福州市中級人民法院宣告，美光須立即停止銷售及製造部分DRAM、SSD產品

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晶圓代工廠聯電與美光在DRAM的訴訟戰，由聯電率先拿下一城！聯電先前在大陸控告美光的侵權案，昨（3）日判決結果出爐，福州市中級人民法院宣告，美光必須立即停止銷售及製造部分DRAM、SSD（固態硬碟）產品。
業界認為，禁售產品為美光當前在消費性市場的熱銷商品，因此將對美光在大陸營運造成甚大影響。
美光、聯電雙方於去年底陸續展開訴訟戰，美光先是在美國控告聯電侵害美光的營業秘密，聯電也不甘示弱對美光展開反擊、在大陸控告美光部分產品侵害聯電的營業祕密，雙方隔海互控、叫陣的火藥味濃厚。
不過，聯電昨日已經接獲大陸福州市中級人民法院的判決書，並於昨日晚間公告。根據判決書內容指出，美光半導體生產、銷售及進口的英睿達Crucial BALLISTIX 16GB DDR4 2400、BX晶片、Crucial DDR4 2400 8GB等超過30項產品，都必須在中國大陸停止製造、銷售或進口。
根據大陸地區法律，申請先行停止侵犯涉案專利權，須符合以下幾個標準，第一是申請人有穩定、有效的專利權，其次是被申請人的行為經初步判斷可以認定為侵權行為，第三是侵權行為如不即時制止，將會造成申請人難以彌補的損害。
聯電表示，此次申請先行停止侵犯涉案專利權，既經獲准，可見美光半導體之侵權行為，大陸地區法院已初步判斷認定屬實。
聯電表示，公司長期投入大量資源及人力，研發半導體製造技術，其成果可用於邏輯晶片或記憶體晶片，歷年來已在各國提出申請，獲得多項專利。
美光侵害聯電的專利權，已使其對外宣稱聯電沒有記憶體晶片相關技術、而竊取美光營業秘密的指控不攻自破，也證明了聯電的研發實力。
美光旗下數家記憶體品牌，其中Crucial由於採用美光自家生產的晶粒，並製造成DRAM、SSD等記憶體模組，進而銷售到市場上，近來電競風潮興起，Crucial由於主打美光品牌，品質有一定水準，因此頗受中國大陸玩家青睞。
業界認為，本次美光遭到禁售的產品有包含當前市場主流DDR4 2400的DRAM模組，SSD產品上則有MX 300，若遭到中國大陸政府禁止銷售，對於美光在大陸的經營將影響甚大。

強化全球布局、擴充12吋晶圓產能
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晶圓代工廠聯電昨（29）日宣布，將以不超過576.3億元日圓（約新台幣160億元）的金額，完全收購已持有15.9％股權的日本三重富士通半導體（Mie Fujitsu Semiconductor，MIFS），預計2019年1月1日完成股權轉讓，除了能夠擴充聯電12吋晶圓廠產能，更能達到強化全球布局的地位。
聯電目前已持有日本三重富士通半導體15.9％的股權，此次則是要增持其餘的84.1％股權。據了解，日本三重富士通半導體的月產能為3.6萬片12吋晶圓，主要應用在車用、物聯網（IoT）等，並以40、65奈米製程等成熟製程為生產的主力。
聯電財務長劉啟東表示，聯電於2014年參與日本三重富士通半導體增資、並取得15.9％股權及1席董事，並由聯電授權40奈米技術。不過，由於該投資的閉鎖期規定為2.5年，雙方在去年中開始密切接觸，最終決議聯電將百分百收購日本三重富士通半導體股權，取得12吋晶圓廠產能。
聯電表示，日本三重富士通半導體在成為聯電集團的成員後，公司名稱和營運銷售細節將於股權轉讓後儘速決定，在這段期間日本三重富士通半導體仍將維持其現有的客戶銷售管道，繼續為客戶提供高品質的晶圓專工服務。
據了解，日本三重富士通半導體去年總營收約為709億日圓（約為新台幣195億元），全年稅後淨利約29億日圓（約新台幣8億元）。這也意味著，就算三重富士通半導體明年營運維持現狀，仍可推升營收出現雙位數成長。
聯電共同總經理王石表示，聯電正面臨12吋成熟製程需求量的激增，隨著5G、物聯網、汽車和人工智慧等領域新應用的爆發，預估未來市場需求力道將持續推升。他強調，以此收購案來看，可立即取得合格且設備齊全的量產12吋晶圓廠，相較於花費數十億美元和數年時間從頭開始建置新的晶圓廠，不論是時效和投資報酬率都更具優勢。
聯電在取得日本三重富士通半導體12吋晶圓廠產能後，加上現有台灣、中國大陸及新加坡的12吋晶圓廠，可望透過全球化布局，分散生產製造風險。聯電表示，利用公司數十年的世界級IC生產經驗，結合日本當地人才和世界知名的品質標準，提供日本和國際客戶更佳的服務。

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晶圓代工廠聯電（2303）及世界先進（5347）受4月工作天數減少影響，營收表現較3月小回檔，聯電4月合併營收微降至124.12億，世界先進4月合併營收下滑至21.29億，但相較去年同期均維持成長。
法人預期聯電及世界先進第二季營收將先蹲後跳，5月及6月營收將明顯回升。
至於龍頭大廠台積電將於今（10）日公告4月營收，由於台積電3月營收衝上1,036.97億元創新高，4月營收下滑幅度恐將明顯擴大，法人預期可能回落到700億～800億元間。
聯電公告4月合併營收124.12億元，與3月相較微幅下滑，與去年同期相較仍成長4.1％。累計今年前4個月合併營收達499.09億元，較去年同期成長1.1％。聯電第二季營運維持穩定，預期晶圓出貨量將會較第一季成長，主要來自於無線通訊與電腦周邊應用需求增加。
聯電預估第二季晶圓出貨較上季增加2～4％，晶圓平均美元價格持平，產能利用率提升至95％左右。法人預期，聯電第二季合併營收將介於380億～390億元間，有機會挑戰新高，以4月營收表現來看，5月及6月營收將見明顯回升。
世界先進受到4月初清明長假導致工作天數減少，昨日公告4月合併營收月減11.0％達21.29億元，但與去年同期相較仍明顯成長24.2％。累計今年前4個月合併營收達85.54億元，較去年同期成長7.2％。
因8吋晶圓代工市場產能吃緊，世界先進第二季電源管理IC及面板驅動IC接單續強。世界先進預期第二季合併營收將介於67億～71億元間，較第一季成長4.3～10.5％，以4月營收表現來看，法人預期5月及6月營收亦將逐月回升，第二季營收有機會創下歷史新高。
台積電今日將公告4月合併營收，由於蘋果iPhone供應鏈晶片庫存持續調整，加密貨幣挖礦運算特殊應用晶片（ASIC）成長動能趨緩，台積電第二季展望保守，預期合併營收介於78億～79億美元之間，在對新台幣兌美元匯率為29.2元的假設下，以新台幣計算合併營收將介於2,277.6億～2,306.8億元之間。雖然近期新台幣匯率趨貶，但法人仍預期4月營收將較3月明顯下滑。

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晶圓代工廠聯電（2303）昨（25）日召開法人說明會，第一季營運表現符合先前預期，在認列業外匯兌及轉投資收益、及所得稅利益回沖的情況下，第一季歸屬母公司稅後淨利達34.00億元，較去年第四季大增92.0％，每股淨利0.28元，優於市場預期。聯電預期第二季晶圓出貨成長2～4％，本業獲利將優於第一季。
由於8吋及12吋成熟製程需求強勁，聯電第一季營運淡季不淡，合併營收季增2.4％達374.97億元，但受到新台幣兌美元匯率升值影響，毛利率降至12.4％，營業利益季減59.5％達7.69億元，較去年同期減少43.9％。
聯電第一季業外部分，包括認列10.2億元匯兌收益及5.82億元轉投資收益，及5.29億元利息費用，加上超過11億元的所得稅利益回沖，第一季歸屬母公司稅後淨利達34.00億元，較去年第四季大增92.0％，與去年同期相較增加48.7％，每股淨利0.28元，優於市場預期。
聯電總經理王石表示，第一季雖然有新台幣升值的不利因素，聯電晶圓專工營收依然較上季成長2.5％達到374.4億元，單季合併營收季增2.4％達374.97億元。聯電第一季8吋及成熟12吋晶圓穩定的需求，帶動了整體的產能利用率提升至94％，出貨量也達到175萬片約當8吋晶圓。雖然智慧型手機與無線通訊產品需求趨緩，但是電腦周邊與消費性市場的強力需求，使得晶圓專工營收仍有小幅的成長。
王石表示，展望第二季，預期晶圓專工出貨量將會成長，主要來自於無線通訊與電腦周邊應用需求增加。隨著聯電爭取到客戶在先進與包含28奈米在內及成熟製程的新產品設計定案，聯電與客戶的密切合作，以及在生產製造上的優勢，將有助於提升市占率及財務表現。
聯電預估第二季晶圓出貨較上季增加2～4％，晶圓平均美元價格持平，平均毛利率將改善至15％左右，產能利用率提升至95％左右。法人預期，聯電第二季合併營收將介於380億～390億元之間，有機會挑戰歷史新高，而本業獲利將明顯優於第一季。
聯電董事會提案今年每普通股配發0.70元現金股利，約當88％的現金股利發放率議案交付股東常會決議。聯電董事會已決議自3月8日起至5月7日買回20萬張庫藏股以維護股東權益，至昨日為止執行率已超過一半。

MOSFET等需求旺，台積電、聯電、世界先進等產能滿到年底

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8吋晶圓代工產能全面拉警報！由於關鍵設備確定停產，加上二手設備難以兜出完整產線，包括台積電（2330）、聯電（2303）、世界先進（5347）、鉅晶等晶圓代工廠的8吋晶圓代工產能全面吃緊，訂單已經排滿到下半年。由於需求強勁，加上反應8吋矽晶圓漲價，8吋晶圓代工價格第1季已漲1成，第2季預期將再漲1成。
鉅晶暨愛普董事長蔡國智在出席愛普法說會時表示，8吋晶圓代工產能的確供不應求，今年來價格已調漲1成，客戶捧現金來拜託擴產。而以接單情況來看，金氧半場效電晶體（MOSFET）的需求最強，訂單更已看到年底。鉅晶目前月產能7萬片，希望明年可擴產至9萬片。
8吋晶圓代工產能之所以供不應求，主要是因為產能擴充難度愈來愈高。事實上，8吋晶圓製程設備中的部分關鍵設備，因為相關設備廠已決定停產，因此只能在二手設備市場尋找可用設備。
然而，目前8吋晶圓製造二手設備不僅供不應求，也很難兜出可符合目前製程需求的完整生產線，所以包括台積電、聯電、世界先進等都很難在短期間開出新產能。
但由需求面來看，雖然過去用最多8吋晶圓代工產能的LCD驅動IC，已開始移轉到12吋廠投片，但過去採用5吋及6吋廠生產的類比IC，包括MOSFET、絕緣閘雙極電晶體（IGBT）、電源管理IC等，卻開始大量採用8吋廠投片。同時，智慧型手機中採用的指紋辨識感測IC，也成為8吋廠主要投產產品線之一。
再者，8吋晶圓今年代工產能供不應求的另一原因，在於汽車電子及物聯網相關晶片，包括先進駕駛輔助系統（ADAS）控制IC及感測器、車用電流控制IC、物聯網微控制器（MCU）等，在8吋廠的投片量正在快速拉升當中。
過去，這些產品主要是在IDM廠自有8吋廠中投片，但隨著IDM廠朝向輕晶圓廠（fab-lite）發展，關閉或削減自有8吋廠產能，相關訂單就大舉流向台積電、世界先進等晶圓代工廠。
業者表示，第2季進入電源管理IC、MOSFET、IGBT、微機電感測元件等出貨旺季，加上指紋辨識感測IC及LCD驅動IC需求續旺，8吋晶圓代工產能持續供不應求，預期價格可望續漲1成。

川普下令封殺！台積電、聯電等議價危機解除
綜合報導
新加坡半導體大廠博通（Broadcom）開出1,170億美元（約新台幣3.4兆元）的天價欲迎娶美國高通（Qualcomm），周一被川普以國安為由，發布行政命令封殺，這起科技業史上最大宗併購案宣告破局。
博通及高通合併案破局，英特爾自然也沒有提出併購提案的必要，台灣半導體業可說是大大鬆了一口氣。包括台積電、聯電、日月光、矽品、京元電等業者，自然也不用承受可能因併購成功而來的議價壓力。至於IC設計業者如聯發科、瑞昱等也能在現有市場競賽中維持現狀，不必與博通與高通合併後的怪獸級大廠競爭。
川普周一聲明指出，有「可靠的證據」讓人相信，博通收購高通後，恐怕會採取威脅美國國家安全的行動，因此他禁止這樁交易，命令博通「即刻且永久放棄收購高通」。
《金融時報》報導，博通併高通案還未成定局，美國總統就搶先封殺，此舉可謂史無前例，白宮竟在民間企業併購交易扮演關鍵角色。過去2年來掀起的併購浪潮，將美國半導體攪得天翻地覆，川普之舉無異宣告，國安將成未來科技公司併購能否成局的關鍵。
博通對高通發起的惡意收購，引起負責審查外資併購的美國外國投資委員會（CFIUS）反對。CFIUS列舉不少對該起交易的疑慮，包括研發支出恐面臨刪減，阻礙高通發展；博通也可能因與「第三方外國實體」協議，傷害美企資產。
《華爾街日報》亦報導，博通總部雖設在新加坡，但CFIUS指出，博通若併高通，將對美國與中國大陸兩大強權的科技競爭產生重大影響。博通向以控制成本著稱，CFIUS擔心這家半導體巨擘入主後，會阻礙高通研發。
CFIUS警告，高通要是落入博通之手，將削弱高通與外國同業競相發展第5代行動通訊技術（5G）的實力，大陸華為尤其被視為高通的主要競爭對手。
博通從去年11月就對高通發起併購攻勢，一旦成功，無疑是科技業史上最大宗併購案。為規避CFIUS嚴格審查，博通甚至打算將總部遷往美國，然川普一只行政命令粉碎博通娶高通的希望。
博通周一晚間回應，將對川普簽發的行政命令進行評估。博通此前曾宣稱，如果併購案通過的話，將投資高通的5G技術。

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IDM廠關閉自有舊晶圓廠並委外代工已是未來趨勢，根據市調機構IC Insights統計，自金融海嘯發生後，在2009至2017年的過去9年當中，全球共有92座晶圓廠關閉或改變用途，預期未來幾年將會有更多晶圓廠關閉，而包括台積電、聯電、世界先進等晶圓代工廠可望直接受惠。
IC Insights統計指出，自2008年至2009年發生全球金融海嘯以來，半導體產業不斷削減8吋以下的舊晶圓廠產能，並改變製程到尺寸更大的晶圓上生產半導體元件，以追求更好的成本效益。
根據統計，在2009至2017年的過去9年當中，全球共有92座晶圓廠關閉或改變用途。若以地域別來看，日本地區關閉了34座晶圓廠最多，北美地區關閉了30座晶圓廠，歐洲地區關閉了17座晶圓廠，亞太地區則關閉了11座晶圓廠。
若由晶圓尺寸別來看，關閉的晶圓廠中以6吋廠為大宗，占總關廠數量比重達41％，排名第二的是8吋廠，占總關廠比重達26％。至於4吋及5吋廠占關廠總量比重分別為10％及13％。而比較值得注意之處，12吋廠關閉占比亦達10％。
IC Insights針對12吋廠關閉的情況說明，德國記憶體廠奇夢達（Qimonda）在2009年初破產，是首家關閉12吋DRAM廠的業者。台灣茂德也因不堪虧損在2013年關閉12吋DRAM廠。至於在改變用途部份，瑞薩2014年將12吋廠售予索尼，並改變用途於生產CMOS影像感測器；三星亦在2017年關閉其Line 11的12吋記憶體廠，並將移轉生產CMOS影像感測器。
報告中指出，由於半導體產業持續傳出整併案，而且新建晶圓廠的成本高，製程設備的價格也是愈來愈貴，導致生產成本高漲，IDM廠於是將手中晶圓廠關閉，營運模式改成輕晶圓廠（fab-lite），或直接轉型為無晶圓廠（fabless）IC設計公司等。由此來看，未來幾年會有更多晶圓廠關閉，訂單將會由晶圓代工廠接手。
台積電董事長張忠謀在年初的法人說明會中亦指出，他認為IDM廠會將晶圓持續委外代工，而且認為每個IDM廠都會走向fab-lite的方向，而且會是愈來愈減輕晶圓廠（fab lighter and lighter）。同時，IDM廠除了會將舊有的產品線委外，也會將新的製程及技術交由晶圓代工廠負責生產。

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晶圓代工二哥聯電（2303）昨（24）日召開法人說明會，去年雖受新台幣兌美元匯率升值衝擊，但全年營收仍較前年成長1.0％達1,492.85億，歸屬母公司稅後淨利年增15.8％達96.29億元，每股淨利0.79元，符合市場預期。聯電預期今年資本支出降至11億美元，第一季晶圓出貨將較上季增加2～4％，營運不看淡。
聯電去年第四季合併營收季減2.8％達366.31億元，與前年同期相較亦下滑4.4％，平均毛利率季減0.3個百分點達17.2％，但營業利益季增16.7％達19.01億元。由於第四季並無大筆業外收益認列，單季歸屬母公司稅後淨利季減49.0％達17.71億元，每股淨利0.15元。
聯電2017年合併營收年增1.0％達1,492.85億元，平均毛利率年減2.4個百分點達18.1％，主要是受到新台幣升值影響，但營業利益年增6.0％達65.68億元，本業獲利能利持續改善。加計業外收益後，全年歸屬母公司稅後淨利達96.29億元，年成長率達15.8％，每股淨利0.79元。
對於第一季市況，由於聯電廈門廠已進入量產階段，預估整體晶圓出貨量將季增2～4％，晶圓平均美元價格季減2％，晶圓代工產能利用率約90％，法人預估本季營收將與上季持平或小幅成長2％以內。但因1月以來新台幣大幅升值，加上14奈米製程量產初期毛利率低，因此聯電預期第一季毛利率將降至11～13％。
聯電總經理王石表示，去年第四季聯電晶圓代工事業營收達到365.4億元，雖然28奈米高介電金屬閘極（HKMG）晶圓出貨量下滑，但聯電的8吋與12吋成熟製程的產能利用率維持高檔，持續反應了市場強勁的需求。整年來看，2017年聯電以美元計價的晶圓代工營收成長了7％，全年晶圓出貨量年增11％。雖然有新台幣在外匯市場升值的不利因素，但2017年歸屬母公司的淨利仍較2016年成長16％。
王石表示，展望2018年第一季，預期晶圓專工需求將會相對持平，聯電也會持續努力確保新的28奈米產品設計商機，藉由新產品設計定案及生產，在接下來的幾個月內重新布建聯電28奈米產品的成長動能。
王石表示，聯電也會充分運用在製造能力上的優勢，投入在投資報酬率較佳的產品線方面，這包含了12吋成熟技術及8吋機器設備的升級。為此，聯電在2018年的資本支出約為美金11億元。聯電將以提供8吋及12吋成熟製程產品最佳化組合，同時穩健擴充先進製程產能的經營方向，能讓聯電維持健全的財務體質，確保股東及員工的最佳利益。

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晶圓代工廠聯電與記憶體大廠美光在記憶體領域的訴訟戰火升溫，聯電宣布，於昨（12）日上午已向中國大陸福州市中級人民法院遞狀，控告美光在DRAM及固態硬碟（SSD）等記憶體產品涉嫌侵害聯電大陸公司專利，總共將求償2.7億元人民幣（約新台幣12.34億元）。
聯電表示，美光製造、生產及銷售的Crucial DDR4 2400 8G筆記型電腦記憶體、Crucial MX300 2.5-inch SSD 525GB固態硬碟與七彩虹iGame1080烈焰戰神X-8GD5X顯示卡中的儲存晶片涉嫌侵害該公司的大陸專利。
聯電為維護自身權益，已於昨日上午按不同侵權產品分別向福州市中級人民法院遞狀，對美光半導體（西安）有限責任公司、美光半導體銷售（上海）有限公司、廈門市思明區信通源電腦經營部、廈門安泰勝電子科技有限公司起訴，共計3件訴訟。
聯電將請求法院判令該等被告停止製造、加工、進口、銷售、許諾銷售被訴侵權產品的行為，銷毀全部庫存及相關模具及工具，並請求美光於3件訴訟各賠償9,000萬元人民幣（約新台幣4.11億元）。
聯電表示，美光為國際知名公司，最近1年對聯電動作頻頻，明顯將其與離職員工間的爭議，渲染為企業間的侵害行為，並在美國本土對該公司興訟，經聯電深入檢視，發現有美光在大陸地區銷售的產品確實侵害聯電專利權，因而在大陸地區進行專利侵權訴訟，期能獲得公正裁判。
美光與聯電掀起訴訟戰起因，外界普遍認為，起源於聯電在2016年與福建省晉華集成電路有限公司簽約合作，聯電也受晉華公司委託開發DRAM相關技術，但事實上聯電僅負責技術研發，並未有投入DRAM產業的規劃。

專訪
美國記憶體大廠美光（Micron）大動作在美對聯電可能竊取及使用營業祕密一事提出訴訟，聯電總經理簡山傑對此予以駁斥，強調聯電早年就生產過DRAM，本身擁有不少DRAM專利，事隔15年後決定自主研發DRAM技術，目的是為了替台灣半導體產業落實技術扎根。以下是專訪紀要。
問：聯電重新投入DRAM技術研發原因為何？
答：聯電的本業是晶圓代工，順應市場趨勢並強化晶圓代工的服務，聯電研發DRAM的經驗有助於新世化記憶體的發展，包括MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）等，等於可以搶先進入有潛力的新市場。再者，聯電是借外部力量來研發DRAM技術，福建晉華支持研發費用，雙方共同投入研發設備及技術，可快速研發速度，不會擠壓聯電的獲利表現。
聯電要獨立自主研發DRAM技術，另一個重要意義是為台灣半導體產業落實技術扎根，這是當年聯電與世界先進完成自主研發DRAM技術後，相隔15年後再次有台灣企業投入難度最大的DRAM研發工作，意義格外重大。
問：美光對聯電提告的關鍵在於聯電多年未涉及DRAM研發及生產，聯電的技術來源為何？
答：聯電要自主研發DRAM技術。聯電在晶圓代工市場多年，長期投入研發已有很好的技術實力，連最先進囗最複雜的14奈米邏輯IC製程都自主研發成功並開始投產，而且許多DRAM技術與聯電既有的邏輯技術相通。至於在DRAM特有技術部分，則透過公開的技術報告、逆向工程方式了解，再依據開發路線落實。事實上，DRAM工作原理沒有改變，現今的DRAM只是藉由更先進的製程技術，達到每位元更低成本的目標，操作原理與15年前研發DRAM時相同。
問：聯電的DRAM事業的營運模式為何？
答：聯電目前與國外DRAM設計公司合作，以達成及加速DRAM技術研發。不同於三大DRAM廠有自己的設計團隊，聯電本業是晶圓代工，所以與DRAM設計公司合作最符合聯電的營運模式，與經驗豐富的DRAM設計團隊合作，可以減少研發過程中的許多不確定性因素，加快問題解決的速度。再者，聯電未來的DRAM技術研發成功後，會授權給晉華生產，但聯電並沒有投資晉華，未來也可爭取其它DRAM代工訂單。聯電目前沒有自建DRAM產能計畫，不會與台灣現有DRAM廠商競爭。
問：聯電自行研發的DRAM技術與美光的DRAM技術並不相同？
答：聯電不了解美光製造DRAM的內容，因此無從說明兩者之差異，但根據第三方TechInsights於2013年發表文章，有分析美光、爾必達、三星、SK海力士在30奈米製程世代的DRAM，美光採用直行式主動區（Active Area，AA）設計，但聯電DRAM選擇交錯式AA設計，與美光的記憶胞架構明顯不同。DRAM的記憶胞是技術上最核心之處，選擇不同的記憶胞架構，代表了不同的研發道路，證明聯電和美光的技術核心不相同。