南展開調動。而這些優勢正是打造台積電成為護國神山的必要條件。

規劃建置極紫外光（EUV）微影生產線，預估2024年開始第一階段量產。台北報導DRAM廠南亞科董事長吳嘉昭與新北市市長侯友宜20日共同宣布，南亞科規劃於新北市泰山區南林科技園區，投資興建一座雙層無塵室12吋DRAM廠，總投資金額達新台幣3,000億元。此座廠房將採用南亞科自主研發10奈米製程技術生產DRAM，同時規劃建置極紫外光（EUV）微影生產技術。台塑集團總裁王文淵及經濟部工業局局長呂正華到場力挺，說明台塑集團及政府全力支持新DRAM廠投資計畫。南亞科新廠月產能預估將達4.5萬片，總投資金額達新台幣3,000億元，預期可直接提供2,000個優質工作機會，並間接創造產業鏈數千個就業機會。新DRAM廠預估以7年分三階段完成投資，第一階段將建置月產能1.5萬片生產線並導入第二代10奈米製程量產DDR5或LPDDR5，預計2021年底動工，2023年底完工，2024年開始第一階段量產。吳嘉昭表示，DRAM是所有電子產品智慧化的關鍵元件，是半導體產業極為重要的一環。因應全球記憶體市場成長趨勢，此次南亞科投資興建先進晶圓廠，提升國際競爭力，台塑企業將全力支持，以具體行動增加高經濟產值與優質工作機會。同時，南亞科長期經營穩健且財務健全，已實現DRAM技術自主里程碑，未來將持續創新研發，以邁向企業永續為目標。南亞科總經理李培瑛表示，這是南亞科4年多來再度展開新廠投資計畫，南亞科在全球DRAM市場占有率約3％，建新廠並不是為了擴大市占率，主要是希望能提升競爭力，縮小與競爭同業的差距，同時也是基於公司長遠發展需求李培瑛表示，DRAM應用相當多元，包括5G、人工智慧（AI）、自駕車與雲端等，DRAM市場需求每年穩定成長約15～20％，相關DRAM廠也都理性擴產，對南亞科來說，既有廠房空間已經不足，因此決定興建新12吋晶圓廠，量產第一階段將建立月產能1.5萬片生產線，並導入自主研發第二代10奈米製程，至於EUV技術開發將在第三代10奈米製程啟動。

台北報導聯發科持續衝刺特殊應用晶片（ASIC）市場，目前已經順利攻入Google、亞馬遜等供應鏈，拿下Google新一代張力處理器（TPU）大單。供應鏈傳出，聯發科將以台積電7奈米製程搭配愛普DRAM及晶圓堆疊（WoW）封裝VHM技術在第四季開始擴大量產，替聯發科ASIC業務挹注業績成長。供應鏈傳出，聯發科成功拿下Google新一代TPU大單，且將在台積電7奈米製程投片量產，預計將在第四季開始放量生產，並開始挹注業績，本次特別之處在於聯發科TPU將結合愛普DRAM及晶圓堆疊（WoW）封裝VHM技術，藉由DRAM取代CoWoS架構的SRAM及高頻寬記憶體（HBM），除了能藉此降低功耗，並大幅提升運算能力。據了解，目前台積電的WoW晶圓製造能力已經達到3D系統整合單晶片（SoIC）封裝能力，過去在WoW晶圓製造大多應用在Sony的CIS晶片，除了聯發科本次的Google TPU訂單之外，另外將會應用在超微的伺服器CPU技術當中。事實上，聯發科在ASIC市場表現正逐步向上成長，除了Google之外，在亞馬遜、思科等科技大廠亦成功搶下ASIC訂單，卡位進入資料中心、伺服器供應鏈當中，藉此挹注高毛利業績成長，且隨著後續5G加上人工智慧（AI）帶起的高速運算需求，資料中心、伺服器市場將更加廣大，聯發科出貨動能及接單客戶將有望再度提升，推動營運向上衝刺。法人指出，聯發科ASIC業務自2018年起開始以伺服器Serdes晶片打入思科後，後續便順利搶下Google、亞馬遜等大客戶的多個專案，且當前更有新美系客戶與聯發科洽談新專案當中，最快有機會在2022年開花結果。聯發科預計將在28日舉行季度法說會。法人看好，隨著聯發科第一季合併營收創下新高之後，單季獲利亦有望同創新高水準，在第二季工作天數恢復正常後，預期單季合併營收將可望穩居千億元關卡之上，且將挑戰改寫歷史新高。

今與新北市長共同宣布，將導入10奈米先進製程 台北報導DRAM廠南亞科董事長吳嘉昭與新北市市長侯友宜將於20日共同宣布規模高達千億元的新投資案。據設備業者消息，南亞科將在新北市泰山區興建新的12吋DRAM廠，地點就選在南亞科泰山區12吋廠旁的大眾電腦用地，而台塑集團已同意南亞科新廠投資案。業界預估，新廠若計畫建置3萬片月產能，並導入南亞科自行研發的10奈米世代先進DRAM製程量產，總投資金額將超過新台幣1,000億元。由於DRAM市場供不應求且價格看漲，南亞科第一季合併營收季增20.0％達177.31億元，較去年同期成長23.0％，平均毛利率季增7.1個百分點達29.1％，營業利益季增逾1.3倍達30.27億元，較去年同期成長65.2％，稅後淨利季增逾1.9倍達27.05億元，較去年同期成長40.3％，每股淨利0.88元，而第一季底每股淨值已達51.0元。南亞科認為，DRAM是邁向智慧世代的關鍵元件，智慧型手機、伺服器及資料中心是目前最大應用區塊，未來隨著5G及人工智慧（AI）的發展，及各種消費型智慧電子產品的發展，將持續帶動DRAM應用的多元化，以及增加DRAM使用量。南亞科成功開發10奈米級DRAM製程技術，將可微縮至少三個世代，並用以發展DDR5及LPDDR5等下世代產品。由於DRAM業界普遍預期，供不應求市況會延續到2022年，南亞科現有產能全線滿載，第二季位元出貨與第一季持平，但價格預估會有明顯上漲幅度。南亞科自行開發的10奈米製程亦有不錯進展，第一代的10奈米級製程產品8Gb DDR4將於今年下半年開始送樣客戶，第二代10奈米級製程技術預計第三季導入試產，下世代DDR5預計今年下半年開始試產。南亞科現有產能轉換成10奈米世代製程量產將造成產能自然的減損，而且未來DRAM先進製程將導入極紫外光（EUV）微影技術，南亞科因此計畫投資新12吋DRAM廠，除了導入10奈米製程量產DDR5以及LPDDR5等新一代產品，也將成為南亞科建置EUV技術DRAM生產線的重要據點。南亞科將在新北市泰山區的現有晶圓廠旁再興建新廠，用地取得已獲得台塑集團支持，地點就選在南亞科泰山區12吋廠旁的大眾電腦用地。設備業者評估，南亞科新廠若要達到每月3萬片產能的經濟規模，且導入10奈米先進DRAM製程，預估總投資金額將超過新台幣1,000億元。南亞科表示投資細節將在20日由董事長吳嘉昭及新北市市長侯友宜共同宣布。

總報廢片數量不到1萬片，法人預估受損金額約14億元 台北報導由於南科當地企業承包商施工不慎挖斷電纜線，造成晶圓代工龍頭台積電（2330）的Fab 14B廠P7廠區發生跳電，雖然不斷電系統順利接上電力供給，但據設備業者消息，因當天停電時間長達8小時左右，因此16奈米有近千片晶圓報廢，40／45奈米也有數千片晶圓報廢，總報廢片數量不到1萬片，但其餘生產中且未報廢晶圓仍有良率偏低問題，法人預估受損金額約14億元。台積電位於南科Fab 14B廠P7廠區14日傳出跳電事故，經查起因係因為啟碁在進行南科廠建廠工程時，不小心挖斷了台電161KV電纜造成。台積電聲明表示，南科Fab 14廠P7廠區因南科超高壓變電所電纜異常致使廠區停電，廠內同仁無安全疑慮亦無人員疏散，靠柴油發電機復電並與台電合作以全力恢復正常供電。實際影響待恢復正常供電後釐清。根據半導體設備業者透露消息，此次跳電後台電積極搶修，但直至當天晚上7點左右才回復正常供電，停電時間約8小時左右。台積電因不斷電系統順利接上電力供給，所有機台系統都維持供電狀態，沒有造成全面性的停機，但停電時間拉長仍造成影響，其中40／45奈米製程報廢片數高達7,000片，16奈米製程也有近千片報廢，但總報廢片數不到1萬片。設備業者指出，台積電Fab 14B廠P7廠區總產能約4萬片，主要是40／45奈米特殊製程生產線，及少數16／12奈米製程產能，主要是為索尼、豪威、安森美等生產CMOS影像感測器（CIS）或影像訊號處理器（ISP）。根據集邦科技調查，台積電仍在評估需報廢及可重工製造的晶圓數量。據了解該廠區已於4月14日當天晚上7點半完全復電，雖然電路異常期間廠內DUPS（柴油不斷電系統）即時運作，但短暫停電及壓降仍造成部分設備異常當機，依據過往半導體工廠跳電事件經驗判斷，普遍需要2～7天進行設備重新校正。集邦科技指出，受到跳電影響廠區終端產品影響主要為智慧型手機及汽車，首當其衝的產品為40／45奈米製程下的車用微控制器（MCU），以及CIS邏輯層晶片等，車用晶片客戶包含恩智浦及瑞薩。由於車用晶片至今仍嚴重缺貨，台積電跳電意外，集邦認為恐將使車用MCU短缺情形更為嚴重。

台北報導 繼美中歐盟投入半導體研發、晶片製造後，行政院會15日拍板將從製造、人才、技術與資源三方向突圍，穩固國際戰略地位，擴大既有優勢。其中，擴大晶圓製造競爭優勢，將投入270億元，更新竹科第三至五期標準廠房，創造年產值411.82億元；協助廠商提前布局12吋晶圓製造的利基設備，在2030年前，能生產小於1奈米之尺度半導體。確保半導體人才供應，由企業、大學共同設立三至五所半導體研發中心，挑選一至二所大學新設國家重點領域研究學院。此外，推動高雄半導體材料專區，並結合台積電、日月光、華邦、穩懋等半導體廠，2030年建立南部半導體材料S形廊帶。行政院科技會報辦公室產業創新組主任王英裕指出，將協助半導體產業領先全球突破1奈米技術節點，穩固國際戰略地位，尺度半導體是0.1奈米。美中科技戰日趨激烈，大陸投入第三代半導體研發，美國以500億美元扶植晶片製造業，歐盟計畫2030年搶進全球20％的先進晶片生產，穩固台灣在全球半導體產業的戰略地位，行政院會15日核定「美中科技戰下台灣半導體前瞻科研及人才布局」報告，從擴大代工製造競爭優勢、確保半導體人才供應、掌握戰略技術與資源三方向，維持台灣在半導體供應鏈優勢。擴大晶圓製造競爭優勢，行政院科技會報辦公室表示，將持續壯大串聯竹科、中科、南科西部矽谷帶的半導體產業聚落，2021年至2035年投入272.6億元，更新竹科第三至五期9棟標準廠房，整個立體化達到六倍面積，可增加就業人口5,848人，創造年產值411.82億元。確保半導體人才供應，設立三至五所半導體研發中心，一至二所半導體學院，擴增大學重點領域學士班10％、碩博士班15％名額。今年第三季起，每年新增1萬名半導體相關系所人才培育。王英裕指出，半導體研發中心是從企業和科技部合作的研究計畫中，挑選成立研發中心；半導體學院則是由企業和國發基金共同出資成立。

總裁魏哲家預告高成長；第二季營收可望再創新高 台北報導台積電第一季合併營收達創新高，每股淨利5.39元也優於預期，第二季受惠於5G及HPC晶圓代工需求維持高檔，營收可望續創新高。總裁魏哲家15日法說更釋出樂觀訊息，估2021年美元營收將可望成長約20％。台積電展望維持樂觀，半導體產能將維持吃緊情況，預估今年不含記憶體的全球半導體市場年成長率上修至12％，晶圓代工市場年成長率上修至16％，台積電有信心能夠高於產業平均成長幅度，上次法說會時原本估計2021年美元營收將成長15％，15日法說則將此目標再往上修、達到20％的水準。台積電第一季合併營收3,624.1億元、季增0.2％，與去年同期相較成長16.7％，續創季度營收歷史新高。由於5奈米先進製程量產初期良率提升階段及新台幣兌美元匯率升值，平均毛利率季減1.6個百分點達52.4％，與去年同期相較提升0.6個百分點，歸屬母公司稅後淨利季減2.2％達1,396.90億元，與去年同期相較成長19.4％，為季度獲利歷史次高，每股淨利5.39元、優於預期。台積電預估，第二季美元營收介於129～132億美元之間，與上季相較約成長1％，在預估新台幣兌美元匯率28.4元情況下，新台幣營收介於3,663.60～3,748.80億元之間，與上季相較成長1.1～3.4％，續創季度營收歷史新高。由於5奈米大規模量產初期階段及產能吃緊影響成本降低速度，預估第二季毛利率介於49.5～51.5％之間，營業利益率介於38.5～40.5％之間。台積電總裁魏哲家說，在5G及HPC相關應用未來幾年的產業結構大趨勢下，台積電進入一個較高的成長區間，所以高資本支出是必要的，台積電可掌握未來成長機會，並讓客戶取得所需產能及維持成長動能，因此未來3年將投入1,000億美元在研發及擴產，今年資本支出則提升到300億美元。法人對於台積電擴大投資、認為後續恐有產能過剩疑慮，但魏哲家表示，與3個月前相較，包括行動通訊、HPC運算、車用電子、物聯網等四大平台均出現成長，而且獲得某大客戶的承諾將採用台積電先進製程量產，中長期在5奈米及3奈米等先進製程維持高市占率。法人指出，應是指英特爾將中央處理器（CPU）委由台積電代工一事。魏哲家表示，台積電IC設計客戶庫存在去年第四季以來維持高檔但仍屬健康，因為疫情以及總體經濟不確定性因素仍存在，客戶及供應鏈提高安全庫存情況會延續一段時間。

SEMI表示，今年全球規模有望突破800億美元，續挑戰新高台北報導根據國際半導體產業協會（SEMI）最新統計，2020年全球半導體製造設備市場大幅成長19％，銷售總額由2019年的597.5億美元攀至2020年的711.9億美元，並創下歷史新高紀錄。今年受惠於全球半導體廠大舉拉高資本支出並擴大投資，業界預估2021年全球半導體製造設備市場將挑戰800億美元續創新高，SEMI預期台灣今年將重回全球最大半導體設備市場。SEMI認為在半導體產能嚴重供不應求，且業者大動作投資擴產的情況下，未來幾年將是半導體設備市場的超級循環周期（super cycle）。法人表示，包括極紫外光（EUV）光罩載具供應商家登、廠務工程及EUV設備模組代工廠帆宣、廠務工程業者漢唐及信紘科、封裝及濕製程設備廠弘塑、蝕刻及薄膜設備代工廠京鼎等資本支出概念股將直接受惠，而且疫情將讓台積電加快採用在地供應鏈，資本支出概念股營運一路看旺到明年。根據SEMI統計，中國首次成為半導體設備年度銷售金額最大市場，銷售額年增39％達187.2億美元。台灣則以171.5億美元市場規模緊追在後並位居第二，銷售額在2019年大幅增長後，2020年約略持平。韓國大幅成長61％達160.8億美元，繼續位居第三大市場。日本和歐洲兩大地區走出2019年頹勢持續復甦，年度支出各有21％及16％的增長。北美則是連3年正成長後，2020年銷售首度出現下滑20％達65.3億美元。SEMI表示，2020年全球晶圓製程設備銷售額上升19％，其他前段設備銷售額則有4％的小幅增長。封裝設備在各地區均出現強勁增長的推波助瀾下，2020年市場躍升幅度達34％，測試設備總銷售也有20％的成長。SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，展望2021年，隨著許多半導體製造商在今年初陸續發布的新計畫持續強化投資，看好全球半導體設備市場將在未來持續創下新高。新冠肺炎疫情帶動數位轉型持續加速，曹世綸看好5G、資料中心、人工智慧（AI）及高效能運算（HPC）等應用，將持續為半導體產業注入成長動能。業界預估，全球半導體設備市場2021年有機會加速成長並突破800億美元，再創歷史新高紀錄，且因為台積電資本支出創下新高，SEMI預期台灣今年將重回全球最大半導體設備市場。