報導記者／張瑞益

台北報導
　英特爾卡位半導體「埃米時代」布局成形，該公司為迎戰台積電，25日與聯電宣布攜手，將合作開發12奈米製程平台，並拍板於亞利桑那州開發、製造，預計2027年投產，聯電成為第二家前往美國亞利桑那布局的台灣晶圓代工廠。聯電ADR早盤大漲2.26％。
　英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務（IFS）總經理Stuart Pann表示，與聯電的策略合作展示了英特爾對台灣生態系的承諾，也是實現英特爾在2030年成為全球第二大晶圓代工廠重要一步。
　外傳英特爾此次再找上聯電技轉12奈米Arm架構，為聯合次要敵人打擊主要敵人的手法，將成熟製程委由聯電代工，全力搶攻高階製程技術，達到英特爾總裁基辛格「彎道超車」台積電的目標。
　供應鏈對此表示，英特爾可能正在為晶圓代工業務做完全拆分鋪路，率先尋找各項IP技術授權及因應成長需求預先準備。
　新製程將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造，透過運用晶圓廠的現有設備將可大幅降低前期投資，並最佳化利用率。
　外傳本次聯盟的授權金上看100億元以上，聯電的海外布局再增美國新廠區，可望擠進全球晶圓代工大廠之林，2027年後營運將三級跳。
　聯電表示，此項12奈米製程將善用英特爾於美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合。受惠於聯電在製程上的領導地位，以及為客戶提供PDK及設計支援方面的數十年經驗，得以更有效地提供晶圓代工服務。
　雙方將透過生態系合作夥伴提供的電子設計自動化（EDA）和智慧財產權(IP)解決方案，合作支援12奈米製程的設計實現（design enablement）。此12奈米製程預計在2027年投入生產。
　英特爾Stuart Pann表示，隨著英特爾推動企業轉型、落實IDM 2.0和四年五個節點的策略，我們持續探索與台灣公司合作的新機會。與聯電的策略合作，是實現英特爾在2030年成為全球第二大晶圓代工廠重要一步。
　聯電共同總經理王石也表示，聯電與英特爾進行在美國製造的12 奈米FinFET製程合作，是追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環，這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點，並利用雙方的互補優勢，以擴大潛在市場，同時大幅加快技術發展時程。