董座徐建華：擴大GaN及SiC第三代半導體營業規模；訂單看到明年上半年
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　晶圓代工廠漢磊（3707）及轉投資磊晶廠嘉晶（3016）積極擴建氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代寬能隙半導體產能，在手訂單能見度已看到明年上半年。
　漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示，漢磊是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠，嘉晶是台灣唯一擁有GaN及SiC量產磊晶供應商，今年將積極擴大產能以迎接產業爆發性成長商機。
　漢磊及嘉晶受惠於國際IDM大廠擴大委外，加上今年價格再度調漲，4月營收同創歷史新高，第二季維持樂觀展望。漢磊4月合併營收月增0.4％達7.38億元，較去年同期成長29.8％，累計前四個月合併營收28.45億元，較去年同期成長29.8％。嘉晶公告4月合併營收月增0.7％達5.06億元，較去年同期成長28.0％，累計前四個月合併營收19.79億元，較去年同期成長31.0％。
　漢磊及嘉晶在致股東營運報告書中，說明將全力擴大布局GaN及SiC等第三代半導體相關產品的營業規模，以掌握半導體綠能及車用市場領域商機。徐建華在報告書中指出，漢磊去年營運轉型成功，全年度轉虧為盈，今年將在此基礎上持續強化營運效率及導入高附加價值產品線，投資重點鎖定在進入爆發成長的第三代半導體。
　漢磊因IDM廠擴大下單包產能，功率半導體晶圓代工產線滿載到年底，包括GaN及SiC晶圓代工訂單能見度更已看到明年上半年。漢磊4吋及6吋SiC晶圓代工均已量產，合計月產能達1,000片6吋約當晶圓，今年將以6吋為擴產重點項目，希望今年內可擴增一倍至2,000片。至於6吋GaN晶圓代工接單滿載，月產能將在今年增加一倍至2,000片。
　嘉晶4～8吋磊晶矽晶圓月產能合計40萬片，在供不應求情況下價格將逐季調漲。嘉晶去年底GaN磊晶片月產能約2,000片，SiC磊晶片月產能約600片，而嘉晶將投入4,000～5,000萬美元擴產，2～3年內SiC磊晶片產能要增加7～8倍，GaN磊晶片產能要增加2～2.5倍。
　徐建華表示，漢磊6吋SiC產線將快速進入量產並擴大產能，並且是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠，在全球客源開發上占有極佳優勢，並持續擴大車用領域布局。嘉晶在化合物半導體相關應用深耕多年，是目前國內唯一一家擁有SiC與GaN量產的磊晶供應商。漢磊及嘉晶將積極擴產以迎接產業爆發性成長商機，期許未來幾年營運持續成長。

IGBT缺貨，下半年將漲價；明年擴產優先布局第三代半導體
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　晶圓代工廠茂矽（2342）18日召開股東會，決議通過每股配發0.5元現金股利。茂矽2022年營運持續好轉，第一季每股淨利0.85元優於預期，4月合併營收1.91億元為八年半以來新高。
　茂矽表示，車用二極體及金氧半場效電晶體（MOSFET）需求暢旺，第三季前產能持續滿載，至於中國太陽能逆變器需求大增導致絕緣閘雙極電晶體（IGBT）缺貨，茂矽下半年可望漲價。
　茂矽第一季受惠於產能滿載及價格調漲，加上新台幣兌美元匯率貶值，合併營收年增27.7％達5.24億元，歸屬母公司稅後淨利年增近2.1倍達1.33億元，每股淨利0.85元，為近五季度新高。茂矽第二季接單維持強勁，4月合併營收月增4.7％達1.91億元，較2021年同期成長37.2％，為2013年9月以來逾八年半高點，累計前四個月合併營收年增30.1％達7.15億元，創近11年來同期新高。
　茂矽董事長唐亦仙表示，目前在手訂單看來與前兩個月差不多，整體需求還是不錯，車用產品維持先前預期，包括車用二極體及MOSFET等接單暢旺，預估將占整體產能超過二成。茂矽近年來營運已鎖定在功率元件晶圓代工市場，為因應未來需求持續成長，除與策略夥伴簽訂長期供貨合約，並力求改善良率及生產效率，積極擴充瓶頸機台產能，預計下半年可將產能逐步提升10％。
　茂矽也看好第三代寬能隙（WBG）半導體市場商機，唐亦仙表示，因研發費用較高，茂矽會在適當時間點與上下游客戶試著開發產品，評估以電源應用的氮化鎵（GaN）為主軸。茂矽現在產能滿載，很難空出機台生產第三代半導體，但2023年若有增加機台規劃，將優先擴充相關產能，2023、2024年將是茂矽切入第三代半導體市場的發展時機。
　茂矽副總經理鄧志達表示，2022年主要成長動能來自車用二極體與MOSFET，由於2021年漲價效益已從2022年第一季陸續反映，預期第二季及第三季毛利率將與第一季相近。至於中國疫情封城對茂矽影不大，因為茂矽在消費性產品比重低，工控相關需求持續增加，未感受到需求下滑，只是物流方面受到一些影響。

結盟DNeX集團合資，預計每月生產4萬片晶圓，鎖定28及40奈米製程
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　馬來西亞DNeX集團17日宣布，與鴻海子公司BIH簽署合作備忘錄（MOU），雙方計畫成立合資公司，將在馬來西亞建造12吋晶圓廠，新廠預計每月生產4萬片晶圓，鎖定28奈米及40奈米製程。
　DNeX表示，此合作有助於集團和國家在半導體技術取得飛躍進步，新晶圓廠不僅強化DNeX在半導體代工領域的地位，也將帶來多種經濟效益，同時亦符合國家發展策略。
　鴻海於2021年透過子公司取得DNeX約5.03％股權，而DNeX握有大馬晶圓廠SilTerra約6成股權，此舉意味著鴻海已透過間接投資大馬8吋晶圓廠，公司過去也指出，未來將與該公司共同在半導體、電動車等領域深度合作，符合鴻海「3＋3」領域投資規劃之一。
　鴻海持續深入佈局半導體，集團策略中串聯電動車與半導體一直是重要的一環，目前除了握有去年取得旺宏的6吋廠、日本轉投資夏普的8吋廠，在馬來西亞、印度、中國都有半導體相關的規劃。公司日前法說會強調，半導體是電動車產業垂直整合的重要環節，期望透過合作以及自有產能，建構從上到下一條龍的SiC完整生態系。
　將是馬來西亞首座12吋廠
　針對此次與DNeX合作蓋12吋晶圓廠，業內人士分析，地緣政治的考量以及當地沒有12吋廠，DNeX在有馬來西亞國家基金補貼下，促成此次合作蓋廠。不過此廠挑戰也不小，目前部分設備交期長達二年以上，要能夠量產最快也是2025年之後的事，對於目前產能供不應求的問題仍緩不濟急。除此之外，12吋技術涵蓋從90奈米到28奈米，有很長的學習曲線，過去SilTerra只有8吋的經驗，要直接做12吋會有不小的技術門檻要跨過，從頭研發難度高、現也不易取得技轉，建廠的這兩三年期間，如何讓技術到位是個關鍵。

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　8吋晶圓代工廠世界先進致股東報告書出爐，董事長方略表示，與世界先進營運息息相關的電視、手機、電腦、汽車等四大終端產品市場中，面板驅動IC因解析度提升趨勢而對晶圓代工需求維持穩定，5G基地台和智慧型手機帶動的電源管理IC與分離式元件強勁成長持續，車用製程布局已逐步開花結果，並打進國際汽車大廠供應鏈。

　世界先進去年出貨量達290萬片8吋晶圓，產能利用率為101％，年度營收及獲利同創歷史新高，每股淨利7.14元優於預期，股東權益報酬率成長至36.5％。由於預期8吋晶圓代工產能持續供不應求，世界先進再度進行併購式擴張，去年買下友達L3B廠並成為世界先進晶圓五廠，預估滿載月產能可擴增4萬片。

　方略指出，與世界先進營運息息相關的電視、手機、電腦、汽車等四大終端產品市場當中，隨著中國面板廠持續擴廠，超高解析度面板滲透率攀升，面板驅動IC的晶圓代工需求維持穩定，對今年營運仍有一定程度貢獻。其次，5G基地台和智慧型手機帶動的電源管理IC與分離式元件的爆發性成長，世界先進得以積極拓展新訂單，對整體產品組合優化有相當程度的助益。

　世界先進在車用電子領域方面，推出包括0.4／0.25微米雙極-互補-擴散金氧半導體（BCD）製程、0.5／0.4／0.25微米絕緣層上覆矽（SOI）製程已通過車用電子相關驗證，累積出貨量已達一定規模，製程可靠度符合世界級車用規格，亦打入國際汽車大廠供應鏈。新一代0.15微米BCD及SOI製程也已開發成功並將於今年量產。

　世界先進用於車用顯示面板的0.16微米及0.15微米附加嵌入式非揮發性記憶體（eFlash）高壓製程已導入量產，因應車用顯示器需求，新一代0.11微米附加eFlash的高壓製程已在開發中，預計明年完成驗證量產。方略表示，世界先進深耕車用電子市場多年所累積的實力，將在車用電子蓬勃發展的未來帶進相當的業績。

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　8吋晶圓代工廠世界先進9日公告4月合併營收44.86億元，為單月營收歷史第三高及歷年同期新高。
　世界先進對第二季營運維持樂觀展望，產能利用率維持滿載，季度平均銷售價格再度調升，法人看好5月及6月營收將會逐月創下歷史新高。
　世界先進4月合併營收較3月減少11.5％，主要是受到4月初清明長假導致工作天數減少影響，較去年同期則成長41.5％。累計前四個月合併營收179.78億元，較去年同期成長45.6％，改寫歷年同期新高紀錄。
　世界先進預估，第二季因工作天數較上季增加，以及晶圓三廠0.8萬片新增產能開始量產，季度產能較上季增加7％，平均月產能約達26.3萬片8吋晶圓，加上平均晶圓銷售價格較上季增加低個位數百分比，預期第二季合併營收將介於152～156億元，較上季成長12.7～15.6％，平均毛利率提升至48.5～50.5％。
　法人表示，雖然外在變數造成不確定性增加，但8吋晶圓代工產能供不應求，世界先進第三季前訂單已全數接滿，以世界先進4月營收表現來看，只要5月及6月平均營收回升到53.6億元以上，就可達到業績展望低標，預期5月及6月營收將逐月創下歷史新高，第二季營收亦將如期改寫新高紀錄。
　雖然俄烏戰爭及中國疫情封城等外在變數，對電子產品生產鏈造成影響，但世界先進強調訂單能見度沒有改變。
　以第二季接單情況來看，新增產能以細線寬為主，預估中小尺寸面板驅動IC及電源管理IC的晶圓出貨會持續增加，0.18微米及更先進製程營收占比將持續提升。
　世界先進今年持續爭取到國際IDM廠委外代工訂單，主要以車用晶片為主。
　世界先進表示，車用領域主要訂單包括電源管理IC及分離式功率元件，以及車用面板驅動IC，在車用晶片短缺情況下，出貨排程優先進行，未來幾年的年複合成長率（CAGR）將大於20％。
　再者，國際IDM廠雖然積極擴建自有產能，但主要以12吋晶圓產能為主，高階產品維持在自有晶圓廠生產策略不變，8吋及成熟製程的晶圓代工訂單會委外代工，委外生產的產品線已有做出區分，因此IDM廠擴產動作對世界先進的影響相對較低。

宣布與日本電裝DENSO合作，車用站上制高點
　台北報導
　晶圓代工大廠聯電25日宣布與車用電子大廠日本電裝（DENSO）策略合作，DENSO將委由聯電日本12吋廠USJC（Fab 12M）生產車用絕緣閘雙極電晶體（IGBT），預計2023年上半年進入量產，而聯電將因此打進日本豐田（Toyota）、速霸陸（Subaru）等日系車廠的車用電子及電動車供應鏈。
　■將取得車用IGBT大單
　車用晶片缺貨問題日趨嚴重，但半導體成熟製程產能持續吃緊，DENSO已宣布將以400億日圓投資台積電的日本熊本JASM廠並取得10％股權，不過JASM要等到2024年才會進入量產，所以DENSO找上聯電尋求更多晶圓代工產能支援，雙方同意在聯電日本12吋廠USJC合作生產車用功率半導體，以滿足車用市場日益增長的需求。
　聯電日本USJC將在晶圓廠裝設一條IGBT產線，成為日本第一個以12吋晶圓生產IGBT的晶圓廠。DENSO將提供其系統導向的IGBT元件與製程技術，而USJC則提供12吋晶圓廠製造能力，預計在2023年上半年達成IGBT製程在12吋晶圓的量產。這項合作已獲得日本經濟產業省的必要性半導體減碳及改造計畫支持。
　因為全球減少碳排放的努力，電動車的開發和市場需求快速成長，車用電子化所需的半導體數量也在迅速增加。IGBT是電源卡的核心裝置，是變流器中的高效電源開關，以轉換直流和交流電，從而驅動及控制電動車馬達。
　DENSO執行長有馬浩二（Koji Arima）表示，DENSO與聯電USJC合作將成為日本第一批開始以12吋晶圓量產IGBT的公司之一。隨著行動技術的發展，包括自動駕駛和電氣化，半導體在汽車業變得愈來愈重要。透過這項合作，雙方為功率半導體的穩定供應和車用電子化做出了貢獻。
　■聯電與DENSO創雙贏
　USJC總經理河野通有（Michiari Kawano）指出，身為日本關鍵的晶圓製造廠，USJC承諾支持日本政府促進半導體生產和朝向更環保的電動車轉型的策略。透過經車用客戶認證的晶圓製造服務，搭配DENSO的專業知識，將生產高品質的產品為未來的車用發展提供動能，為未來的車用發展提供動能。
　聯電共同總經理王石表示，聯電與DENSO進行的這項雙贏合作，並且是聯電的重大專案，將擴大在車用電子領域的重要性和影響力。憑藉聯電強大的先進特殊製程組合，以及設立在不同地區的IATF 16949認證的晶圓廠，聯電已準備好來滿足包括先進駕駛輔助系統（ADAS）、資訊娛樂、連結和動力系統等車用晶片強勁需求。

台積電三新廠將量產助攻，IC Insights估達2.636億片8吋約當晶圓
台北報導
　根據市調機構IC Insights最新報告，全球半導體已安裝總產能（installed capacity），今年將達2.636億片8吋約當晶圓，創下歷史新高，平均產能利用率預估達93.0％維持高檔。　
　今年半導體總產能的提升，主要來自於台積電的積極擴產，包括5奈米及3奈米等先進製程新增產能開出，以及大陸南京廠的28奈米成熟製程產能擴充。
　IC Insights指出，自金融海嘯後的2010～2022年，全球半導體總產能維持逐年成長趨勢，雖然因為景氣循環影響，成長幅度有高有低，但這段時間的產能年複合成長率（CAGR）達5.8％。而隨著2020年新冠肺炎疫情爆發之後，全球數位化進程加速，因此產能擴增幅度明顯放大，2021年全球總產能增加1,900萬片達2.425億片8吋約當晶圓，年成長率達8.5％。
　IC Insights預估2022年全球總產能將再增加2,110萬片達2.636億片8吋約當晶圓，較去年成長8.7％，產能增加幅度及總產能規模均創下歷史新高，主要是因為半導體產能供不應求，今年預期會有十座新的12吋晶圓廠進入量產，其中又以台積電今年產能擴增幅度最大。
　報告中提及，今年半導體總產能大幅成長，除了SK海力士及華邦電有新的12吋記憶體廠進入量產，台積電的貢獻幅度最大。台積電今年預期有三座新的12吋晶圓廠進入量產，包括位於台灣的5奈米及3奈米先進製程產能開出，以及位於南京的28奈米成熟製程產能擴充。
　雖然今年以來消費性電子產品銷售疲弱，但車用及工業等應用對於晶片需求強勁，整體半導體總投片量維持高檔。IC Insights指出，半導體市場2019年進行庫存調整，當年總投片量年減4.7％達1.800億片8吋約當晶圓，但2020年年增6.2％至1.911億片，2021年因晶片缺貨嚴重而再提升至2.275億片，較前年成長19.0％，產能利用率推升至93.8％。
　IC Insights認為，半導體市場今年持續受到外在環境變數影響，包括全球通膨、俄烏戰爭、疫情造成的封城影響等，但因為有十座新12吋晶圓廠進入量產，市場需求維持高檔，所以預期2022年總投片量仍會提升7.7％達2.451億片8吋約當晶圓，但產能利用率較去年小幅下滑至93.0％。

竹科：將可展開整地，最晚6月取得所有用地
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　晶圓代工龍頭台積電位於竹科寶山二期的2奈米晶圓廠Fab 20建廠計畫啟動，竹科管理局局長王永壯20日表示，竹科管理局已將部分用地租予台積電，台積電將可展開整地作業，估計最晚將於6月取得所有用地。另外，世界先進評估興建12吋廠且有意進駐銅鑼園區設廠，王永壯表示待環差案通過將進行用地分配。
　■竹科寶山將成2奈米重鎮
　王永壯表示，竹科寶山二期擴建計畫進展順利，經過幾十次溝通，已有超過九成的地主同意價購徵收，新竹縣政府將於4月底公告徵收，估計最晚將於6月取得所有用地。同時，管理局3月已將部分用地租予台積電，台積電可以展開整地作業。
　台積電預計在竹科寶山二期興建Fab 20超大型晶圓廠，未來將成為2奈米生產重鎮。設備業者指出，台積電Fab 20廠區將分為第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠，預計2024年下半年進入風險性試產，2025年進入量產。台積電2奈米製程將採用奈米層片（Nanosheet）的環繞閘極（GAA）電晶體架構，技術開發進度符合預期。
　台積電2奈米之後的更先進製程將進入埃米（angstorm）時代，業界預期，台積電後續將推進到18埃米（1.8奈米），但尚未決定設廠地點。設備業者評估，台積電2奈米需求強度若優於預期，竹科用地不足，將可能轉赴台中建立2奈米及18埃米等先進製程晶圓廠，中科二期用地已納入考慮。
　台積電去年進入2奈米N2製程技術的開發階段，著重於測試載具設計與實作、光罩製作及矽試產等，主要進展在於提升基礎製程設定、電晶體與導線效能。在微影技術部份，台積電研發組織藉由提升晶圓良率達到可靠影像以支援3奈米試產，並提升極紫外光（EUV）的應用、降低材料缺陷與增進平坦化的能力，以支援2奈米技術的開發。
　■世界可望進駐銅鑼園區
　另外，王永壯透露，世界先進有意進駐銅鑼園區設廠，待環差案通過，將進行用地分配。由於8吋晶圓設備價格愈來愈昂貴，同時許多設備廠已停產8吋設備，無法找到完整設備興建新的8吋晶圓生產線，因此，世界先進董事長方略於日前法人說明會中曾指出，世界先進後續若要蓋新廠，的確會以12吋晶圓廠為首選。
　方略當時提及，世界先進興建12吋廠尚無時間表，要等到目前晶圓五廠的8吋晶圓量產後，才會評估是否興建12吋廠，另外，12吋廠為全新建置的生產線，世界先進評估會希望以新竹或台灣其他區域為主。

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　台灣半導體人才供不應求，包括聯電、聯發科、聯詠、瑞昱等業者為了搶人才並且留住人才，高薪及高分紅已是主流，而且近年來均跟進台積電腳步，包括進行結構性調薪、分紅分期給付、以及高階主管發行限制員工權利新股等。同時，業者也以超高年薪吸引剛由校園畢業學生加入。

　半導體廠去年獲利大躍進，今年分紅均創下新高，多數員工分紅收入都已超過本薪，但為了留才，包括台積電、聯電、世界先進等晶圓代工廠近年來都以分期給付方式發放分紅，確保人才能夠續留。同時，剛畢業的新進員工的月薪已接近5萬元，加計分紅後年薪已達100～200萬元，至於挖角有經驗的人才給予高額簽約金也成為業界常態，且對於高階主管均採用發行限制員工權利新股留才。

　IC設計龍頭聯發科以高薪吸引人才加入，今年預計招募超過2,000名員工加入團隊，並提供碩士畢業生的整體薪酬加計的年薪上看200萬元、博士畢業生上看250萬元的優渥待遇。再者，聯發科也是每年進行調薪，發行限制員工權利新股，績效要達到目標且要做滿2～3年才能拿到全額分紅。

　面板驅動IC大廠聯詠除了起薪高及結構調薪平均調幅近二成，今年亦將針對員工家中未滿6歲的孩童，提供每月5,000元的育嬰補助，並且傳出每月可在家上班15天的彈性制度，希望留住優秀人才並吸引新鮮人加入。

　事實上，台灣2008年實施員工分紅費用化，以人才為本的IC設計廠如聯發科、聯詠、瑞昱、致新等業者，就已經年度員工分紅配股採用員工信託持股方式進行，員工需等到做滿各公司規定的工作年資後才能領取全部配股，就是要以此留住人才。

透過員工持股信託制度，鼓勵買自家股票；另4月調薪平均幅度將高達8％

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　晶圓代工龍頭台積電預計今年徵才超過8,000人，為吸引人才加入及留住人才，台積電將對現在超過5萬名員工全面實施「買股補助」的員工持股信託制度。

　另外，台積電每年4月調薪，據了解，今年平均調薪幅度約達8％，符合先前市場預期。部份績效優異員工加薪幅度超過平均水準，在台灣半導體人才嚴重不足之際，可望有效吸引及留住人才。

　許多科技大廠為了徵才及留才而各出奇招，包括補助員工買自家公司股票。宏碁今年就開始啟動員工持股信託制度，員工每個月由薪水中扣除部份金額，公司出資補貼50％。而台積電也傳出將跟進員工持股信託，擬定買股補助計畫，主要是由員工每月可從薪資扣除一定額度買公司股票，公司將補助一部分。業界傳出，台積電的補助比重約在15％以下，可望7月開始實施。

　台積電證實正在討論執行細節，下月召開董事會有機會正式成案討論。這是台積電成立以來首度補助員工購買自家股票，主要是希望員工薪酬更多元化，並讓員工能夠共享公司營運的成果，但補助比重僅為市場傳言。

 業界認為，這項策略有助提高員工向心力，也代表公司看好經營前景，所以透過補助方式，鼓勵員工長期持有台積電股票，也可藉此留住人才。

　台積電去年進行全面性結構調薪，調幅達20％，提高基層員工每月固定薪酬，並且維持每年4月調薪。而為留住高階主管與關鍵人才，台積電首度實施限制員工權利新股，並採獎酬連結股東利益與ESG（環境、社會、公司治理）績效，配發股票採信託及分3年核發，達績效與續任才能領到股票獎勵。

　台積電每年4月都會進行年度例行性調薪，董事長劉德音日前雖未透露今年調薪幅度，但指出會將通膨納入考量，今年調幅「大家都會很開心」。而先前據業界消息指出，台積電將全球通膨及半導體人才短缺等因素綜合考量下，今年平均調薪幅度將達8％，與往年平均調漲3～5％幅度高出許多。據了解，今年調薪幅度符合預期，部份績效優異員工調薪幅度超過平均水準。台積電對此表示外傳的調幅都是市場傳言。

　台積電今年持續擴建Fab 18廠3奈米產能，高雄28奈米及7奈米晶圓廠興建計畫即將啟動，同時展開Fab 20廠興建及2奈米研發，為了因應業務成長與技術開發需求，台積電今年預計將招募超過8,000名新進員工。台積電提供具競爭性的薪資福利，例如碩士畢業新進工程師的平均整體薪酬年薪上看新台幣200萬元，大搶半導體人才。