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有關晶圓代工龍頭台積電將赴日本投資設廠傳言不斷，近日業界最新傳言是台積電將與日本索尼（Sony）、豐田汽車（Toyota）、三菱電機（Mitsubishi）合資在日本設廠，總投資金額高達1.6兆日圓，日方與台積電對合資企業持股各占50％。台積電則不評論業界及市場傳言。
日本官方積極拉攏國際半導體大廠到日本投資，台積電先前已宣布將在日本投資設立百分百持股子公司，並在日本成立3DIC材料研發中心，日本經產省將給予正式援助，其中台積電約出資逾180億日圓，日本政府透過新能源及產業技術統合開發機構（NEDO）出資約190億日圓，而包括揖斐電（Ibiden）、信越化學等日本20家廠商也參與合作計畫。
然而有關台積電將在日本設立12吋晶圓廠的消息不斷，繼日前外電報導台積電將在日本熊本縣獨資設立12吋晶圓代工廠消息後，近日業界最新消息傳出台積電將與日本索尼、豐田汽車、三菱電機等合資設廠，投資金額高達1.6兆日圓，約折合新台幣4,000億元。
設備業界指出，日本官方及大型企業針對半導體產業有許多投資建議，台積電與日本三家大企業在日本熊本合資建廠應是其中之一，若台積電真的點頭同意，很快就會宣布投資計畫。現階段消息包括明年初開始動工興建12吋晶圓廠，主要以20奈米製程為主，月產能至少5萬片，除了日本政府給予渥投資獎勵誘因，合資公司的營運模式將走向專廠專用的包產能模式。
不過業界認為，這項計畫若屬實，將打破台積電向來獨資建廠的經營模式，且合資後若遇上長期景氣不好，多餘產能該如何處置？也會是大問題。
日本索尼在半導體領域是全球第一大CMOS影像感測器（CIS）供應商，畫素層（pixel layer）晶片一直由索尼自有晶圓廠生產，邏輯層（logic layer）晶片則委由台積電代工。因此，消息也指出，新合資公司中日方以索尼出資最高，CIS代將是主力產品線，豐田及三菱加入則是鎖定在車用晶片及微控制器領域並確保產能。

HPC需求大爆發，除積極擴建7奈米、5奈米產能，3DFabric平台亦同步開展

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新冠肺炎疫情加快全球數位轉型速度，加上5G智慧型手機及物聯網裝置日益普及，雲端運算及伺服器需求持續轉強，高效能運算（HPC）處理器出貨進入高速成長期。晶圓代工龍頭台積電看好HPC應用強勁成長動能，在前段晶圓製造積極擴建7奈米及5奈米產能，後段先進封裝3DFabric平台布局同步開展，接單一路旺到年底。
台積電在年報中指出，在巨量數據運算和應用創新的驅動下，HPC運算已成為台積電業務增長的主要動力之一。
台積電為IC設計廠及系統廠客戶提供領先的晶圓製造技術，例如5奈米、7／6奈米、和16／12奈米鰭式場效電晶體（FinFET）等邏輯製程技術，以及包括高速互連技術等完備的矽智財（IP），以滿足客戶產品在任何地點和時間傳輸和處理大量資料的需求。
隨著台積電7奈米及5奈米等先進製程產能大量開出，多種HPC運算處理器已被導入市場，包括中央處理器（CPU）、繪圖處理器（GPU）、可程式邏輯閘陣列（FPGA）、伺服器處理器、人工智慧（AI）加速器、高速網路晶片等，應用範圍涵蓋5G及AI終端及局端裝置、雲端運算、資料中心等領域，而包括英特爾、超微、輝達、博通、賽靈思、聯發科等都是台積電主要客戶。
為了提升HPC運算效能，台積電提供涵蓋基板上晶圓上晶片封裝（CoWoS）、整合型扇出封裝（InFO）、以及台積電系統整合晶片（TSMC-SoIC）等多種3DFabric平台的先進封裝技術，協助完成異質和同質晶片整合，以幫助客戶掌握HPC運算領域的市場成長。
在先進封裝技術部分，台積電持續擴展由三維（3DIC）矽堆疊及先進封裝技術組成的完備3DFabric系統整合解決方案。針對HPC運算應用，台積電將於2021年提供更大的光罩尺寸來支援整合型扇出暨封裝基板（InFO_oS）及CoWoS封裝解決方案，運用範圍更大的布局規畫來整合小晶片（chiplet）及高頻寬記憶體（HBM）。
台積電將在今年下半年對2.5個光罩尺寸的InFO進行驗證，以涵蓋更廣泛的布局規畫和HPC運算要求。台積電預計於今年提供3個光罩尺寸來強化CoWoS技術，開發更具成本效益的CoWoS-R和CoWoS-L，為HPC應用提供各種小晶片和HBM記憶體整合要求。

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8吋晶圓代工廠世界先進受惠於產能供不應求及價格調漲，5月合併營收34.09億元為單月營收歷史次高。世界先進受惠於面板驅動IC及電源管理IC等晶圓代工接單強勁，產能利用率已超過100％，訂單能見度看到年底，法人預期世界先進6月營收將挑戰新高，第二季營收將達業績展望上緣並創下歷史新高。
世界先進公告5月合併營收月增7.5％達34.09億元，較去年同期成長23.1％，為單月營收歷史次高及歷年同期新高，累計前5個月合併營收157.60億元，較去年同期成長19.4％，表現優於預期。
受惠於8吋晶圓代工產能嚴重吃緊，加上價格順利調漲，世界先進預估第二季合併營收介於98～102億元之間，較第一季成長6.8～11.1％之間，續創季度營收歷史新高。因為產能利用率維持滿載及價格調漲，平均毛利率將介於39～41％之間，營業利益率介於27.5～29.5％之間，雙率表現亦將再創新高紀錄。
世界先進為因應客戶強勁需求，今年資本支出已上修至85億元，主要針對部分交期長且預計2022年上半年投入的生產設備先行採購所產生的資本支出，至於日前董事會通過購買友達L3B廠房，預定明年1月1日完成交割。世界先進今年透過現有廠房和新加坡據點擴增產能，其中，桃園三廠還有2.4萬片產能擴產空間，明年生產線建置完畢後就可開始量產。
世界先進主要承接面板驅動IC及電源管理IC訂單，但看好物聯網時代來臨，世界先進將現有產能進行製程微縮，包括投入嵌入式非揮發性記憶體（eFlash）技術開發，0.18微米製程的通用微控制器（General MCU）與觸控IC產品已導入量產，同時0.11微米製程開發持續進行中。
此外，世界先進對於寬能隙功率半導體中的氮化鎵（GaN）功率元件研發亦獲得初步成果，不僅完成特殊基材上的磊晶製作開發，其功率元件亦滿足動態導通電阻需求，並持續優化元件特性，期待今年於次世代的電源控制及高頻元件上，提供客戶優於傳統矽基材選擇。

三年1,000億美元投資案全面啟動，EUV產能將大爆發
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面對全球半導體產能供不應求，台積電在2日舉辦2021年技術論壇表示，3年1,000億美元投資案已全面啟動，現在正以5倍的速度加快擴產腳步，包括將在南科擴建5奈米晶圓廠及興建3奈米晶圓廠，以及在竹科興建研發晶圓廠及2奈米晶圓廠，以台積電興建中及計畫中的投資案來看，等於要再蓋12座晶圓廠，極紫外光（EUV）產能將大爆發。
此外，台積電在南科及竹南封測廠興建已啟動，美國亞利桑那州12吋廠開始興建。法人看好台積電啟動大投資計畫，包括漢唐、帆宣、家登、京鼎、弘塑、信紘科、意德士等資本支出概念股直接受惠，且隨著台積電加快建廠腳步，及擴大設備及備品採購規模，台積電大同盟合作夥伴營運可望再旺3年。
台積電表示，過去33年產出的晶圓片數量已超過1億片，而目前年產量也超過1,300萬片12吋約當晶圓。台積電過去以穩健方式擴產，但因應客戶強勁需求，目前正以5倍速度擴充產能，累積達到的無塵室面積更達到百萬平方公尺。台積電今年資本支出上修至300億美元，3年1,000億美元投資案全面啟動，而台積電已開始興建3奈米晶圓廠，未來會是全球首座3奈米晶圓廠。
台積電營運資深副總經理秦永沛說明建廠計畫。南科Fab 18超大型晶圓廠（GigaFab）將建置P1～P4共4座5奈米晶圓廠，P5～P8共4座3奈米晶圓廠。其中P1～P3廠已進入量產，P4～P6廠正在興建中，未來將再擴建P7～P8廠。另外，南科Fab 14超大型晶圓廠將擴建P8廠為特殊製程生產基地，AP2C封測廠亦興建中。
台積電竹科Fab 12超大型晶圓廠將擴建P8～P9廠為研發中心，P8廠將在今年完成。預計在竹科寶山興建Fab 20超大型晶圓廠，現在仍在土地取得程序，未來將成為2奈米生產重鎮。至於美國亞利桑那州5奈米晶圓廠已開始興建，2024年以月產能2萬片量產計畫不變。
在封測廠投資部份，秦永沛指出，台積電已有4座先進封測廠區，主要提供晶圓凸塊、先進測試、後段3D封裝等業務，現在竹南興建的第5座封測廠AP6，未來將以前段3D封裝及晶片堆疊等先進技術為主，而竹南封測AP6廠總面積是4座封測廠總面積的1.3倍，預計2022年下半年開始量產SoIC先進封裝製程。

金額約190億日圓，Ibiden、信越化學等20家日企也將參與合作

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日本經產省5月31日宣布，通過支持後5G時代通訊系統基礎建設強化研發專案中的先進半導體製程技術開發，有關台積電在日本成立3DIC材料研發中心計畫將給予正式援助。
其中台積電約出資逾180億日圓，日本政府透過新能源及產業技術統合開發機構（NEDO）出資約190億日圓，而包括揖斐電（Ibiden）、信越化學等日本20家廠商也參與合作計畫。
業界認為，台積電與日本企業共同合作開發3DIC技術，並獲得日本政府支援出資，將有助於未來在高效能運算（HPC）及5G應用的異質整合晶片領域，與其它競爭者拉大技術領先差距。同時，台積電也可利用日本在半導體材料及設備的先進技術能力加快3DIC的技術推進。
台積電已宣布將在日本投資設立百分百持股子公司，實收資本額不超過186億日圓，以擴展台積電3DIC材料研究。
而據外電消息，日本經產省將針對台積電在日本成立3DIC材料研發中心計畫給予正式援助，由台積電及日本企業共同合作投入先進半導體3DIC封裝技術及材料的研發總體投資金額約370億日圓，其中，日本政府將透過NEDO所設立的基金投資190億日圓。
據經產省公布資料，為了實現HPC運算、5G網路基建、自駕車的人工智慧（AI）及整合感測等技術，半導體元件透過3DIC先進封裝技術將異質晶片整合是不可或缺技術。台積電日本3DIC研發中心將針對以基板封裝為中心，針對新一代加工及基板材料、接合製程、量測設備等3D先進封裝相關技術進行開發，今年夏天之後將在日本茨城縣筑波市的產業技術總合研究所無塵室內建置試產線，預計明年就可正式進入研發階段。
日本透過官方及民間共同合作方式，與台積電攜手合作，以維持在半導體先進製造技術上的國際競爭力及提升技術能力。而除了日本官方出資，包括材料及設備等部分將借重日本企業的先進技術，包括基板廠Ibiden及新光電氣，材料供應商旭化成、信越化學、東京應化工業、住友化學等，以及設備廠商芝浦機械、日立高科、昭和電工等，共約20家企業將加入合作計畫。
日本媒體指出，日本經產省憂心日本半導體產業出現衰退危機，因而出面向台積電招手並邀請到日本投資。這項作法將有助於日本衰退中的半導體產業復甦，選擇與技術能力強大的台積電合作，也可為日本半導體產業帶來相當大的好處。而對台積電而言，除了研發場所之外，接下來應該會要求日本政府提供生產據點的用地。

本周辦線上論壇，美中兩地投資建廠等四大話題受市場矚目

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晶圓代工龍頭台積電將於2日（周三）舉行2021年線上技術論壇，此次線上技術論壇的主題，包括台積電先進製程技術、特殊技術、先進封裝技術，及產能擴充計畫與綠色製造成果等。其中，台積電3奈米建廠進度、2奈米研發成果、成熟製程擴產計畫，和在美國及中國等地的投資建廠進度，將是半導體業界熱門話題。
隨著新冠肺炎疫情蔓延，許多城市進入了封城狀態，全球經濟與社會經歷了巨大的動盪，但在家工作和遠距學習等趨勢隨之興起，加速了數位轉型，使得半導體產業的需求依舊持穩。台積電的首要考量是保護同仁的健康與安全，並且確保全球晶圓廠正常營運。
台積電先進製程持續推進，包括7奈米（N7）、7奈米強效版（N7+）、6奈米（N6）已在2020年進入第三年量產，並在智慧型手機、高效能運算（HPC）、物聯網（IoT）、車用電子等眾多應用產品中，看到非常強勁的需求。至於台積電5奈米（N5）2020年第二季進入量產，2021年持續提升產能，台積電提供更多強效版技術，例如4奈米（N4）技術延續5奈米家族的領先地位，預計2022年進入量產。
台積電3奈米（N3）技術將是5奈米之後的另一個全世代製程，在3奈米推出時將會是業界最先進的製程技術。相較於5奈米技術，台積電3奈米技術的邏輯密度將增加70％，效能提升15％，而且功耗降低30％。3奈米技術的開發進度符合預期且進展良好，未來將提供完整的平台來支援行動及高效能運算應用，預計2021年下半年開始量產。
台積電2020年推出3DFabric先進封裝平台，在一個技術系列下，將快速成長的三維積體電路（3DIC）系統整合解決方案統合起來，具有差異化的小晶片（chiplet）與異質性整合技術，提供客戶更優異的功耗效率、更大的運算密度，以及更小的尺寸外觀，同時縮短產品上市的時間。
台積電為3奈米打造的Fab 18廠第四期至第六期工程已加速趕工，2奈米晶圓廠將座落於新竹寶山也已展開建廠計畫。在海外投資部分，台積電已宣布在美國亞利桑那州興建和營運一座先進晶圓廠，將採用台積電5奈米技術，規劃月產能為2萬片晶圓，預計於2024年開始量產。而因應成熟製程產能供不應求，台積電也宣布將在南京廠建置月產能4萬片的28奈米製程生產線。

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記憶體大廠華邦電強化利基型記憶體製程及產品線布局，25奈米加強版DRAM製程D25s技術將在今年進入量產，同時擴大HyperRAM及AI DRAM出貨動能，45奈米NOR Flash製程開發順利，TrustME安全記憶體通過第三方獨立安全認證並獲國際大廠採用。華邦電董事長焦佑鈞表示，面對國際政經不確定情勢、科技產業瞬息萬變、疫情持續在全球蔓延等多方挑戰，華邦電整合集團資源發揮經營綜效，維持長期營運成長動能。
華邦電受惠於記憶體價格上漲，推升季度毛利率明顯回升，第一季合併營收達213.25億元創下歷史新高，平均毛利率季增7.2個百分點達37.6％，歸屬母公司稅後淨利15.86億元，較上季成長逾3.5倍，每股淨利0.40元，季度獲利為2018年第三季以來的11季度新高。
由於記憶體及轉投資新唐的微控制器（MCU）第二季價格順利調漲且出貨暢旺，華邦電4月合併營收月增4.2％達83.05億元，較去年同期成長91.0％並創下歷史新高，累計前四個月合併營收296.30億元，較去年同期成長86.4％亦改寫歷年同期新高紀錄。法人看好華邦電第二季營收上看250億元續創新高，下半年營收亦將逐季續創新高。
華邦電持續優化中科12吋廠產能與製程，月產能已由5.4萬片提升至5.7萬片，利基型DRAM及NOR Flash為二大產品線扮演雙引擎，持續作為營運穩定基礎。華邦電利基型DRAM已在去年導入25奈米量產，下一代製程D25s開發按進度進行且預計今年進入量產。
焦佑鈞在營業報告書中指出，隨著5G相關基礎建設逐漸到位，雲端服務、物聯網、AI及自動駕駛等技術日益普及成熟，再加上「無接觸經濟」相關產業的興起，半導體及記憶體市場規模可望進一步推升。

參與美商務部會議，會後聲明為支援汽車產業已採取前所未有的行動

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美國商務部長雷蒙多（Gina Raimondo）在美國時間20日召開視訊會議，與美國汽車業領袖與其他半導體產業高層討論晶片短缺議題。晶圓代工龍頭台積電再度受邀與會，並於會後發表聲明表示，為支援全球汽車產業，已採取前所未有的行動，今年微控制器（MCU）產量較去年提升60％，以解決當前晶片短缺問題。
雖然市場開始認為半導體產業過度投資，後疫情時代可能因超額下單而導致供給過剩，但各國疫苗施打後的數位轉型仍持續加速，ODM／OEM廠、手機廠、汽車廠、資料中心等業者仍普遍預期晶片短缺情況將延續到2022年後，半導體產能供不應求可能要2023年才會紓解。
美國商務部20日透過視訊會議方式召開半導體峰會，並邀請全球科技大廠與會。據了解，晶圓代工龍頭台積電、英特爾、三星、亞馬遜、Google、高通、思科等科技巨頭均受邀與會，通用、福特等汽車大廠亦出席峰會，共同討論如何解決車用晶片短缺問題。不過台積並未透露此次出席者名單。
台積電會後發布聲明表示，為了支援全球汽車產業，台積電已經採取了前所未有的行動，包括重新調度因數位轉型的加速進行、正承受著強勁需求壓力的其他產業客戶之產能。台積電將2021年MCU的產量較2020年提升60％，較2019年疫情大流行前的水準提升為30％。
台積電強調，將持續與汽車供應鏈合作，解決當前晶片短缺問題。展望未來，現代化「Just-in-Time」供應鏈管理，並在這個複雜的供應鏈中提高需求可見度，應較能避免未來出現此類供應短缺現象。
今年以來全球MCU嚴重缺貨，業界分析，原因之一在於MCU主要採用的成熟製程已多年沒有擴充產能，供應鏈展開同步回補庫存及終端需求回升拉動，MCU供不應求且交期持續拉長。英飛凌、意法、瑞薩等MCU大廠已在今年陸續漲價，新唐、盛群等台灣業者均已跟進。
為強化半導體產能供應，美國白宮曾於4月12日召開半導體峰會，當時台積電董事長劉德音親自出席。他會後表示，對台積電而言，國外直接投資能夠強化經濟競爭力，進一步拓寬經濟發展，助力當地公司成長並支持創新。台積電有信心在亞利桑那州鳳凰城即將興建的5奈米先進晶圓廠計畫，在與美國政府跨黨派的合作下將會成功。

車用晶片大缺貨，國際大廠搶先預訂產能，喊出漲價30～50％沒問題
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在疫情及美中貿易紛爭持續延宕下，車用晶片全球大缺貨，由於預期未來二～三年內半導體成熟製程仍難看到新產能大量開出，國際IDM廠已開始爭搶明年晶圓代工產能，價格調漲逾30～50％都可接受。
8吋晶圓代工廠世界先進（5347）受惠於IDM廠加價搶產能，今年營收及獲利將創新高紀錄，明年營運表現會更好。
世界先進第一季合併營收91.80億元，平均毛利率達38.1％，營業利益率達26.7％，歸屬母公司稅後淨利達22.13億元，稀釋每股淨利1.34元，合併營收及稅後淨利同創歷史新高，毛利率及營業利益率亦同步改寫新猷。
世界先進受惠於8吋晶圓代工產能嚴重吃緊及價格調漲，預估第二季合併營收介於98～102億元之間續創歷史新高，平均毛利率及營業利益率等雙率表現亦將再創新高紀錄。世界先進4月合併營收月減11.5％達31.71億元，較去年同期成長22.7％，累計前4個月合併營收123.51億元，較去年同期成長18.4％並為歷年同期新高，法人預估第二季營收逐月回升，下半年營運會更旺。
世界先進董事長方略在營運報告書中提及，5G基地台和智慧型手機帶動的電源管理IC與分離式元件爆發性成長，讓世界先進著墨多年的多元化特殊製程技術電源管理產能持續拓展新訂單，對整體的產品組合優化有相當程度的助益。
此外，世界先進致力於車用晶片開發已逐步開花結果，並持續引進多項製程技術並導入量產，包括面板驅動IC、電源管理IC等均獲國際大廠青睞。
世界先進0.4／0.25微米BCD製程、0.5／0.4／0.25微米SOI（絕緣層上覆矽）製程已通過車用電子相關驗證，累積出貨量達一定規模，製程可靠度符合世界級車用規格。
新一代0.15微米BCD及SOI製程已開發成功並在今年量產，車用面板0.16／0.11微米附加嵌入式非揮發性記憶體的高壓製程亦已導入量產。
同時，世界先進第三代0.5微米超高壓製程已將觸角延伸到無刷馬達及AC／DC電源管理應用領域，並與特定客戶完成設計定案及量產，應用在馬達及車用電子的高效能高壓分離式元件，更是世界先進領先同業的重要開發藍圖。
雖然晶圓代工廠優先供給車用晶片產能，但缺貨情況最快要到年底才會獲得紓解，包括英飛凌、德儀、ADI等國際IDM廠為避免明年再度面臨缺貨問題，已提前預訂世界先進明年產能，且價格調漲不是問題，對今、明兩年營運將帶來正面助益。

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環保署12日進行環評大會，討論攸關台積電2奈米投資的「竹科寶山用地第2期擴建計畫」的擴大及變更都市計畫的政策環評，會中給出增加綠電使用、強化用水回收與再生水利用等10點建議，後續送科技部參酌修改開發計畫。
過去寶二園區計畫位處地震帶上，環評委員質疑設廠必要性，由於政策環評無法做出結論，只能將建議提供給主管機關科技部竹科管理局參酌修正。本案在專案小組初審會議做出10項建議，包含用水回收與再生水利用、斷層影響分析及複合型災害預防等。
官員說，政策環評建議計畫範圍內園區建立總量管控機制，並將園區用水、用電需求及可能衍生空氣污染物、廢水、廢棄物等排放對環境之衝擊與因應措施納入考量。另建議在都市計畫範圍內園區，研擬相關空氣污染物排放增量抵換措施、加強再生能源使用及溫室氣體減量規劃、加強用水回收與再生水利用規劃。
此外在都市計畫範圍鄰近斷層，建議加強發生地震、化學災害、油污染等複合型災害都市環境災害風險評估；檢討交通流量問題，針對土地現況、權屬及徵收建物拆遷戶等，加強與相關利害關係人溝通。